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Fターム[4G077AA02]の内容

結晶、結晶のための後処理 (61,211) | 目的・対象とする結晶の形態 (5,820) | バルク状(例;インゴット) (3,902)

Fターム[4G077AA02]に分類される特許

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【課題】窒化ガリウム(GaN)の結晶成長を促進するフラックスとして機能するナトリウムを低コストで精製し供給する装置及び方法を提供する。
【解決手段】原料である固体ナトリウムslを収容すると共に、液体ナトリウムmlについて通過自在かつ前記固体ナトリウムslに不可避的に含まれるナトリウム化合物については通過を阻止して除去するろ過機能を有するろ過容器1と、固体ナトリウムslが溶融し、かつ、前記ナトリウム化合物が溶融しない温度に固体ナトリウムslを加熱する加熱保温部15と、ろ過機能に基づいてろ過容器1から流れ出た液体ナトリウムmlを坩堝Bに供給する供給手段と、ろ過容器1、加熱保温部15及び供給手段を非酸化性雰囲気に保持するチャンバ16とを具備する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、結晶成長に再利用可能な反応容器を提供すべく、結晶成長に用いられた反応容器の再生方法、再生反応容器および、これを用いた結晶の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、原料、溶媒および鉱化剤の存在下で超臨界および/または亜臨界状態において結晶成長を行う結晶の製造方法に用いられた反応容器に、前記結晶の製造方法において生じた前記反応容器の変形および/または変質を修復する修復工程を施し再生反応容器とすることを特徴とする、反応容器の再生方法に関する。 (もっと読む)


【課題】長時間の高温条件下におけるシリコン単結晶の引き上げにおいてシリカガラスルツボの内表面にブラウンリングや開気泡の発生が抑制されるシリカガラスルツボ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、合成シリカ粉から形成される内面層と、天然シリカ粉から形成される外面層と、を備えるシリコン単結晶引き上げ用シリカガラスルツボであって、前記内面層は、ラマン法で測定した波長492cm-1のピーク強度D1と、波長606cm-1のピーク強度D2との強度比D1/D2が、1.8以上2.0以下の合成シリカ粉を熔融して形成されるシリカガラスルツボが提供される。 (もっと読む)


【課題】歩留まりを向上することができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置100の製造方法は以下の工程を有する。第1の主表面1との第2の主表面2とを有する炭化珪素基板80が準備される。第1の主表面1に電極が形成される。炭化珪素基板80は六方晶の結晶構造を有し、第1の主表面1の{0001}面に対するオフ角が±8°以内であり、第1の主表面1は、炭化珪素のバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光が照射された場合に、第1の主表面1に生ずる750nm以上の波長域における発光領域3の密度が1×104cm-2以下であるような特性を有する。 (もっと読む)


【課題】SiC種結晶の結晶成長面上にSiC多結晶が析出し難くすることを容易にできるSiC単結晶の製造方法を提供することを、目的とする。
【解決手段】準備工程では、SiC溶液16の原料を収容する坩堝14と、SiC種結晶36が取り付けられる下端面34を有するシードシャフト30とを備えるSiC単結晶の製造装置10を準備する。取付工程では、シードシャフト30の軸方向から見て、シードシャフト30がSiC種結晶36の周縁よりも内側に位置するように、SiC種結晶36を下端面34に取り付ける。生成工程では、坩堝14を加熱して、SiC溶液16を生成する。浸漬工程では、シードシャフト30の下端をSiC溶液16に浸漬して、SiC種結晶36をSiC溶液16に浸漬する。育成工程では、SiC種結晶36の結晶成長面38上にSiC単結晶を育成する。 (もっと読む)


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