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Fターム[4G077AB01]の内容

結晶、結晶のための後処理 (61,211) | 結晶自体の特徴 (2,433) | 不純物濃度、キャリア濃度、転位濃度の特定 (795)

Fターム[4G077AB01]に分類される特許

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【課題】特性の均一性に優れた炭化珪素インゴットおよび当該炭化珪素インゴットをスライスすることより得られる炭化珪素基板、ならびにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素インゴットの製造方法は、(0001)面に対してオフ角が1°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板1を準備する工程と、ベース基板1の表面4上に炭化珪素層を成長させる工程とを備える。炭化珪素層を成長させる工程では、炭化珪素層の成長方向側から見たときの幅方向における温度勾配を10℃/cm以下とする。このようにすれば、得られた炭化珪素インゴットはその成長最表面9について中央部を含むほぼ全面がファセット面5になっているため、外周端部のみを研削することで全面がファセット面5となった炭化珪素インゴットを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】非極性面及び/又は半極性面を主面とする下地基板上でのエピタキシャル成長によって得られる周期表第13族金属窒化物半導体結晶において、吸光係数が小さく、デバイスに好適に用いることができ、さらに結晶内のドーパント濃度が制御された高品質な半導体結晶を提供すること、並びにかかる半導体結晶を製造することができる製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
不純物に起因した酸素ドーピングを抑制し、O濃度よりもSi濃度を高めることによって、ドーパント濃度の精密な制御がなされていて、さらに吸光係数が小さくデバイスに好適な高品質な周期表第13族金属窒化物半導体結晶を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】中空欠陥や介在物の少ないSiC単結晶及びその製造方法、このようなSiC単結晶から製造されるSiCウェハ及び半導体デバイス、並びに、中空欠陥や介在物の少ないSiC単結晶の製造に適したSiC単結晶製造用原料を提供すること。
【解決手段】{0001}面に略垂直な面を成長面とする種結晶を用いて、前記成長面上にSiCを成長させることにより得られる単結晶からなり、前記単結晶の成長方向に略平行に伸びる中空欠陥の密度が600個/cm2以下であるSiC単結晶、並びに、これを用いたSiCウェハ及び半導体デバイス。このようなSiC単結晶は、SiC粉末の質量の2%以上を予備昇華させることにより得られるSiC単結晶製造用原料を用いて、a面成長基板上に単結晶を成長させることにより得られる。 (もっと読む)


【課題】大口径化しても、スリップの発生を抑制できるGaAsウェハ及びその製造方法
を提供する。
【解決手段】LEC法によりGaAs単結晶を成長する成長工程と、成長工程で得られた
GaAs単結晶をスライスしてGaAsウェハを作製するウェハ作製工程とを有するGa
Asウェハの製造方法において、成長工程では、成長工程で得られるGaAs単結晶中の
硫黄原子濃度が一様に2×1014cm−3以上となるように、原料中に硫黄を添加する
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【課題】アモノサーマル法で成長させたアズグロウン状態の窒化物単結晶の結晶品質をそのままの状態で評価できるようにすること。
【解決手段】反応容器内で成長温度を500℃以上にして窒化物単結晶を成長させた後に、成長温度から降温しながら窒化物単結晶に対して表面処理を施し、表面処理が施された窒化物単結晶の表面を評価する。 (もっと読む)


【課題】熱処理時におけるスリップ転位の発生を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもCOPやBMD等の欠陥を低減させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】CZ法によりV/G値制御してV−リッチ領域からなる酸素濃度が0.8×1018atoms/cm(old−ASTM)以下であるシリコン単結晶インゴットを育成し、前記育成されたシリコン単結晶インゴットを切断したV−リッチ領域からなる円板状のシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、1150℃以上1200℃以下の最高到達温度で5分以上2時間以下保持する第1の熱処理を行い、続いて、非酸化性ガス雰囲気中、1100℃以上1200℃以下の最高到達温度で30分以上2時間以下保持する第2の熱処理を行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】LED用の基板として用いられるSi添加GaP単結晶をLEC法により製造するに際して、得られる単結晶の結晶成長軸方向におけるキャリア濃度の変化を低減させる。
【解決手段】Si添加GaP単結晶を製造する方法において、Si添加GaP単結晶の引き上げ速度を、Si添加GaP単結晶の固化率が0.15〜0.3の範囲で切り換えると共に、切換前の平均引き上げ速度が、5mm/hr〜12mm/hrの範囲となり、かつ、切換後の平均引き上げ速度が、前記切換前の平均引き上げ速度に対して0.2〜0.9の範囲となるように、前記引き上げ速度を制御する。好ましくは、B23の水分量を200ppm以下とする。 (もっと読む)


【課題】特性の均一性に優れた炭化珪素基板、炭化珪素インゴットおよびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素インゴットの製造方法は、(0001)面に対してオフ角が10°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板1を準備する工程と、ベース基板1の表面上に炭化珪素層を成長させる工程とを備える。炭化珪素層を成長させる工程では、炭化珪素層の成長方向側から見たときの幅方向における温度勾配を20℃/cm以上とする。このようにすれば、得られた炭化珪素インゴットはその成長最表面9について中央部を含むほぼ全面がファセット面5になっているため、外周端部のみを研削することで全面がファセット面5となった炭化珪素インゴットを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】Ga基板上の窒化物半導体層の上面の転位密度が低い結晶積層構造体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態において、Ga基板2と、Ga基板2上のAlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなるバッファ層3と、バッファ層3上の、酸素を不純物として含むAlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなる窒化物半導体層4と、を含む結晶積層構造体1を提供する。窒化物半導体層4のGa基板2側の200nm以上の厚さの領域4aの酸素濃度は、1.0×1018/cm以上である。 (もっと読む)


【課題】比抵抗のばらつきが小さいn型シリコン単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】n型シリコン単結晶の製造方法は次の工程を有する。主ドーパントしてのリンと、p型不純物であって、リンよりも偏析係数が小さい第1の副ドーパントと、n型不純物であって、リンよりも偏析係数が小さい第2の副ドーパントとが添加されたシリコン融液が準備される工程S1、シリコン融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶が成長される工程S2、および、直胴部を所定の長さまで成長させた後、ルツボを降下させることによってシリコン融液からシリコン単結晶を切断する工程S3からなる。 (もっと読む)


【課題】OSF領域の位置や広さを指標とすることなく引き上げ速度の制御方向を判断することによって、後続の引き上げの速度プロファイルをフィードバック調整する。
【解決手段】CZ法によってCOP及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ40を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ40に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。顕在化した突起発生領域46に基づいて、後続の育成工程における育成条件を、エッチング工程にて突起が発生する領域の面積がシリコンウェーハの面積の1%以上5%以下となるように調整する。 (もっと読む)


【課題】大型で良質なIII族窒化物半導体結晶を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】V族原料およびIII族原料の存在下でC面以外を主面とするIII族窒化物シード1上にIII族窒化物半導体結晶層3を成長させる際に、成長温度を1020℃未満にして行う低温成長工程2を実施する。 (もっと読む)


【課題】フッ化物結晶母材とは異なる形状を有して光学特性に優れたフッ化物結晶成形体を提供する。
【解決手段】フッ化物結晶成形体からなる光学部材は、172nmの波長における厚さ10mmあたりの光透過率が90%以上であり、少なくとも一方向の断面の面積が350×350mm以上である。また、146nmの波長における厚さ10mmあたりの光透過率が85%以上である。さらに、126nmの波長における厚さ10mmあたりの光透過率が65%以上である。 (もっと読む)


【課題】デバイスプロセスにおいて、電気特性を阻害しないシリコン単結晶ウエーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により石英ルツボ12b中のシリコン融液から引き上げられ、炭素がドープされたシリコン単結晶から製造されたシリコン単結晶ウエーハであって、炭素濃度の面内分布の最大値(Cmax)と最小値(Cmin)の比(Cmax/Cmin)が1.00以上1.07以下であり、炭素濃度が1×1016atoms/cm以上5×1016atoms/cm以下の範囲内のものである。 (もっと読む)


【課題】アモノサーマル法で結晶成長した場合であっても、低抵抗で移動度が高い窒化物単結晶を簡便な方法で製造できるようにすること。
【解決手段】超臨界状態及び/又は亜臨界状態の窒素を含有する溶媒の存在下で結晶成長した窒化物単結晶を750℃以上で5.5時間以上アニール処理する。 (もっと読む)


【課題】従来の蛍石に比べてレーザ耐久性がより一層優れた蛍石を提供する。
【解決手段】蛍石の(111)面をエッチングして得られるエッチピットの分布において、各エッチピットを母点としてVoronoi図を定義したとき(Voronoi分割)のVoronoi領域の面積(「Voronoi面積」と記す)の標準偏差が6000μm以下であるか、或いは、(111)面のエッチピットの分布をDelaunay分割した図形におけるDelaunay辺の距離の標準偏差が80μm以下である。 (もっと読む)


【課題】CZ法により育成したウェーハのバルク部の直径方向におけるBMD密度、BMDサイズの面内均一性を高めることができ、ウェーハの表層部のCOPを低減することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】CZ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、1325℃以上1400℃以下の範囲内の第1の最高到達温度まで昇温して第1の最高到達温度を保持した後、50℃/秒以上250℃/秒以下の降温速度で降温する第1の熱処理を行う工程と、第1の熱処理を行ったシリコンウェーハを、非酸化性ガス雰囲気中、700℃以上900℃以下の範囲内の第2の最高到達温度まで昇温して保持した後、非酸化性ガス雰囲気中、第2の最高到達温度から1100℃以上1250℃以下の範囲内の第3の最高到達温度まで昇温して第3の最高到達温度を保持した後、降温する。 (もっと読む)


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