【課題】グラフェンリボンの幅を揃えることを可能にすると共に、幅の揃ったグラフェンリボンを基板全面に備えることが出来る、グラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板の製造方法、及び、グラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板を提供する。
【解決手段】単結晶絶縁性基板を用意し、基板表面にグラフェンを固定し、コア粒子を内包するタンパク質の外径をピッチとして、コア粒子を内包するタンパク質を等間隔にグラフェン上に配置し、タンパク質を除去してコア粒子をグラフェン上に配置し、コア粒子によりグラフェンを切断して、グラフェンリボンを形成する。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】圧延平行方向及び圧延直角方向の６０度光沢度が共に５００％以上であり、水素を２０体積％以上含有し残部アルゴンの雰囲気中で１０００℃で１時間加熱後の平均結晶粒径が２００μｍ以上であるグラフェン製造用銅箔である。 （もっと読む）

【課題】単結晶ダイヤモンド基板上にグラフェンを積層又はグラフェンナノリボンを形成する方法及びそれにより得られたグラフェン・ダイヤモンド積層体の提供を目的とする。
【解決手段】ダイヤモンド基板上にグラフェンを積層した、又はダイヤモンド基板上にグラフェンのナノリボン膜を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平坦性、結晶性および配向性に優れ、厚さ方向の熱伝導率が高く放熱性に優れたエピタキシャル成長用基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭素基板の少なくとも一方の主表面に、算術平均表面粗さＲａが０．０５μｍ以下で、表面粗さの最大値Ｒｙが０．５μｍ以下であり、Ｘ線回折法による（０００２）面のロッキングカーブの半値幅が１．５度以下であり、ラマンスペクトルにおけるＧバンドのピーク強度に対するＤバンドのピーク強度の比が０．０１以下である高結晶グラファイト層を形成してなることを特徴とするエピタキシャル成長用基板である。 （もっと読む）

【課題】複雑な形態に基づく大きな表面積を維持しつつ、分散や高密度充填に有利な形態のフラーレンを提供する。
【解決手段】複数のウィスカー状構造が放射状に伸びた構造、あるいは、複数のウィスカー状構造が放射状に伸び、該ウィスカー状構造がさらに分枝してフラクタル的構造を形成したフラーレン結晶である。このようなフラーレン結晶は、フラーレンを第１の溶媒に溶解した溶液に、前記第１の溶媒よりもフラーレンを溶解する能力が低く、かつ、前記第１の溶媒よりも沸点が高い第２の溶媒を、フラーレンが析出しない範囲で添加し、得られた溶液から前記第１の溶媒および前記第２の溶媒を蒸発させて結晶を析出させることで得られる。 （もっと読む）

【課題】大規模、均一かつ高品質のグラフェン膜およびその作成方法を提供する。
【解決手段】結晶質基板１００上に触媒薄膜１０１を形成し、この触媒薄膜を加熱処理して高秩序で選択的に配向した結晶質触媒薄膜を形成し、ガス状炭素源を加熱し触媒薄膜を冷却することで、触媒薄膜上にグラフェン膜１０２が形成される。前記触媒薄膜の触媒材料はＮｉ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ及びＲｅからなる群から選択された１つまたは複数の元素を含み、厚さは約１ｎｍから約２ｍｍの範囲である。 （もっと読む）

本発明は、基板（８２）上の半導体性の修飾されたグラフェン層（８３）を含む修飾された構造（８０１）を製造する方法に関し、
− 少なくとも１つの基板（８１）を含む初期構造体（８００）の供給、
− 前記基板上のグラフェン層（８２）の形成、
− 原子状水素（８５）の照射による初期構造体（８００）の水素化のステップを含み、
前記グラフェンの水前記素化ステップは、１００から４０００Ｌａｎｇｍｕｉｒｓの間の照射量で行われ、修飾されたグラフェン層を形成することに特徴づけられる。 （もっと読む）

指向性の高い熱伝導性を有するグラファイト製品を提供する。中間相ピッチ（１２）の中間相部分（１４）が互いに並んで、安定化される延伸中間相ピッチを生成する。必要によっては、前記グラファイト製品をさらに炭化および黒鉛化できる。
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【課題】ＣＶＤ法を用いたカーボンナノチューブの製造工程において、成長基板における温度分布の不均一性を改善する技術を提供する。
【解決手段】流体を流すための多孔質流路層１５と、多孔質流路層１５を狭持し、水素を選択的に透過する第１と第２の電極層１１，１２とを備える成長用基板１０を準備する。成長用基板１０の第１の電極層１１側の外表面に、カーボンナノチューブの生成を促進させるための触媒金属２０を担持させる。第１の電極層１１には、原料ガスを供給してカーボンナノチューブを成長させるとともに、多孔質流路層１５にプロトン伝導性を有するイオン性液体を流しつつ、第１と第２の電極層１１，１２の間に、第１の電極層１１側を陽極として電圧を印加する。これによって、第１の電極層１１側における副産物である水素を第２の電極層１２側へと移動させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶ナノ構造を基板の上に成長させる方法を提供する。
【解決手段】基板１の主表面上にパターン２を最初に形成する工程であって、パターン２は基板１の表面まで延びた開口部を有する工程と、パターン２の開口部中の、露出した主表面の上に、金属３を供給する工程と、開口部をアモルファス材料４で、少なくとも部分的に埋める工程と、アモルファス材料４と金属化合物３とを、３００℃と１０００℃の間の温度でアニールし、金属媒介結晶化により、アモルファス材料４を単結晶材料５に変える工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上の触媒膜が気中放置されても酸化されない基板ユニットを提供する。
【解決手段】本基板ユニット１は、基板３と、この基板３上に成膜されていて熱アニール温度で微粒子化する触媒膜５と、この触媒膜５の表面を覆って上記触媒膜５を保護するもので熱分解温度が熱アニール温度未満の触媒保護膜７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】グラフェンシートを低コスト・大面積で、かつ再現性があるように製造できる方法を提供する。
【解決手段】単結晶のグラファイト化金属触媒２１０をシート状に形成する工程と、前記単結晶のグラファイト化金属触媒２１０の表面に炭素系物質含有を塗布するか、あるいは、前記単結晶のグラファイト化金属触媒と炭素含有ガスとを接触させることにより、前記グラファイト化金属触媒に炭素系物質２２０を接触させる工程と、前記炭素系物質２２０と接触させた前記グラファイト化金属触媒２１０を不活性雰囲気または還元性雰囲気下で熱処理する工程と、を含む単結晶グラフェンシート２４０の製造方法により、複数の炭素原子が互いに共有結合してなる多環式芳香族分子からなり、層数が１〜３００層で、ラマンスペクトルの測定時にＤバンドのピーク強度／Ｇバンドのピーク強度の比（Ｄ／Ｇ）が０．２以下である単結晶グラフェンシート２４０が得られる。 （もっと読む）

【課題】電気を流すことができる。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４と、を有する配線構造１０により、基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４とにより、筒状炭素構造体１４が金属性を示す。 （もっと読む）

【課題】 限られた数のＣＮＴを基板上に垂直成長させる試みはこれまでにも多数報告されているが、成長方向にバラツキが出る、ＣＮＴの成長数の制御が困難である、あるいは方法が複雑である等の問題点を抱えている。そこで、本発明の目的は、実用的観点において有効なＣＮＴの限定成長方法を提供することにある。
【解決手段】針状基板に触媒用金属を蒸着する触媒薄膜層形成のための第１工程と、該触媒薄膜層上に、非触媒用金属を蒸着し触媒被覆層を形成する第２工程と、前記２層が蒸着された針状基板の先端部をエッチング法により触媒被覆層を除去し触媒薄膜層を露出させる第３工程と露出触媒薄膜を微粒子化する第４工程とで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フラーレンナノウィスカーを、従来より、大幅に、短時間での連続製造し、また従来困難であった、均一性、フラーレンナノウィスカーの本数、長さの制御を実現する。
【解決手段】炭素フラーレン類を飽和に溶解させた第１溶媒を含む溶液と、前記第１溶媒よりフラーレンの溶解度が低い第２溶媒で、少なくとも２以上の界面を作り、それぞれの界面において２層分離状態を形成してフラーレンナノウィスカーを析出する。さらに、炭素フラーレン類を飽和に溶解させた第１溶媒を含む溶液と、前記第１溶媒よりフラーレンの溶解度が低い第２溶媒との界面を、該第１溶媒を含む溶液の両端において形成する。 （もっと読む）

電子デバイスは、物質の主表面に単結晶領域を含む物質を含む。単結晶領域は、グラフェンと実質的に格子整合している六方晶格子を有し、グラフェンの少なくとも１つのエピタキシャル層がこの単結晶領域に配置される。現在好ましい実施形態では、単結晶領域は多層の六方晶ＢＮを含む。このような電子デバイスの作製方法は、物質の主表面に単結晶領域を含む物質を提供し、単結晶領域は、グラフェンと実質的に格子整合している六方晶格子を有するステップ（ａ）と、この領域に少なくとも１つのグラフェン層をエピタキシャル形成するステップ（ｂ）を含む。現在好ましい実施形態では、ステップ（ａ）は、グラファイトの単結晶基板を提供するステップ（ａ１）と、基板に多層の単結晶六方晶ＢＮをエピタキシャル形成するステップ（ａ２）とをさらに含む。六方晶ＢＮ層はグラフェンと実質的に格子整合した表面領域を有し、ステップ（ｂ）は六方晶ＢＮ層の表面領域に少なくとも１つのグラフェン層をエピタキシャル形成するステップを含む。ＦＥＴへの応用が説明されている。
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【課題】
非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ない高品質のダイヤモンド薄膜、その製造方法、これを用いたダイヤモンドの表面処理方法、緩衝層形成方法を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド基板上に、炭素源ガスと重水素を含む混合ガスによる化学気相堆積法によるダイヤモンド薄膜であって、非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ないダイヤモンド薄膜。
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【課題】直進性および配列性に優れたナノワイヤの製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）多孔性テンプレートを準備する段階；（ｂ）前記多孔性テンプレートを金属触媒層が形成された基板上に配置する段階；および（ｃ）ＳＬＳ法またはＶＬＳ法によって前記多孔性テンプレート内の気孔に沿ってナノワイヤを形成する段階；を含む、ナノワイヤの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】鋳型構造を用いずに金属ナノワイヤを成長させ、外部環境検出ナノワイヤセンサおよび外部環境ナノワイヤセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】外部環境ナノワイヤセンサおよびその製造方法を提供する。上記方法は、シリコンなどの基板１０２から第１の複数のナノワイヤ１０８を成長させ、インシュレータ層１２０を第１の複数のナノワイヤ１０８上に堆積させ、エッチングによって第１の複数のナノワイヤの先端部１１６を露出させ、電極の端部１１４が第１の複数のナノワイヤの先端部１１６の上にまたがるようにパターン化された金属の電極１１２を形成し、エッチングによって電極の端部１１４の下にある第１の複数のナノワイヤ１０８を露出させる方法である。また、上記方法では成長プロモーション層が基板の上に形成される構成としてもよい。上記構成物は、選択的に形成された成長プロモーション層から成長し、露出されたナノワイヤを含む。 （もっと読む）

【課題】ナノカーボン材料を強固に固着できるナノカーボン材料積層用基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド膜３上にナノカーボン材料を合成することによって、ダイヤモンド膜３とナノカーボン材料の結合部分の炭素が、ナノカーボン材料のｓｐ２混成軌道とダイヤモンド膜のｓｐ３混成軌道とが混合した混成軌道を形成し、ナノカーボン材料とダイヤモンド膜とが強固に結合する。ナノカーボン材料のダングリングボンドとダイヤモンド膜のダングリングボンドとが共有結合を形成することによっても強固に結合する。 （もっと読む）