【課題】結晶性の炭化アルミニウム層及び窒化ガリウム層を有する積層基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１としてサファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板の上に結晶性のＧａＮ層１０、結晶性のＡｌＣ層２０を順次積層して配置した
積層基板１００であって、炭化アルミニウムの結晶の成長条件としては、アルミニウムを含むガスとしてトリメチルアルミニウムと、炭素を含むガスとしてメタンを供給し、有機金属気相成長法により成長させる。成長温度としては７００℃以上が好ましく、さらには１１００℃以上が好ましい。 （もっと読む）

【課題】結晶性の炭化アルミニウム薄膜、結晶性の炭化アルミニウム薄膜を形成した半導体基板及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明によると、炭化アルミニウムの結晶を含むことを特徴とする炭化アルミニウム薄膜が提供される。また、本発明によると、炭素を含むガスと、アルミニウムを含むガスとを供給し、基板上に炭化アルミニウムの結晶を成長させて、炭化アルミニウム薄膜を形成することを特徴とする炭化アルミニウム薄膜の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を抑制するとともに、加工性の容易なＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材１０ａの製造方法は、以下の工程を備えている。まず、Ｓｉ基板１１が準備される。そして、Ｓｉ基板上にＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層（０＜ｖ＜１、０＜ｗ＜１、０＜ｘ＜１、０＜ｖ＋ｗ＋ｘ＜１）１２を５５０℃未満の温度で成長される。 （もっと読む）

【課題】高い結晶性を維持し、かつ低いコストを維持するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材、エピタキシャルウエハ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材の製造方法は、異種基板１１を準備する工程と、異種基板１１上に、主表面を有するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層を成長させる工程とを備えている。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層における主表面に位置する組成比ｘ＋ｖは、０＜ｘ＋ｖ＜１である。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面から主表面に向けて組成比ｘ＋ｖが単調増加または単調減少する。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面の組成比ｘ＋ｖは、主表面の組成比ｘ＋ｖよりも異種基板１１の材料に近い。 （もっと読む）

【課題】高温下の還元性ガス（特に、アンモニア、水素、炭化水素ガスなど）に対して、優れた耐食性および耐熱衝撃性を有する炭化タンタル被覆炭素材料およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】炭素基材１と、前記炭素基材１上に形成されかつ（２２０）面に配向した炭化タンタルの結晶から実質的になる被覆膜２とを有する、炭化タンタル被覆炭素材料１０。被覆膜２のＸ線回折パターンにおいて、好ましくは、炭化タンタルの（２２０）面に基く回折強度が最大の強度を示しかつ２番目に大きな強度の回折強度の４倍以上の強度を示し、また、好ましくは、炭化タンタルの（２２０）面に基く回折強度の半価幅が０．２°以下である。
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【課題】複雑な処理を必要とせずに高濃度のＧｅを含有するＳｉＣＧｅ結晶を成長する方法を提供する。
【解決手段】基板上のＳｉＧｅ結晶薄膜を炭化することによりＳｉＣＧｅ結晶薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】GaNなどの窒化物半導体結晶の(0001)又は(000-1)面との間の格子整合性を高めて、低欠陥の窒化物半導体結晶をエピタキシャル育成可能な岩塩型遷移金属炭化物単結晶基板を提供する。
【解決手段】化学式XC（但し、Xは、Ti, Zr, Nb, Hf, Taのうち、１種類）で表される岩塩型遷移金属炭化物単結晶、または、化学式X_(1-x)Y_xC（但し、X及びYは、Ti, V, Zr, Nb, Hf, Taのうち、１種類であり、XとYは異なる元素で、０＜ｘ＜０．３）で表される岩塩型遷移金属炭化物固溶体単結晶からなり、主面が(111)面である窒化物半導体結晶成長用基板。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物ベースのデバイス用の基板を改善して、デバイス中の転位密度をより低くし、デバイス性能を向上させる。
【解決手段】シリコンカーボンの層１０２上に、シリコンカーボンゲルマニウムの層１０４を形成し、その上にIII族窒化物を含む電子デバイス１０６を形成する。デバイス１０６のIII族窒素化合物は、シリコンカーボンの層１０２とよりも、シリコンカーボンゲルマニウムの層１０４との方が良好に格子整合するので、転位密度は低くなり、デバイスもより厚くすることが可能となる。 （もっと読む）