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Fターム[4G077BA03]の内容

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Fターム[4G077BA03]に分類される特許

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【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材1と、基材1に中間層2、3を介して接合されたDLCパターン層4bとで構成され、基材1が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層2、3が、基材1及びDLCパターン層4bとの接合性を提供し、かつ、DLCパターン層4bに比べ、エッチングレートが小さい層であり、DLCパターン層4bに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 (もっと読む)


【課題】不純物濃度の均一性および結晶性に優れたn型ダイヤモンド半導体層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、(100)面から<011>±10度方向に10度以上40度以下の範囲で傾斜する面を備えるダイヤモンド基板と、上記面上に形成され、リン(P)を含有するn型ダイヤモンド半導体層と、を備える。実施の形態の半導体装置の製造方法は、(100)面から<011>±10度方向に10度以上40度以下の範囲で傾斜する面を備えるダイヤモンド基板を準備し、上記面上に、エピタキシャル成長により、リン(P)を含有するn型ダイヤモンド半導体層を形成する。 (もっと読む)


【課題】単結晶ダイヤモンドと多結晶ダイヤモンドの双方の利点を活かしながら、更に板状の構造を可能にするために、多結晶ダイヤモンドの研磨の困難性も回避し、研磨が容易なダイヤモンド複合体を提供すること。
【解決手段】少なくとも2種類の結晶性の異なる結晶からなる構造の複合体であり、その内の第一の結晶は高圧合成法により合成した単結晶ダイヤモンドか、あるいは気相合成法により合成した単結晶ダイヤモンドであり、第二の結晶は欠陥を面内に周期的なパターン形状で含む気相合成法により合成したダイヤモンドであり、該第一の結晶及び第二の結晶はいずれも、主面が平行になるように層状に形成されていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 (もっと読む)


【課題】主面の結晶欠陥が少ない単結晶ダイヤモンド、及び該単結晶ダイヤモンドを含むダイヤモンド複合体とその製造方法の提供。
【解決手段】少なくとも、板状の2つ以上の単結晶ダイヤモンドより構成されており、それぞれの単結晶ダイヤモンドが、それぞれの主面間に介在する接合層によって接合されてなることを特徴とするダイヤモンド複合体。前記ダイヤモンド複合体から接合層を境にして分離されたことを特徴とする単結晶ダイヤモンド。 (もっと読む)


【課題】炭素同位体12Cを用いて硬度を高くすることが可能となる単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドは、炭素同位体12Cの濃度が99.9質量%以上である炭素と、炭素以外の複数の不可避不純物とで構成される。不可避不純物は、窒素と、硼素と、水素と、ニッケルとを含み、複数の不可避不純物のうち窒素、硼素、水素の合計含有量を0.01質量%以下とする。単結晶ダイヤモンドを製造するには、まず炭素同位体12Cの濃度が99.9質量%以上であり脱窒素処理が施された炭化水素ガスを、真空チャンバ内において、例えば1200℃以上2300℃以下の温度で、基材上で熱分解することで得られた炭素原料を準備し、該炭素原料を用いてダイヤモンドを合成し、該ダイヤモンドから種結晶を切り出す。この種結晶を、溶媒および炭素源とともにセル内に収容した状態で、高温高圧合成法にて種結晶から単結晶ダイヤモンドを成長させる。 (もっと読む)


【課題】ダイヤモンド基板上に単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長させるに際し、エピタキシャル成長した単結晶ダイヤモンドにおいて基板のダイヤモンドの欠陥に由来する欠陥を極力低減すること。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド基板上の欠陥の位置に、幅と深さのアスペクト比(深さ/幅)2以上の溝又は穴を形成した単結晶ダイヤモンド基板上に、気相エピタキシャル成長法によって単結晶ダイヤモンド膜を形成してなり、前記溝又は穴の部分が空孔として結晶内部に残っていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 (もっと読む)


【課題】高い透明度を保持し、屈折率が高く、複屈折性が小さいという光学的な特性を有し、電気的絶縁性に優れ、各種基材に密着性良くコーティングでき、かつ低温での形成が可能な炭素膜を提供するプラズマCVD装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマCVD装置は、結晶欠陥が、六方晶ダイヤモンド及び積層欠陥を備える積層体を製造するための表面波プラズマCVD装置であり、前記表面波プラズマCVD装置は、試料台と、試料台上の冷却ステージと、表面波プラズマ源とを備え、該表面波プラズマ源を制御して反応器内のガス圧力を5×10から5×10Paに設定し、かつ試料台と冷却ステージと密着させ、前記基板と該表面波プラズマ源との距離を調節して基板温度を450℃以下に設定する。 (もっと読む)


【課題】寿命検出機構、接触検出機構を備えた工具の刃先として利用可能な、導電層を有する単結晶ダイヤモンド及び該単結晶ダイヤモンドを利用した工具の提供。
【解決手段】少なくとも一つ以上の層状の導電層が主面にほぼ平行に形成されており、該導電層は絶縁性の単結晶ダイヤモンドの内部に形成されており、該単結晶ダイヤモンドの側面まで前記導電層が貫通していることを特徴とする導電層付き単結晶ダイヤモンド。前記単結晶ダイヤモンドとそれを支える支持体とを具備し、単結晶ダイヤモンドと支持体とは導電性の接合材で接合されており、単結晶ダイヤモンドの内部に形成された導電層と支持体とは接触している接合材を介して電気的に接続されていることを特徴とする導電層付き単結晶ダイヤモンドを用いた工具。 (もっと読む)


【課題】温度の計測が可能となる特性を有する半導体多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体多結晶ダイヤモンドは、平均粒径が10nm以上200nm以下のダイヤモンド結晶粒と、5×1014/cm以上5×1019/cm以下の硼素および不可避不純物とで構成され、温度が上昇した際に電気抵抗が減少する特性を有するように硼素をダイヤモンド結晶粒中に分散させる。該半導体多結晶ダイヤモンドは、気相合成で作製され硼素を5×1014/cm以上5×1019/cm以下含むグラファイトを、1200℃以上2500℃以下の温度、7GPa以上25GPa以下の圧力で直接ダイヤモンドに変換することで得られる。 (もっと読む)


【課題】熱伝導率の優れた多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド1は、12Cあるいは13Cのいずれかの炭素同位体で実質的に構成された炭素と、炭素以外の複数の不純物とで構成され、複数の不純物の濃度がそれぞれ0.01質量%以下であり、結晶粒径が500nm以下である。上記ナノ多結晶ダイヤモンド1は、12Cあるいは13Cの炭素同位体の純度が99.9質量%以上である炭化水素ガスを熱分解して得られる黒鉛に、高圧プレス装置内で熱処理を施してダイヤモンドに変換することで作製可能である。 (もっと読む)


【課題】クラック等の欠陥がなく表面の平坦性に優れ、成長速度が速く低コスト化が可能な単結晶ダイヤモンド基板の製造方法及びそれにより得られる厚膜ダイヤモンド基板の提供を目的とする。
【解決手段】2°以上のオフ角を有する結晶構造{111}の母ダイヤモンド基板の上に化学気相成長法(CVD)を用いてラテラル成長が発現する条件下でダイヤモンドを成長させて得ることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ダイヤモンドが本来有する物性の高いダイヤモンド膜、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】熱抵抗が1.0×10−8(m・K/W)以下のダイヤモンド膜であって、その製造方法は、(1)一次粒子径が1〜20nmのナノダイヤモンド粒子を準備する工程、(2)前記ナノダイヤモンド粒子を基材に付着させる工程、(3)前記ナノダイヤモンド粒子付着基材を熱処理又はプラズマ処理する工程、及び(4)前記処理したナノダイヤモンド粒子付着基材のナノダイヤモンド粒子をCVD法により成長させ、ダイヤモンド膜を形成する工程、とを含む。 (もっと読む)


【課題】原料ガスから結晶への固体変換効率を高めたダイヤモンド結晶成長方法及びダイヤモンド結晶成長装置を提供する。
【解決手段】反応槽11内で、化学気相法により原料ガスから基板71上にダイヤモンド結晶を成長させるダイヤモンド結晶成長方法であって、次式(1)を満たす原料ガス供給流量Gで反応漕11内に原料ガスを供給し、次式(2)を満たす排気流量Gで反応漕11内から排気するダイヤモンド結晶成長方法を用いることにより、原料ガス濃度を最適化して、結晶化効率を向上させるとともに、未反応の原料ガスの排気を抑制して、原料の回収効率を高めることができ、原料ガスからダイヤモンド結晶への固体変換効率を高めることができる。G≦10×S×h…(1)G≦0.90×G…(2)ここで、Sは基板面積であり、hは結晶成長速度である。 (もっと読む)


【課題】耐欠損性を向上させることで破壊強度と耐摩耗性に優れ、かつ放電加工等の電気加工を主体とした研磨加工が可能な多結晶・単結晶の高強度ダイヤモンド膜工具やコーティング工具を提供することにある。
【解決手段】多結晶ダイヤモンド膜をコーティングした工具、もしくはおよび単結晶ダイヤモンド工具において、気相法による膜状ダイヤモンドにボロンをドーピングすることで破壊強度を向上させたことにある。 (もっと読む)


【課題】ナノダイヤモンドに水素イオンやヘリウムイオンをイオン注入したナノダイヤモンドに比べて所定波長範囲内の波長の励起光に対して所定波長範囲内の波長の蛍光の光強度を大きくする。
【解決手段】ナノダイヤモンドに所定の元素がイオン注入されて形成され、波長範囲700〜900nm内の波長の励起光により励起されたときに、波長範囲700〜1400nm内の波長の蛍光を発することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】合成ダイヤモンド並びに合成単結晶ダイヤモンドを調製及び使用する方法を提供する。
【解決手段】化学気相成長によって形成される1つ又は複数の単結晶ダイヤモンド層を有する、合成単結晶ダイヤモンド組成物であって、該層が、不純物のない他の層又は同様の層と比べて、(ホウ素及び/又は炭素同位体などの)1つ又は複数の不純物の濃度が増加した1つ又は複数の層を含む。このような組成物は、色、強度、音速、電気伝導率、及び欠陥の抑制を含めて、特性の改善された組み合せを提供する。さらに、このような組成物を調製する関連した方法、並びにこのような方法を実施するのに使用するシステム、及びこのような組成物を取り入れた製品が記載される。 (もっと読む)


【課題】 低濃度の窒素及び低い拡張欠陥密度を含む単一結晶ダイヤモンドの製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、低濃度の窒素を含むダイヤモンドの結晶完全性を改良する方法に及ぶ。詳細には、本発明の方法は、高温及び高圧、代表的には2100から2500℃の間の温度及び6〜8GPaの圧力で、成長したダイヤモンドを熱処理するステップを含む。 (もっと読む)


【課題】切削工具、耐磨工具等の機械的用途、及び半導体材料、電子部品、光学部品等の機能品用途に適したダイヤモンド単結晶及びその製造方法の提供。
【解決手段】結晶全体にわたり、波数1332cm−1(波長7.5μm)のピーク吸収係数が0.05cm−1以上10cm−1以下である化学気相合成法により得られたダイヤモンド単結晶であり、この単結晶は化学気相合成時の気相における元素の組成比率を、水素原子に対する炭素原子濃度が2%以上10%以下かつ、炭素原子に対する窒素原子濃度が0.1%以上6%以下かつ、炭素原子に対する酸素原子濃度が0.1%以上5%以下とすることによって得られる。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス用基板として有用な大面積でかつ歪が少ない高品質単結晶ダイヤモンドを安定して得ることを目的とする。
【解決手段】1主面から2つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した2つの互いに直交する直線偏光の位相差が、試料全体にわたり、試料厚さ100μmあたり最大50nm以下であることを特徴とする気相合成法により成長された単結晶ダイヤモンドである。 (もっと読む)


【課題】磁場を二次元的に且つ高感度に測定する磁気センシングに好適に用いられるダイヤモンド基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のカラーセンターを含有するダイヤモンド基板であって、ダイヤモンド基板の表面は、当該表面において所定間隔毎に測定される蛍光強度のそれぞれが平均蛍光強度の±10%の範囲内である領域を有する。本発明の一実施形態に係るダイヤモンド基板の製造方法は、窒素を含有する試料10に電子線を照射する第1工程と、試料10の温度をサンプル固定部12及びランプヒーター16により600℃以上に保持した状態で、電場又は磁場の少なくとも一方の外場を電磁場印加部18により試料10に印加する第2工程と、上記外場を試料10に印加した状態で、試料10の温度を600℃未満に低下させる第3工程とを備える。 (もっと読む)


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