【課題】単結晶銀ナノワイヤを利用した光学ナノアンテナ及びその製造方法、単結晶金属ナノワイヤを利用した光学ナノアンテナを提供すること。
【解決手段】光学ナノアンテナは、単結晶銀ナノワイヤを含む。前記単結晶銀ナノワイヤは可視光線領域の全波長帯域の入射光に基づいて複数のローブが前記単結晶銀ナノワイヤを中心に放射状に配置されるマルチローブ形態の放射パターンを含む光学アンテナ放射パターンを出力することによって、可視光線領域内の全波長範囲で作動することができ、多重共鳴及び広いスペクトル範囲を有することができる。 （もっと読む）

【課題】亜鉛が有する物性を生かした用途への適用可能な、純亜鉛を多く含んだ亜鉛柱状構造体を提供することを課題とする。本発明により、従来存在する酸化亜鉛の微細構造体の用途とは異なった適用可能性が広がる。具体的には、超伝導体への応用、高感度熱電素子展開、半導体前駆体としてのエレクトロニクス、光エレクトロニクス、フォトニクスへの用途が考えられる。
【解決手段】平均長さが５μｍ以上、３００μｍ以下であり、アスペクト比が５以上、３００以下である亜鉛柱状構造体であって、亜鉛柱状構造体における純亜鉛の含有量が１０重量％以上、１００重量％以下である亜鉛柱状構造体。 （もっと読む）

【課題】超低圧の酸素分圧の精製ガスを提供し得る酸素分圧制御装置、また、従来可能な低酸素分圧を得る上で製造コストを低廉化し得る酸素分圧制御装置を提供する。
【解決手段】酸素分圧を制御したガスを精製するガス精製部１と、処理装置Ｆにガス精製部１から精製ガスを供給して該ガス精製部に環流させるための循環路４と、該循環路中に設けられた循環用ポンプ５とを備え、ガス精製部１は、酸素ポンプ２１と水素ポンプ３１とを備え、循環路４が、ガス精製部１及び循環用ポンプ５を経る共通流路４１と、該共通流路から、処理装置Ｆを経る流路を形成する作動流路４２と、該共通流路から、処理装置Ｆを経ない循環のための流路を形成するバイパス流路４３とを備えていることを特徴とする酸素分圧制御装置。 （もっと読む）

【課題】基板上に単結晶材料の層を成長させる方法を提供する。
【解決手段】第１単結晶材料から形成された露出領域を有する基板を、プロセスチャンバ中に配置する工程と、拡散制限ガスの存在下で、基板に向かって、第２材料の中性種のビームを供給し、プロセスチャンバ中の圧力を１×１０^−６ｔｏｒｒから１×１０^−４ｔｏｒｒの間にし、第２材料の中性種を露出領域上に吸着され、これにより第１単結晶材料の上にこれと接触して第２材料の単結晶層を成長させる工程とを含み、拡散制限ガスは、非反応性ガスからなる。 （もっと読む）

本発明は、有機不純物又は有機膜を実質的に含まない表面を有する新規の金ナノ結晶及びナノ結晶形状分布に関する。具体的には、これらの表面は、溶液中の金イオンから金ナノ粒子を成長させるために有機還元剤及び／又は界面活性剤を必要とする化学的還元プロセスを用いて形成された金ナノ粒子の表面と比較して「クリーン」である。本発明は、金系ナノ結晶を製造するための新規の電気化学的製造装置及び技術を含む。本発明はさらにその医薬組成物を含み、また、金ナノ結晶又はその懸濁液又はコロイドを、対応する金療法がすでに知られている疾患又は状態の治療又は予防のために使用すること、そしてより一般的に言えば、病理学的細胞活性から生じる状態、例えば炎症（慢性炎症を含む）状態、自己免疫状態、過敏反応及び／又は癌疾患又は状態のために使用することを含む。１実施態様の場合、この状態はＭＩＦ（マクロファージ遊走阻止因子）によって媒介される。
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【課題】高結晶性、高純度で制御された形状を有し、基板と一定の方向を有する単結晶貴金属ナノワイヤの製造方法の提供。
【解決手段】ハロゲン化貴金属である前駆物質を反応炉の前端部に位置させて、前駆物質の温度を制御し、単結晶基板を反応炉の後端に位置させ、一定な圧力下で、前記反応炉の前端部から前記反応炉の後端部に不活性気体が流れる条件で、前記単結晶基板上に前記単結晶基板とエピタキシャル関係を有するツインフリー単結晶体の貴金属ナノワイヤを製造する。 （もっと読む）

【課題】集積回路において利用される銅または他の導電性材料の薄膜において、広い領域にわたって粒子の同一の結晶方位を維持するための結晶化法を提供する。
【解決手段】基板３上に少なくとも部分的に結晶材料を薄膜４状に堆積する段階と、前記堆積材料に存在する内部歪みが緩和される時間の間に、第１の温度まで前記基板３及び前記基板３上に堆積された材料を加熱する段階と、その後で、曲げベンチ２上に前記基板３を置くことにより、前記基板３及び前記堆積材料を第２の温度及び均一な曲げにさらす段階と、よりなり、曲げの量及び前記第１及び第２の温度の間の差は、前記基板３に垂直な方向に対して方位角方向に沿って堆積された材料の特定の結晶方位に有利に働くように弾性曲げ定数（Ｃｉｊ）、熱変形（ｘ）及び熱膨張係数を利用する関係から決定される値を有している結晶化方法。 （もっと読む）

材料の溶融物を冷却し、溶融物内に材料の固体のシートを形成する。シートは移送され、切断されて少なくとも１つのセグメントになり、セグメントは冷却室で冷却される。その材料はシリコン、シリコンゲルマニウム、ガリウム、および窒化ガリウムを用いることができる。冷却室はシートの応力または歪みを防止するよう構成される。一例を挙げると、冷却はガス冷却で行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、貴金属酸化物、貴金属またはハロゲン化貴金属を前駆物質として用いて単結晶基板の表面に対して方向性を有する貴金属ナノワイヤ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】反応炉の前端部に配置した前駆物質と、反応炉の後端部に配置した半導体または不導体単結晶基板を、不活性ガスが流れる雰囲気下で熱処理して前記単結晶基板の表面に垂直または水平に成長する貴金属単結晶ナノワイヤ及びその製造方法。本発明は、触媒を使用しない気相輸送法を利用して貴金属ナノワイヤを製造することができ、その工程が簡単でかつ再現性があり、大量生産に適するメリットがある。製造されたナノワイヤは、欠陥や不純物を包含しない完璧な単結晶状態の高純度かつ高品質の貴金属ナノワイヤである。貴金属ナノワイヤは、単結晶基板の表面に対して特定の方向性を有し、その方向性及び配列を制御することができる。 （もっと読む）

シートを形成する方法および装置が開示される。融液を冷却して、融液上にシートを形成する。このシートは第１の厚みを有する。シートはその後、第１の厚みから第２の厚みに、例えばヒータまたは融液を利用して、厚みを低減させられる。冷却は、シートにおける一定の領域に溶質を捕捉するよう構成されてよく、この特定のシートの厚みを低減させて溶質を取り除く。溶質は例えば、シリコン、シリコンとゲルマニウムとの組み合わせ、ガリウム、および窒化ガリウムであってよい。 （もっと読む）

【課題】寸法の大きい金属の単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂硬化層の上に配置されたタンニン層の表面に、前記金属を含む塩の溶液を接触させ、前記タンニン層の表面に前記金属の単結晶を析出させる工程を含む、金属の単結晶を製造する方法。前記金属としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、ＮｉおよびＣｕからなる群から選択される１以上が好ましい。また、前記エポキシ樹脂硬化層が、エポキシ樹脂と硬化剤とを混合し、加熱して得られた層であるのが好ましい。 （もっと読む）

溶融液を精製するための装置が開示される。チャンバ内の溶融液の第一の部分は、第一の方向で凝固する。第一の部分の一部は、第一の方向で溶融する。該溶融液の第二の部分は、凝固されたままである。溶融液はチャンバから流れ、該第二の部分はチャンバから除去される。凝固は、溶融液及び第二の部分の溶質を濃縮させる。第二の部分は、高溶質濃度を有するスラグとすることができる。このシステムは、他の部品、例えばポンプ、フィルタ又は粒子トラップを有するシート形成装置に組み込まれることができる。 （もっと読む）

【課題】極めて安価な部材を追加するだけで低コストに、基板上に形成する薄膜の膜厚の均一性を向上させることができ、しかも有機材料の蒸着のためだけでなく高温工程が必要な無機材料の蒸着のためにも使用できる分子線源セルを提供する。
【解決手段】被蒸着基板に対向する開口部１ａを有する坩堝１と、坩堝１内に充填される分子線材料を加熱し蒸発させて開口部１ａから分子線を放出させるためのヒータとを備えており、坩堝１の開口部１ａにはキャップ２が配置されており、キャップ２は、その全体が開口部１ａの中心軸Ａ方向に約６ｍｍ以上の厚みを有するように形成されており、且つ、その内部には、キャップの底部２ｃの略中心から坩堝１の開口部１ａの外周又はその近傍へ延びる複数の絞り穴２ａであって、開口部１ａの中心軸Ａに対して約１５〜６０度の範囲内で傾斜する複数の絞り穴２ａが、略放射状に形成されている。 （もっと読む）

本発明は、貴金属酸化物、貴金属物質またはハロゲン化貴金属を前駆物質として利用した貴金属ナノワイヤの製造方法及び貴金属ナノワイヤを提供して、詳細には、反応炉の前端部に位置させた前駆物質と、反応炉の後端部に位置させた半導体または不導体単結晶基板とを、不活性気体が流れる雰囲気で熱処理し、前記単結晶基板上に貴金属単結晶ナノワイヤを形成する製造方法、及び本発明の製造方法により製造された貴金属ナノワイヤを提供する。本発明の製造方法は、触媒を使用しない気相移送法を利用して貴金属ナノワイヤを製造することができ、その工程が簡単で且つ再現性があって、製造されたナノワイヤが、欠陥及び不純物を含まない完璧な単結晶状態の高純度・高品質貴金属ナノワイヤである長所があり、単結晶基板上に凝集されていない均一な大きさの貴金属ナノワイヤを大量生産できる長所があって、貴金属ナノワイヤが単結晶基板表面と方向性を有し、その方向性及び配列が制御可能な長所がある。 （もっと読む）

【課題】先端を原子レベルにまで先鋭化した棒状の単結晶を得る。
【解決手段】単結晶タングステンエミッターを例にすると、はじめは高温（Ｔ_r＝２３００°Ｋ）下で処理電圧Ｖ_rを徐々に上げていくと段階（Ｄ）の直後にフィールドエミッション電圧Ｖ_extが急激に低下するとともに、＜１１１＞頂点が（１１０）面で囲まれた状態になる。ここで電圧を保ったまま処理温度を徐々に下げ、Ｔ_r＝１７００°Ｋとする。その後、温度Ｔ_rを１７００°Ｋという低温に保ったままリモルディング法による熱電界処理を続け、ＦＥパターンが先端数原子からの電子放出を示した時点で処理を停止する。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性が良好で、しかも光透過性に優れかつ高度な平滑性や配向性を有する薄膜電極を、安価な製造装置を使用して簡単な工程で、低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】天然マイカのへき開面のような、へき開性を有する単結晶状態の（１００）配向面に導電性薄膜を形成した後に、該導電性薄膜を高分子接着剤層を介して基板に接合し、前記（１００）配向面を剥離することにより薄膜電極を製造する。導電性薄膜は、金属又は金属酸化物、特に貴金属又は貴金属酸化物により構成することが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、圧縮応力を用いたナノワイヤ製造方法に関し、より詳細には、蒸着された薄膜を熱処理時引き起こされる圧縮応力を用いて、単結晶ナノワイヤを製造する方法に関する。このため、基板を提供するステップと、該基板の上に該基板との熱膨張係数の差が２ｘ１０^−６／℃以上の物質の薄膜を設けるステップと、該薄膜の設けられた基板を熱処理して該膜に該基板との熱膨張係数の差による引張応力を引き起こすステップと、該基板を冷却させることによって該膜に圧縮応力が引き起こされ、該物質の単結晶ナノワイヤが成長するようにするステップとを含む、圧縮応力を用いたナノワイヤ製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】薄板の単位時間当たりの製造量を維持し、不活性ガスの使用量の削減と、真空排気系および搬送系の簡素化を実現できる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】薄板製造装置１０００は、浸漬機構１１００と、下地板交換機構１００３と、薄板分離機構１２００と、主室１０１０とを備えている。浸漬機構１１００は、融液１００２に下地板Ｓの表面を浸漬し、下地板Ｓの表面に融液１００２が凝固することにより薄板Ｐを形成する。下地板交換機構１００３は、表面上に薄板Ｐが付着された下地板Ｓを浸漬機構１１００から取り外す。薄板分離機構１２００は、薄板Ｐを浸漬機構１１００から取り外された下地板Ｓから分離する。主室１０１０は、浸漬機構１１００と下地板交換機構１００３と薄板分離機構１２００とが内部に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ハフニウム系材料は、絶縁ゲート材料など先端電子材料として用いられることが見込まれているが、特に化学的性質の類似したジルコニウムの分離が困難であるため、電子材料用途に適した高純度ハフニウム材料は従来得ることができなかった。
【解決手段】本発明は、ＴＢＰ溶媒を用いた溶媒抽出法をベースとした方法によって、ジルコニウムおよびその他不純物元素が１重量ｐｐｍ以下の高純度ハフニウム材料およびその製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 公知の金属薄膜と比較して、より優れた物性を付与しうる金属膜を提供する。
【解決手段】シリコン、酸化シリコン、酸化ベリリウム、酸化アルミニウムのいずれかよりなる基板上に形成されたＴａ膜、Ｗ膜、Ｃｒ膜、Ｍｏ膜のいずれかである金属膜であって、該金属膜は立方晶系の結晶構造を有し、該金属膜は面内方向において１０μｍ以上の範囲にわたって周期的な規則性を示す結晶方位を有し、該結晶方位は、｛１００｝面、｛１１０｝面、｛１１１｝面という各結晶面が現れるように、特定の結晶軸方向を回転軸として徐々に回転する。 （もっと読む）