結晶、結晶のための後処理 (61,211)

目的・対象とする結晶の形態 (5,820)
結晶自体の特徴 (2,433)
材料（元素状、合金） (2,007)
材料−酸化物 (470)
材料−複合酸化物 (686)
材料−酸素酸塩 (88)
材料−〜化物 (3,360)
材料−有機物 (122)
固相成長 (251)
液相成長−常温で液体の溶媒を使用 (348)
液相成長−溶融溶媒を使用するもの (221)
液相成長−融液の凝固によるもの (470)
液相成長−ゾーンメルティング (194)
液相成長−融液からの引出し (1,571)
液相成長−液相エピタキシャル (652)
気相成長−蒸着、昇華 (1,206)
気相成長−ＣＶＤ (2,039)
結晶成長共通（成長条件の制御）（固相成長を除く） (2,023)
結晶成長共通−不純物のドーピング (987)
結晶成長共通−原料の調製、原料組成 (1,132)
結晶成長共通−種結晶、基板 (2,660)
結晶成長共通−成長前の基板の処理、保護 (913)
結晶成長共通−基板への多層成長 (667)
結晶成長共通−装置、治具 (3,794)
結晶成長共通−検知、制御 (1,189)
結晶成長共通−特定の成長環境の付加 (410)
後処理−拡散源、その配置 (19)
後処理−後処理のための基板表面の前処理 (34)
後処理−気相からのドーピング (12)
後処理−電磁波、粒子線照射によるドーピング (69)
後処理−加熱、冷却処理 (955)
後処理−結晶の接合 (64)
後処理−エッチング、機械加工 (857)
後処理−電場、磁場、エネルギー線の利用 (118)
後処理−その他 (720)
後処理−装置、治具の特徴 (88)
結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定 (430)
用途 (7,550)
固相からの直接単結晶成長 (163)
単結晶成長プロセス、装置 (181)
圧力を加えるもの（例；水熱法） (360)
塩溶媒を用いるもの（例；フラックス成長） (77)
るつぼ、容器又はその支持体 (111)
ノーマルフリージング又は温度勾配凝固 (738)
ゾーンメルティングによる単結晶成長，精製 (65)
溶媒を用いるもの (13)
るつぼ、容器又はその支持体 (9)
誘導による溶融ゾーンの加熱 (36)
電磁波による加熱（集光加熱等） (15)
制御又は調整 (67)
材料又はヒーターの移動機構、保持具 (8)
融液からの引出し（保護流体下も含む） (635)
結晶化物質（原料）、反応剤の充填、添加 (624)
引出し方向 (49)
融液を入れるるつぼ、容器又はその支持体 (583)
融液、封止剤又は結晶化した物質の加熱 (188)
制御又は調整 (738)
融液、封止剤、結晶の回転、移動機構 (43)
種結晶保持器 (24)
種結晶 (65)
縁部限定薄膜結晶成長 (49)
液相エピタキシャル成長 (1,473)
特殊な物理的条件下での単結晶成長 (154)
ＰＶＤ (1,258)
イオン化蒸気の凝縮 (52)
分子線エピタキシャル法 (139)
ＣＶＤ (1,448)
エピタキシャル成長法、装置 (988)
製造工程 (1,363)
反応室 (96)
反応室又は基板の加熱 (117)
基板保持体又はサセプタ (215)
基板とガス流との関係 (77)
ガスの供給、排出手段、反応ガス流の調節 (240)
制御又は調節 (250)
基板 (1,853)
特殊な物理的条件下での単結晶成長 (18)