【課題】インゴットの底部においてバルク欠陥密度が低く、シリコン粒子が小さい結晶シリコンインゴットの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、結晶シリコンインゴットの製造方法を提供する。本発明の方法では、核形成促進層２を利用して、複数のシリコン粒子３４が前記核形成促進層２上にシリコン融液３２から核形成するとともに、シリコン融液３２を凝固させて結晶シリコンインゴットを得るまで垂直方向に成長するのを促進する。 （もっと読む）

【課題】ヒータが側方に配置された場合にインゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造する。
【解決手段】側方に配置されたヒータにより加熱されて溶融したシリコンを内部で凝固させて多結晶シリコンインゴットを生成させる坩堝であって、底面部において中央部２１が周側部２２より厚い。 （もっと読む）

【課題】長時間の高温条件下におけるシリコン単結晶の引き上げにおいてシリカガラスルツボの内表面にブラウンリングや開気泡の発生が抑制されるシリカガラスルツボ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、合成シリカ粉から形成される内面層と、天然シリカ粉から形成される外面層と、を備えるシリコン単結晶引き上げ用シリカガラスルツボであって、前記内面層は、ラマン法で測定した波長492cm^-1のピーク強度D1と、波長606cm^-1のピーク強度D2との強度比D1/D2が、1.8以上2.0以下の合成シリカ粉を熔融して形成されるシリカガラスルツボが提供される。 （もっと読む）

【課題】凝固偏析により金属融液から得られた精製塊中の不純物濃度を簡易にスクリーニングし得る金属精製塊の検査方法、それを含む高純度金属の製造方法およびその用途を提供することを課題とする。
【解決手段】不純物を含む金属融液に精製塊支持体を接触させ、次いで凝固偏析により前記精製塊支持体の表面に析出させた前記金属融液の金属精製塊に含まれる不純物濃度により規定される前記金属精製塊の良または不良を、前記金属精製塊外周面の表面状態に基づいて検査することを特徴とする金属精製塊の検査方法により、上記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】非単結晶原料から単結晶をチョクラルスキー法により製造する単結晶製造装置において、坩堝を支持し、かつ、回転させる回転軸の交換によるコストを抑制可能な単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】非結晶原料が充填される坩堝１２と、坩堝１２を回転可能に支持する回転軸１５とを備える単結晶製造装置１０において、回転軸１５は、この回転軸１５の軸方向に並んで互いに着脱可能に組み合わされた複数の係合部材１５ａ，１５ｂ，１５ｃから構成される。このため、複数の係合部材のいずれかが劣化して破損した場合に、その破損した係合部材のみを交換することにより復旧することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＦＺ単結晶シリコンは体積固有抵抗やライフ・タイム等、品質上はＣＺ単結晶シリコンに比べて優れているにも拘わらず、コストが「約５〜８倍」と高価なため、太陽電池用としては使用されていない。このため、本発明では太陽電池用に特化することにより、大幅なコスト・ダウンをはかる手段を提供することにより、ＦＺ単結晶シリコンを使用し大幅に効率アップした太陽電池の普及に貢献する。
【解決手段】
単結晶製造のスムーズな引き上げのみを考慮した単純な製造機器により、成長スピードを２〜５ｍｍ／ｍｉｎ、場合により８ｍｍ／ｍｉｎまであげる。
又、芯ドープには空洞部に特殊加工したドーピングマザーメタルを使用する等を行う。
亜鉛還元法によるシリコンについては、熔融が簡単で短時間融解で済み、吸い上げを含めても石英等とのコンタミネーションも極端に少なくなる。 （もっと読む）

【課題】供給治具自体の破損が実質的に起こらなくて複数回使用することができるだけでなく、破損片混入による融液の固化および汚染、並びに単結晶成長の阻害が起こらない、更には、結晶原料落下による坩堝等の装置の損傷や融液の飛び跳ね、供給治具からの融液への汚染を防止して、高品質の単結晶を安定して育成することができるロッド状多結晶原料の供給治具を提供する。
【解決手段】ロッド状多結晶原料の端部を支持する底部材４０、ロッド状多結晶原料の横方向の動きを規制する円筒状や円筒籠状などの筒状ガイド部材６０、筒状ガイド部材と底部材を連結する連結部材５０、および筒状ガイド部材の上部に取り付けられた吊下げ部材７０を含む、原料を起立状態で坩堝に供給するためのロッド状多結晶原料供給治具。筒状ガイド部材がモリブデンなどの高融点材料、底部材および連結部材が原料と同じ元素の、単結晶シリコン或いは多結晶シリコンからなる。 （もっと読む）

【課題】引張強度の向上した膨張黒鉛シートを提供する。また、引張強度の向上した膨張黒鉛シートを炭素質ルツボの中敷として使用することにより、作業時間が格段に低減し、しかも、シートを破損することなくルツボの内面に隙間なく覆うことが可能であると共に、ルツボの大型化にも適した炭素質ルツボの保護方法並びに単結晶引き上げ装置を提供する。
【解決手段】膨張黒鉛シート１０は、膨張黒鉛材料からなる基材１１の少なくとも片面に、炭素繊維からなる補強材１２が積層状に形成されていることを特徴とする。上記膨張黒鉛シート１０を、石英ルツボと該石英ルツボが載置される炭素質ルツボとの間に介在させて炭素質ルツボの内面を覆う中敷に使用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法（ＣＺ法）による単結晶の製造において、ＬＴ（Ｌｉｆｅ Ｔｉｍｅ）低下やＬＰＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｐｏｉｎｔ Ｄｅｆｅｃｔ）異常の発生がない高品質の単結晶を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法による単結晶の製造方法において、単結晶１２を製造する炉内で使用する少なくとも一つの黒鉛部品のＮｉ濃度が３０ｐｐｂ以下の黒鉛部品を使用して前記単結晶１２を製造する。前記Ｎｉ濃度を分析して用いる黒鉛部品としては、例えば石英ルツボ５に直接に接する黒鉛ルツボ６を分析することが好ましく、さらに、黒鉛ルツボ６を介して石英ルツボ５と間接的に接するルツボ受皿７、及びペディスタル８の少なくとも一つも分析することがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に形成された内層とを備えたシリカ焼結体ルツボにおいて、前記内層が外層から剥離し難く、かつシリカガラスルツボとなした際、内層の気泡を抑制したシリカ焼結体ルツボを提供する。
【解決手段】外層が、溶融シリカ粒子を堆積させて成形し、焼成された層であり、内層が、前記外層の内周面に、球状のシリカ粒子及びシリカ微粉末を含有する内層用コーティング液によるコーティング層が形成され、前記コーティング層を焼成して形成された層であり、前記内層は、球状のシリカ粒子が相互に連結されると共に、球状のシリカ粒子の間に空間が存在している。 （もっと読む）

【課題】製造されるインゴットの直径を高い精度で制御できる単結晶直径制御方法を提供する。
【解決手段】単結晶インゴット直径制御方法であって、炉２２内を鉛直上方に引き上げられているインゴット１の直径を、炉内状態視認窓２３を通して計測し、得られた直径データに基づいて製造条件を補正する。前記炉内状態視認窓２３を坩堝２１内の溶融原料の溶融表面を視認できる位置及び角度に設け、前記溶融表面において得られる第一直径データに基づいた前記製造条件の補正の結果を、前記溶融表面から鉛直上方に間隔をあけた位置において得られる第二直径データに基づいて検証してもよい。 （もっと読む）

【課題】高い比抵抗を有し、かつ比抵抗のばらつきが小さいｐ型シリコン単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型シリコン単結晶１の製造方法は次の工程を有する。主ドーパントしてのホウ素と、ｎ型不純物であって、ホウ素よりも偏析係数が小さい第１の副ドーパントと、ｐ型不純物であって、第１の副ドーパントよりも偏析係数が小さい第２の副ドーパントとが添加されたシリコン融液７が準備される。シリコン融液７からチョクラルスキー法により、比抵抗が６Ωｃｍ以上であるシリコン単結晶が成長される。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコンインゴット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコンシード層を用いて、結晶シリコンインゴットが方向性凝固法によって形成される。結晶シリコンシード層は、複数の第１の単結晶シリコンシードと、複数の第２の単結晶シリコンシードとから形成されている。第１の単結晶シリコンシードの各々は（１００）と異なる第１の結晶方向を有する。第２の単結晶シリコンシードの各々は第１の結晶方向と異なる第２の結晶方向を有する。第１の単結晶シリコンシードの各々は第２の単結晶シリコンシードのうちの１つ以上に隣接し、他の第１の単結晶シリコンシードから分離されている。 （もっと読む）