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Fターム[4G077BB10]の内容

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Fターム[4G077BB10]に分類される特許

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【課題】双晶化を効果的に抑えることのできるβ−Ga系単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】EFG(Edge-defined film-fed growth)法を用いたβ−Ga系単結晶25の成長方法であって、種結晶20をGa系融液に接触させる工程と、種結晶20を引き上げ、ネッキング工程を行わずにβ−Ga系単結晶25を成長させる工程と、を含み、すべての方向においてβ−Ga系単結晶25の幅が種結晶20の幅の110%以下とする。 (もっと読む)


【課題】 透過率が高く、高濃度に3価のTbイオンを含む磁気光学素子用酸化テルビウム結晶を提供する。
【解決手段】 組成式(Tb1−a(式中、MはEr、Tm、Yb、Lu、Scから選択される一種以上の元素、0.01≦a<0.3)で示される結晶系が立方晶系の結晶体であって、1.06μmと532nmにおける3mm長さあたりの直線透過率がいずれも70%以上であることを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム結晶であり、製法としては、水冷した容器1の中に結晶育成用の原料2を充填し、原料の中央部を高温に加熱融解するが、水冷容器に接する原料2の外側部分の外皮2aは溶融せず、スカル状に焼結緻密化して坩堝として作用させ、原料2を充分溶融してから高周波パワーを減らし、容器1を下げて底から冷却して結晶化させるスカルメルト法が好適であるが、フローティングゾーン法を採用することもできる。 (もっと読む)


【課題】還元雰囲気や不活性ガス雰囲気下におけるドナー濃度の変化が抑えられたβ−Ga系基板の製造方法、及び還元雰囲気や不活性ガス雰囲気下において品質のばらつきの小さい高品質な結晶膜をエピタキシャル成長させることのできる結晶積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】IV族元素を含むβ−Ga系結晶からβ−Ga系基板を切り出す工程を含み、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む雰囲気下でのアニール処理が、前記β−Ga系基板を切り出す前の前記β−Ga系結晶、又は切り出された前記β−Ga系基板に施される、β−Ga系基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】双晶化を効果的に抑えることのできるβ−Ga系単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】EFG(Edge-defined film-fed growth)法によるβ−Ga2O3系単結晶の製造において、β−Ga系単結晶をその(101)面に平行な方向に成長させ、(101)面内における<10−1>方向と成長方向とのなす角度φ(0°≦φ<90°)を90°未満とする。FZ(Floating Zone)法等の他の結晶成長方法を用いた場合であってもβ−Ga2O3系単結晶25の双晶化を効果的に抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】サブマイクロオーダーやナノサイズを有している無機酸化物中空粒子、特には、球形金属酸化物単結晶中空サブマイクロ粒子や球形金属酸化物単結晶中空ナノ粒子を、簡単な方法で合成し且つ回収する技術の開発が求められている。
【解決手段】プラズマを用いた低真空容器内で、分オーダーの短時間で直径がサブマイクロオーダーやナノオーダーの無機酸化物中空粒子、特には、球形金属酸化物単結晶中空サブマイクロ粒子や球形金属酸化物単結晶中空ナノ粒子を製造する。気相反応のみの反応プロセスによって、中空金属酸化物単結晶粒子の生成が可能であり、また、放電プラズマやガス流を制御することによって均質な粒径分布や空洞径/粒径の比の制御が可能になる。 (もっと読む)


【課題】チッピングやクラック、剥離等を無くした、酸化ガリウム基板の提供と、酸化ガリウム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム基板16の(100)に対して90±5度で交わり、かつ(100)を除く面で構成される主面15に対しても90±5度で交わり、さらに主面15の中心点を通る法線を回転軸として、回転角度にして±5度の誤差内で、主面15の周縁部に形成された第1のオリエンテーションフラット14を形成し、更に酸化ガリウム基板16の主面15の中心点を対称点にして第2のオリエンテーションフラット17を他方の主面周縁に形成し、酸化ガリウム基板16の直径をWD、第1のオリエンテーションフラット14と第2のオリエンテーションフラット17のそれぞれの直径方向における奥行きをOLと表したとき、OLを0.003×WD以上0.181×WD以下の範囲に設定して、酸化ガリウム基板16を作製する。 (もっと読む)


【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ga単結晶膜を形成することができるβ−Ga単結晶膜の製造方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、Snを添加しながらβ−Ga結晶をβ−Ga基板2上、又は前記β−Ga基板上に形成されたβ−Ga系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、Sn添加β−Ga結晶膜を形成する工程と、第1の不活性雰囲気中で前記Sn添加β−Ga結晶膜に第1のアニール処理を施す工程とを含む方法により、Sn添加β−Ga単結晶膜を製造する。 (もっと読む)


【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ga単結晶膜を形成することができるβ−Ga単結晶膜の製造方法、及びその方法により形成されたβ−Ga系単結晶膜を含む結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、β−Ga結晶をβ−Ga基板2上、又はβ−Ga基板2上に形成されたβ−Ga系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、成長の間にβ−Ga結晶に一定周期で間欠的にSnを添加する工程を含む方法により、Sn添加β−Ga単結晶膜3を製造する。 (もっと読む)


【課題】酸素欠損を低減したβ−Ga単結晶膜の製造方法、及びβ−Ga単結晶膜を有する結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、所定の気圧に減圧された真空槽10内にオゾンを含む酸素ガスを供給すると共に第1のセル13aからGa蒸気を供給し、基板ホルダ11に保持されたβ−Ga基板2上にβ−Ga単結晶膜を成長させ、結晶積層構造体を製造する。このように、β−Ga2O3単結晶膜の成長時に酸素の原料としてオゾンを供給することで、酸素欠損の少ない高品質なβ−Ga2O3単結晶膜が得られると共に、活性酸素のみを供給した場合に比較してβ−Ga2O3単結晶膜の成長レートが高まる。 (もっと読む)


【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 (もっと読む)


【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 (もっと読む)


【課題】ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ga薄膜およびその生成方法を提供する。
【解決手段】(a)水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫(II)化合物とを混合して原料溶液を調製する工程と、(b)前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程と、(c)前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給する工程と、(d)前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、4価の錫が添加された導電性α‐Ga薄膜を形成する工程と、を備える結晶性の高い導電性α‐Ga薄膜の生成方法とする。 (もっと読む)


【課題】MoO3等の揮発性の高い材料を用いた場合であっても、均一な組成の分布を有する単結晶を安定的に得ることを可能とする単結晶の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝11の内部に前記原材料融液8の原材料7を充填すると共に、前記原材料融液8に先端部が浸漬可能な突起を有する蓋17により前記坩堝11の開口11bを閉鎖し、前記原材料7を加熱溶融して前記原材料融液8を得ると共に前記原材料融液8の前記坩堝11内における液面の位置を検出し、前記蓋11を加熱すると共に、蓋移動手段21によって前記蓋11と前記液面との間隔を所定値とし、前記貫通孔11aから漏出した前記原材料融液8に前記シードを接触させて前記シードを前記所定の引下げ軸に沿って引下げる工程を有し、前記間隔は前記引き下げる工程に置いて前記所定値を維持されることを特徴とする単結晶製造方法。 (もっと読む)


【課題】 金属酸化物からなる板状単結晶体、それを用いた金属酸化物薄膜、それらの製造方法、および、それらを用いた抵抗変化型素子を提供すること。
【解決手段】 本発明による板状単結晶体は、MOまたはM(ここで、Mは、Co、Fe、Ni、ZnおよびCuからなる群から少なくとも1つ選択される金属元素である)で表される金属酸化物からなり、その形状は、六角形状であり、そのアスペクト比は、10〜500であり、平面方向の面は、(111)結晶面である。 (もっと読む)


【課題】アルミナ等の高融点物質の、精製、及び緻密で均一なブロックの製造方法を提供する。
【解決手段】ブロック11には、所定の直径、及び円筒形等の形態を持たせることが可能である。基板12はプラズマトーチ8の下に置かれ、アルミナ粒子又は他の高融点物質は、プラズマトーチ8によって加熱溶融される。これは、垂直軸に沿う回転、水平軸に沿う前後運動、及び垂直軸に沿う引き下ろし運動を包含する三つの独立した方向に動いている基板12上に堆積する。 (もっと読む)


【課題】マグネシウム以外の金属についても、固相反応させることにより、色中心含有金属酸化物を得て、色中心発光特性を有する発光媒体を提供する。
【解決手段】カチオンが電子を受け取って金属原子となる際の標準電極電位が−2.87〜−2.2(V)で、かつ、アルカリ金属,マグネシウムを含むアルカリ土類金属、もしくは、スカンジウムを除く希土類元素のいずれかに属する金属と、酸化物を構成する金属の標準電極電位が−1.7〜+0.4(V)である酸化物とを、所定の雰囲気下で、所定の温度で加熱する固相反応工程と、固相反応工程で得られる金属の昇華物を回収する工程とから成る。得られる昇華物は、酸素空孔を多量に導入させた金属酸化物であり、色中心由来の発光特性を有する。金属と固相反応させる酸化物のバリエーションを増やして、工業的生産の利便性を図る。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電気炉の加熱温度を下げないで、ゲートバルブの弁板の熱変形をさせずに、トラブルが無く結晶製造を連続的に行うことができ、大幅な製造コストの削減が出来る熱遮蔽機を提供する。
【解決手段】本発明は、加熱炉の取り出し口に設けられたゲートバルブと加熱容器部の間に挿抜可能に配置される蓋であって、前記蓋内部に冷却媒体を循環させ、前記ゲートバルブへの熱伝達を遮蔽することを特徴とする熱遮断機の構成とした。 (もっと読む)


【課題】濾過、洗浄性が良好で、かつ蛍光体原料や、ターゲット用原料、透明導電膜や透明導電性を有する単結晶基板材料として好適な、不純物含量の低い、高純度酸化ガリウムを提供する。
【解決手段】ガリウムを含有する酸性水溶液と塩基性溶液を混合し、pHを8〜10の範囲に調整し水酸化ガリウムを得る工程と、得られた水酸化ガリウムをpHを8〜10の範囲で80℃以上の温度で1時間以上保持しオキシ水酸化ガリウムを得る熱処理工程と、該熱処理により得られたオキシ水酸化ガリウムを濾別、洗浄後、乾燥、焼成し酸化ガリウムを得る工程を含んでなり、かつ該水酸化ガリウムの熱処理工程における水酸化ガリウムと接触する部位に、フッ素含有樹脂を用いこれらの反応を行う。 (もっと読む)


【課題】アルミナ等の高融点物質の、精製、及び緻密で均一なブロックの製造方法を提供する。
【解決手段】基板12はプラズマトーチ8の下に置かれ、アルミナ粒子又は他の高融点物質は、プラズマトーチ8によって加熱溶融される。これは、垂直軸に沿う回転、水平軸に沿う前後運動、及び垂直軸に沿う引き下ろし運動を包含する三つの独立した方向に動いている基板12上に堆積する。このことにより、ブロック11に、所定の直径、及び円筒形等の形態を持たせることが可能である。 (もっと読む)


【課題】バンドギャップがより大きく、紫外領域で発光する可能性があるβ−Ga単結晶において、所定の抵抗率及びキャリア濃度を有するβ−Ga単結晶を提供する。
【解決手段】β−Ga単結晶において、Si濃度を1×10−5〜1mol%に変化させることにより、抵抗率が2.0×10−3〜8×10Ωcm、キャリア濃度が5.5×1015〜2.0×1019/cmの範囲に制御するドーパントの添加濃度に応じて抵抗率を可変することができる。 (もっと読む)


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