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Fターム[4G077BC51]の内容

結晶、結晶のための後処理 (61,211) | 材料−複合酸化物 (686) | 超電導酸化物 (45)

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【解決課題】エピタキシャル薄膜成長用の配向基板において、基板表面の配向度及び平滑性が従来のものよりも改善されたものを提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも片面に配向化金属層を有するエピタキシャル膜形成用配向基板の表面上に金属薄膜からなり1〜5000nmの厚さの配向性改善層を備え、配向化金属層表面における配向度(Δφ及びΔω)と、配向性改善層表面における配向度(Δφ及びΔω)との差が、いずれも0.1〜3.0°であることを特徴とするエピタキシャル膜形成用配向基板である。また、この配向基板配向性改善層を構成する金属と異なる他の金属を、膜厚相当で30nm以下付加した後に熱処理を行うと、その表面の平滑性を改善することができる。このとき、基板表面の表面粗さは20nm以下となる。 (もっと読む)


【解決課題】従来以上の配向性を有し、かつ高強度のエピタキシャル薄膜形成用の配向基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、金属層と、前記金属層の少なくとも一方の面に接合された銀層とからなるエピタキシャル薄膜形成用のクラッド配向金属基板であって、前記銀層は、結晶軸のずれ角Δφが、Δφ≦9°である{100}〈001〉立方体集合組織を有するエピタキシャル薄膜形成用のクラッド配向金属基板である。この配向金属基板は、含有酸素濃度が30〜200ppmの銀板を、熱間加工・熱処理する配向化処理を行い、金属板と配向化処理した銀板とを表面活性化接合することにより製造できる。 (もっと読む)


【課題】室温超伝導体を開発するための有力な方策は、これまでとは異なる視点から材料
を見つめ、新たな超伝導化合物を見出し、超伝導化合物の系を拡げていくことである。
【解決手段】化学式[Ca24Al2864]4+・2[xO2−+2yA+2{1−(x+2y)
}e] (Aはケージに包接された、OH、O又はOのいずれか1種以上、0≦
x+2y≦0.5)で示されるマイエナイト型結晶構造を有する化合物であることを特徴
とする化合物超伝導体。化学式が[Ca24Al2864]4+・2[xO2−+2yA] (Aは
ケージに包接された、OH、O又はOのいずれか1種以上、0≦x≦1、y=1
−x) で示されるマイエナイト型結晶構造を有する化合物を磁性イオンが含有されない方
法で調製し、該化合物のケージに包接されたO2−及びAの合計(x+2y)の50原子
%以上を電子で置換することにより作成できる。 (もっと読む)


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