【課題】窒化ガリウム層を備える黒鉛材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛材１は、膨張黒鉛シート２と、膨張黒鉛シート２の上に配された、結晶性窒化ガリウム層３とを備える。黒鉛材１の製造方法は、膨張黒鉛シート２を準備する工程と、膨張黒鉛シート２の上に、結晶性窒化ガリウム層３を形成する工程と、を備える。結晶性窒化ガリウム層３は、有機金属気相成長法により、膨張黒鉛シート２の上に窒化ガリウムの結晶をエピタキシャル成長させてなる。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム（ＧａＮ）の結晶成長を促進するフラックスとして機能するナトリウムを低コストで精製し供給する装置及び方法を提供する。
【解決手段】原料である固体ナトリウムｓｌを収容すると共に、液体ナトリウムｍｌについて通過自在かつ前記固体ナトリウムｓｌに不可避的に含まれるナトリウム化合物については通過を阻止して除去するろ過機能を有するろ過容器１と、固体ナトリウムｓｌが溶融し、かつ、前記ナトリウム化合物が溶融しない温度に固体ナトリウムｓｌを加熱する加熱保温部１５と、ろ過機能に基づいてろ過容器１から流れ出た液体ナトリウムｍｌを坩堝Ｂに供給する供給手段と、ろ過容器１、加熱保温部１５及び供給手段を非酸化性雰囲気に保持するチャンバ１６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】フラックス法を用いた結晶成長装置において、実用的な大きさの結晶の均一性その他の品質を確保しつつ、結晶成長装置を小型化・簡略化する。
【解決手段】結晶の原料原子を含む液体を収容する容器と、前記液体と接する液体接触面に、弾性波を進行波として伝搬させる弾性波伝搬手段と、を有する結晶成長装置を提供する。前記液体接触面として、前記容器の内面が例示できる。前記弾性波伝搬手段が、前記容器に接して配置された圧電体を有してもよく、前記圧電体に交番電界を印加することにより、前記液体接触面に前記弾性波を伝搬させることができる。前記圧電体を複数有してもよく、前記複数の圧電体のそれぞれに印加する交番電界の位相を調整することで、前記弾性波を進行波として伝搬させることができる。 （もっと読む）

【課題】 結晶基板の利用率の低下を抑制しつつ、単結晶基板の特徴を目視で判別可能な単結晶基板、及び、その単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】
主面１０を有する単結晶基板１Ａであって、主面１０には、垂直方向ｚに凹み、垂直方向ｚから視て、直線状に延びる少なくとも１つ以上の直線凹部５０が設けられ、少なくとも１つ以上の直線凹部５０に含まれる第１直線凹部５０ａの延在方向ｅ１は、単結晶基板１Ａの結晶方位ａ３と一致する。 （もっと読む）

【課題】圧電体膜等に応用することができるように、高い電気抵抗率を維持しつつ極性分布割合を容易に制御可能であって、低コストで大面積の基材上に成膜されたウルツ鉱型結晶膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材面に対して垂直方向に二つ以上の粒子が充填および堆積し、上記粒子が互いに結合してなる結合層を含む膜構造を有するウルツ鉱型結晶膜であって、上記粒子は、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素からなる元素群のうちの少なくとも一つの元素がドープされているウルツ鉱型結晶構造を有する化合物を含んでいる。ウルツ鉱型結晶膜の製造方法は、ウルツ鉱型結晶を構成する元素種およびドープする金属種を含有する化学溶液を基材上に塗布する工程を含む方法である。 （もっと読む）

【課題】無機結晶膜上に他種の膜を積層して素子化しても性能や信頼性の低下を招くことなく利用することができる膜構造を有する無機結晶膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】無機結晶膜は、基材上に形成されており、少なくとも二層構造であり、基材に接する下層は緻密層であり、膜の最上層は充填した粒子が互いに結合してなる結合層である。無機結晶膜の製造方法は、無機結晶膜となる金属種を含有する化学溶液を基材に塗布する塗布工程、塗布工程で得られた塗布膜を乾燥する乾燥工程、および、乾燥した膜を焼成する焼成工程、を備え、上記塗布工程、乾燥工程および焼成工程を１セットとして複数回繰り返す方法である。 （もっと読む）

【課題】好適な有機金属化学気相成長法による、高品質のＮ面ＧａＮ、ＩｎＮおよびＡｌＮならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法を提供する。
【解決手段】Ｎ面ＩＩＩ族窒化物膜を成長させるための方法であって、（ａ）ミラー指数結晶面に対して誤配向角を伴う成長表面を有する基板を提供すること、（ｂ）前記成長表面上または前記成長表面の上方で層を形成することであって、前記層は、前記層上で形成される１つ以上の後続の層に対するＮ極性配向を設定すること、および、（ｃ）前記層上でＮ面ＩＩＩ族窒化物膜を成長させることであって、前記Ｎ面ＩＩＩ族窒化物膜は、前記層によって設定されるＮ極性配向を有することを含む。 （もっと読む）

【課題】周期表第１３族金属窒化物半導体結晶の製造に用いられる反応容器等の部材は、繰り返し及び／又は長時間の使用によって、変質及び／又は劣化が進行することがあり、交換することが必要となるが、頻繁に新しい部材に交換することとなると製造コストの増大を招くことになる。
【解決手段】変質及び／又は劣化した部材を、色彩値（Ｌ^*値）及び／又は膨張率が特定
の範囲の数値になるように処理することによって、第１３族窒化物半導体結晶の製造に再利用できるように部材に再生することができる。 （もっと読む）

【課題】周期表第１３族金属窒化物半導体結晶の製造に使用することができる、反応容器、撹拌翼、種結晶保持棒、種結晶保持台、バッフル、ガス導入管及びバルブ等の部材を正確かつ簡便に選定する方法、並びに部材の変質及び／又は劣化に悪影響を受けない周期表第１３族金属窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】部材の体積及び／又は寸法を測定し、未使用の状態からの体積変化及び／又は寸法変化を指標として、周期表第１３族金属窒化物半導体結晶の製造に使用する部材を選択することにより、結晶成長に悪影響を与えない部材を正確かつ簡易的に選択することができる。前記部材の選択方法は、部材の膨張に関して、水素を取り込む影響が大きいため、反応系中に水素元素を含む成分が存在する製造方法に対して特に好適である。 （もっと読む）

【課題】有害性が大きいとされる鉛を実質的に含有せず、結晶特性に優れ、かつ、ファラデー回転子としたときの光透過性やファラデー回転能の劣化が見られないビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶であって、該ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶は、組成式
（ＢｉＲ）_３−ａＭ１_ａＦｅ_{５−ｂ−ｃ−ｄ}Ａｌ_ｂＰｔ_ｃＭ２_ｄＯ_１２
（Ｒ：ランタノイド金属及びＹのうちから選択される一種または二種以上の元素、
Ｍ１：Ｃａ及びＳｒから選択される一種または二種の元素、
Ｍ２：Ｇｅ及びＳｉから選択される一種または二種の元素、
０．０１＜ａ＜０．１，０．１５≦ｂ＋ｄ≦０．６，０．０１≦ｃ≦０．０４，ａ＝ｃ＋ｄ）
で表されるものであることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶。 （もっと読む）

【課題】基板の周方向における温度分布を均一にすることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１に配置されて基板７が載置されるサセプタ８と、サセプタ８を下方から加熱するヒータ９とを有する。サセプタ８は、リング状の第１のサセプタ部８ａと、第１のサセプタ部８ａに接して設けられ、第１のサセプタ部８ａの開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部８ｂとを有し、第２のサセプタ部８ｂの加熱部に対向する面は水平面から傾斜している。また、第１のサセプタ部８ａは、第２のサセプタ部８ｂの厚みに対応した周方向に異なる形状を有する。 （もっと読む）

【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材１と、基材１に中間層２、３を介して接合されたＤＬＣパターン層４ｂとで構成され、基材１が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層２、３が、基材１及びＤＬＣパターン層４ｂとの接合性を提供し、かつ、ＤＬＣパターン層４ｂに比べ、エッチングレートが小さい層であり、ＤＬＣパターン層４ｂに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】メモリー効果を抑制し、急峻な材料ガスの切替え制御が可能で、組成や不純物濃度制御に優れ、ピット密度が低く高品質な結晶成長を行うことができる気相結晶成長装置及び材料ガス噴出装置を提供する。
【解決手段】第１の材料ガス及び第２の材料ガスがそれぞれ供給され、互いに上下に分離された第１の材料ガス供給室及び第１の材料ガス供給室の上部に設けられた第２の材料ガス供給室と、第１の材料ガス供給室に隣接して第１の材料ガス供給室の下部に設けられた第１の冷却ジャケット及び第１の冷却ジャケットの下部に配された第２の冷却水ジャケットとからなる冷却器と、冷却器を貫通するとともに第１の材料ガス供給室に連通して第１の材料ガスを噴出する第１の材料ガス通気孔と、冷却器を貫通するとともに第２の材料ガス供給室に連通して第２の材料ガスを噴出する第２の材料ガス通気孔と、を有する。 （もっと読む）

【課題】板厚の薄いガーネット基板に、膜厚の薄いビスマス(以下、Ｂｉと略記する)置換希土類−鉄ガーネット膜(以下、ＲＩＧ膜と略記する)が選択された場合、得られるＲＩＧ膜表面に発生する放射状、直線状のクラックが抑制された短波長向けＲＩＧ膜の液相エピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】ＲＩＧ膜の成分を溶かしたフラックス液面に、ガーネット基板を接触させてＲＩＧ膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法であって、ガーネット基板の板厚が２００μｍ以上３５０μｍ以下、ＲＩＧ膜の膜厚が１００μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とし、特に、ガーネット基板の板厚をＴ(μｍ)、ＲＩＧ膜の膜厚をｔ(μｍ)としたとき、上記要件に加えて、下記(数１)を満たすことを特徴とする。
-２Ｔ＋７００（μｍ） ≦ ｔ ≦ -４Ｔ＋１５００（μｍ） （数１） （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板と窒化物半導体層の間の電気抵抗が低い結晶積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態において、酸素が六角格子配置された面を主面とするＧａ_２Ｏ_３基板２上に、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶を温度Ｔ１で成長させてバッファ層３を形成する工程と、バッファ層３上にＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶を成長させて窒化物半導体層４を形成する工程と、を含む結晶積層構造体１の製造方法を提供する。この製造方法は、バッファ層３を形成するより前に、温度Ｔ１よりも高い温度でＧａ_２Ｏ_３基板２の表面を窒化する工程を含まない。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板と窒化物半導体層の間の電気抵抗が低い結晶積層構造体及びその製造方法、並びにその結晶積層構造体を含む低電圧駆動の半導体素子を提供する。
【解決手段】一実施の形態においては、Ｇａ_２Ｏ_３基板２と、Ｇａ_２Ｏ_３基板２上のＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなるバッファ層３と、バッファ層３上の、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる窒化物半導体層４と、を含み、Ｇａ_２Ｏ_３基板２の表面の窒化物半導体層４の直下の領域をバッファ層３が被覆する割合が１０％以上、１００％未満であり、窒化物半導体層４の一部がＧａ_２Ｏ_３基板２の表面に接触する、結晶積層構造体１を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化ガリウム膜製造方法に関し、より詳細には、成長する窒化ガリウム膜内の欠陥を減らすことができる窒化ガリウム膜製造方法に関する。
【解決手段】このために、本発明は、基板上に、外周面に周方向溝を有する窒化ガリウムナノロッド（ＧａＮ ｎａｎｏ ｒｏｄ）を成長させる窒化ガリウムナノロッド成長ステップ；及び、前記窒化ガリウムナノロッド上に窒化ガリウム膜を成長させる窒化ガリウム膜成長ステップ；を含むことを特徴とする窒化ガリウム膜製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数のＡｌＮタイル基板を用いて主表面におけるピットの発生が少ない大型のＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、平面充填ができる三角形および凸四角形のいずれかの形状である主表面１０ｍを有するＡｌＮタイル基板１０を複数準備する工程と、ＡｌＮタイル基板１０の頂点部が互いに向かい合う任意の点において互いに向かい合う頂点部の数が３以下であるように、複数のＡｌＮタイル基板１０を平面充填させて配置する工程と、配置された複数のＡｌＮタイル基板１０の主表面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）