【課題】育成温度が低く、大型かつ良質の単結晶が得られる浮遊帯域溶融法（ＦＺ法）によるＺｒＢ_２単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】フラックスを用いたＦＺ法によるＺｒＢ２単結晶の育成において、ホウ素と炭素両者からなるフラックス（融剤、溶媒）を用いる。融帯（融液）６がホウ素より元素としての蒸気圧が１桁以上低い炭素（Ｃ）を含有させることにより、特に初期融帯の形成が容易となり、また、フラックス使用により育成温度が低下するので加熱電力を低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】ホウ化物単結晶の成長工程において不純物を除去し、結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができるホウ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ホウ化物単結晶の製造方法は、浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶またはホウ化物多結晶から成る棒状体を、水素ガスを含む不活性ガスからなる雰囲気ガス９中で作製し、次に棒状体を原料棒６として用いて浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】ホウ化物単結晶の成長工程において不純物を除去し、結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができるホウ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ホウ化物単結晶の製造方法は、浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶またはホウ化物多結晶から成る棒状体を、酸素濃度が１０ｐｐｂ以下の不活性ガスから成る雰囲気ガス９中で作製し、次に棒状体を原料棒６として用いて浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】ホウ化物単結晶の成長工程において不純物を除去し、結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができるホウ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】化学式ＸＢ_２（ただし、ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である。）で表されるホウ化物から成る原料棒６を種結晶８に接触させて浮遊帯域法によって、化学式ＸＢ_２で表されるホウ化物単結晶を成長させるホウ化物単結晶の製造方法において、水素ガスを添加した雰囲気ガス９中でホウ化物単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】特に、高融点の原料からなる大径の単結晶を、容易に、安定して育成することができる単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】育成する単結晶の原料からなる原料棒の、軸方向の、一定長の領域を、誘導加熱によって溶融させるための誘導コイル６に、環の外周から径方向の内方へ向けて凹入した凹部１９を設けると共に、凹部１９内に、誘導コイル６を冷却するための冷媒を、環の径方向の内方へ向けて流入させて、凹部１９の底面２１に当接させた後、凹部１９外へ流出させるための流路を設けた単結晶育成装置である。 （もっと読む）

【課題】大径化の要求や、消費電力の低減の要求に十分に対応しながら、クラック等のない、良好な単結晶を育成することができる単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】育成する単結晶１３の原料からなる原料棒２の、軸方向の、一定長の領域を、誘導加熱によって溶融させるための誘導コイル６を、前記単結晶１３の原料の融点Ｍ₀に対して、式(1)：
Ｍ₀＜Ｍ₁ (1)
を満足する融点Ｍ₁を有し、かつ抵抗率（２０℃）が１５μΩ・ｃｍ以下の材料によって形成した単結晶育成装置１である。 （もっと読む）

【課題】転位密度の小さい、良好なＧａＮ系半導体層を形成することができる、半導体層成長用基板と、それを用いた、特性に優れた半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体層成長用基板は、ＧａＮ系半導体層を成長させるための主面の、Ｘ線反射率法によるＸ線反射率曲線の半値幅を１００秒以下とし、かつ、前記主面に、原子ステップ構造を形成した。半導体装置は、前記半導体層成長用基板と、前記半導体層成長用基板の主面上にエピタキシャル成長させたＧａＮ系半導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】転位密度の小さい、良好なＧａＮ系半導体層を形成することができる、半導体層成長用基板と、それを用いた、特性に優れた半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体層成長用基板は、前記半導体層成長用基板を形成するＺｒＢ₂単結晶の、ａ軸の格子定数を、０．３１６９±０．００１ｎｍとした。半導体装置は、前記半導体層成長用基板と、前記半導体層成長用基板の主面上にエピタキシャル成長させたＧａＮ系半導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系化合物半導体をエピタキシャル成長させるための基板等として使用可能な、大型のＺｒＢ_２で代表される二ホウ化物単結晶の成長技術を提供する。
【解決手段】融点が２０００℃以上の溶接可能な金属製の密閉坩堝の中で化学式ＸＢ_２（但し、ＸはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒの少なくとも一種を含む）で表わされる化学量論組成よりも端成分に富む組成からなる結晶原料を加熱融解し冷却することによって結晶化して育成する。 （もっと読む）

【解決手段】単結晶ウエハ１の外周の角に面取り部１ａを設けている。この面取り部１ａと単結晶ウエハ１の主面１ｄとのなす角度ψが、容易破断面１ｅと主面１ｄとのなす角度θよりも小さくなるように加工されている。
【効果】面取り部１ａのカケ等の割れが容易破断面１ｅに沿って進む際、それが単結晶ウエハ１の外周に向かいやすくなるので、単結晶ウエハ１に大きなクラックが生じることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法によって、現状よりも結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができる新規な製造方法と、前記製造方法によって製造された、特に、ＧａＮ系半導体層等の半導体層をエピタキシャル成長させるのに適した基板とを提供する。
【解決手段】製造方法は、ホウ化物のもとになるホウ素と金属元素とを含む原料粉末によって形成した原料棒６の、長さ方向の一端に、前記ホウ化物の化学量論比組成よりもホウ素過剰の初期溶融領域９を設け、前記初期溶融領域９を、加熱により溶融させて溶融帯を形成し、前記溶融帯を、原料棒６の、長さ方向の他端へ向けて移動させることで、前記原料棒６の、溶融帯が通過した後の領域に、ＦＺ法によってホウ化物単結晶を成長させる。基板は、前記製造方法によって製造されたホウ化物単結晶からなる。 （もっと読む）

【課題】二ホウ化ジルコニウム単結晶よりも融点が低く、それ故、低コストで供給でき、且つ、二ホウ化ジルコニウム単結晶と同等の格子定数と熱膨張係数を有する新規な二ホウ化物単結晶を提供する。
【解決手段】 二ホウ化ジルコニウムと、所定の固溶度のＶ族二ホウ化物とからなる、固溶体単結晶である。Ｖ族二ホウ化物が二ホウ化ニオブである場合は、固溶度が５モル％から１２モル％の範囲で、また、Ｖ族二ホウ化物が二ホウ化タンタルである場合は、固溶度が５モル％から９モル％の範囲で、二ホウ化ジルコニウム単結晶と同等の格子定数と熱膨張係数を有する固溶体単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体の成長性を大幅に改善することができる単結晶基板を提供すること。
【解決手段】 基板１の主面１ａ上にＺｒ_１−ｘＴｉ_ｘＢ_２（ただし、０＜ｘ≦１）から成る層である硼化ジルコニウム・チタン層２をエピタキシャル成長して新たな表面２ａを（０００１）面とした単結晶基板である。チタン（Ｔｉ）が介在することにより、基板１への硼化ジルコニウム・チタン層２の成長性および硼化ジルコニウム・チタン層２への窒化ガリウム系化合物半導体の成長性が改善される。 （もっと読む）

【課題】 Ｍ−Ａｌ−Ｂの組成を有する単結晶の製造方法および該製造方法により製造されたＭ−Ａｌ−Ｂ組成を有する単結晶を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、インゴットから切り出した薄片状のＡｌと、Ｍ成分供給源とホウ素供給源とを、前記薄片状Ａｌと前記成分Ｍ供給源および前記ホウ素供給源の混合物とを交互に層状に反応容器に充填し、前記反応容器の中央部と上端部および下端部との間に温度勾配を生じさせて溶融し、徐冷する、Ｍ−Ａｌ−Ｂの組成を有する単結晶の製造方法である。（ここで、前記Ｍは、アルカリ金属またはアルカリ土類元素を示す。）。 （もっと読む）