【課題】良好な結晶を安定して成長させることができる分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】原料を放出する開口１１ａを有する坩堝１１と、坩堝１１の外周及び開口１１ａの縁を覆う遮蔽部材１８と、遮蔽部材１８を冷却する冷却部材２１と、坩堝１１に対向するように基板を保持する基板保持部材と、が設けられている。遮蔽部材１８には、鉛直上方から坩堝１１を覆う被覆部１９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせずに、均一に高品質な結晶が形成できるようにする。
【解決手段】まず、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の単結晶からなる基板１０１の主表面におけるテラスの幅を、主表面の（１００）面からの傾斜角度により制御する。この制御では、後述する第３工程で形成する第２半導体層１０３の第２原子間隔と、基板１０１の主表面における第１原子間隔と、自然数Ｎとを用いて表されるＮ×第１原子間隔≒（Ｎ−１）×第２原子間隔の関係が成立する条件で、テラスの幅がＮ×第１原子間隔となる状態に基板１０１の主表面を傾斜させる。なお、第２原子間隔は、第１原子間隔と同じ方向の、第２半導体層１０３を構成する原子の間隔である。 （もっと読む）

【課題】分子線源セルを破損させることなく、かつ均一な空間強度分布を維持できるＡｌ用分子線源セルを提供する。
【解決手段】蒸発させる原料を収容するルツボ１０と、ルツボ１０の側面を囲んで該ルツボ１０を加熱する分子線源ヒータ部１２と、を備え、ルツボ１０は、上端において環状の開口部１６が設けられた有底円筒状の容器と、該容器の開口部１６の全周に渡って外向きに配置され、分子線源ヒータ部１２の外側まで張り出したツバ１１と、を有することを特徴とする分子線源セル１。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶の成長方向における不純物濃度またはキャリア濃度の分布をより均一にした半導体結晶および半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体結晶中における最低不純物濃度Ｃ₁minとＣ₁min≦Ｃ₁≦１．５Ｃ₁minの関係を満たす不純物濃度Ｃ₁である結晶部分が、固化率０．１〜０．８の範囲内における結晶部分の４／７以上を占める半導体結晶とその半導体結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質の窒化物半導体基板を簡易な方法で製造する方法を提供する。
【解決手段】格子定数がａ軸方向に０．３０ｎｍから０．３６ｎｍまで、ｃ軸方向に０．４８ｎｍから０．５８ｎｍまでの化合物半導体元基板１の一方の面上に、第１の窒化物半導体層４を温度Ｔ₁でエピタキシャル成長させ、次いで、温度Ｔ₁より高い温度Ｔ₂において、第１の窒化物半導体層４の形成時に使用されるガスと元基板１とを反応させて元基板１を除去する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に代表されるIV族半導体上に、基板面に対して垂直に延びる半導体ナノワイヤを配置すること。
【解決手段】（１１１）面を有するIV族半導体基板と、前記（１１１）面を被覆し、開口部を有する絶縁膜とを含む基板を準備し；前記基板を低温熱処理して、前記（１１１）面を、（１１１）１×１面とし；前記基板に低温条件下で、III族原料またはV族原料を供給して、前記（１１１）面を、（１１１）Ａ面または（１１１）Ｂ面に変換し；前記IV族半導体基板の（１１１）面から前記開口部を通して、III−V化合物半導体ナノワイヤを成長させる。IV族半導体基板とは、シリコン基板やゲルマニウム基板であったりする。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造することができる大型で良質な半導体結晶を提供する。
【解決手段】化合物からなる半導体結晶５０であって、直径が６インチ以上であり、平均転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下である。半導体結晶５０はＧａＡｓであるか、または、ＣｄＴｅ、ＩｎＡｓおよびＧａＳｂからなる群から選ばれるいずれか１つであって、単結晶である。半導体結晶５０のボロン濃度は、３×１０¹⁶ｃｍ^-3以下である。さらに、インゴットの固化率０．１〜０．８の領域にわたるカーボン濃度は、０．５×１０¹⁵ｃｍ^-3〜１．５×１０¹⁵ｃｍ^-3である。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ，ＩｎＰ，ＧａＰ，ＩｎＡｓ等の化合物単結晶において、単結晶から得られるウエハの取得歩留りを改善させる化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガスを充填した耐圧容器内に収容したルツボ５に原料と液体封止剤とを収納して加熱し、種結晶７を原料融液に接触させつつ回転させながら単結晶１０を成長させる化合物半導体単結晶の製造方法において、ルツボの内半径がｒ（ｍ）であるときに、種結晶の回転数を５．８ｅ^４．９ｒ（ｒｐｍ）以下とすることにより、成長中の単結晶固体と原料融液との界面（固液界面）を、その全面に亘って凸型面とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム化合物半導体層及び窒素化合物半導体層の両方の形成に際してＡｌの混入を低減可能な、化合物半導体を成長する方法を提供する。
【解決手段】ＭＢＥ用の原料供給装置５１では、Ｎラジカルガン５３は原料チャンバ５５に保持されており、原料チャンバ５５はＮラジカルガン５３のためのプラズマ生成用の空間を提供する。原料チャンバ５５は排気システム５９にゲートバルブ６１を介して接続されている。原料チャンバ５５は、ゲートバルブ５７を介して成長用チャンバ１３ｃに接続され、原料供給装置５１はゲートバルブ５７を通して窒素原料を成長用チャンバ１３ｃに供給できる。ゲートバルブ６５の開閉は、窒素以外の原料源の動作と独立している。化合物半導体を成長する方法において、窒素ラジカルビームを提供するための期間に、ゲートバルブ５７を開きまた窒素ラジカルビームを提供しない期間に、ゲートバルブ５７を閉じる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体量子ドットの製造方法に関し、Ｓｉ基板上で３次元電子閉じ込めを実現できるドット状の良好な形状特性をもち、且つ、結晶性良好な化合物半導体量子ドットを実現させようとする。
【解決手段】Ｓｉ_1-x-y Ｇｅ_x Ｃ_y （ｘ≧０、ｙ≧０）バッファ層２上にＩｎＡｓ量子ドット５を形成するのに必要な化合物半導体原料の一方の族の原料、例えばＡｓＨ₃ のみを先行して供給した後、全ての原料、例えばＡｓＨ₃ 及びＴＭＩｎを供給してＩｎＡｓ量子ドット５を形成する工程が含まれる。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造することができる大型で良質な半導体結晶を提供する。
【解決手段】化合物からなる半導体結晶５０であって、直径が６インチ以上であり、平均転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下である。半導体結晶５０においては、平均転位密度が５×１０³ｃｍ^-2以下であることが好ましく、また、直径が８インチ以上であることが好ましい。化合物の材料としては、ＧａＡｓとするか、または、ＣｄＴｅ、ＩｎＡｓおよびＧａＳｂからなる群から選ばれるいずれか１つとする。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板からバルク金属汚染を除去するための単一工程の方法を提供する。
【解決手段】該方法は、金属汚染したＩＩＩ−Ｖ族半導体基板を、体積比ｘ：ｙ Ｈ_２ＳＯ_４：Ｈ_２Ｏ_２（ｘは３〜９、ｙは１）を有する硫酸および過酸化物の混合物の中に浸漬することを含む。本発明の実施形態に係る方法を用いてＩＩＩ−Ｖ族半導体基板を処理した後、バルク金属汚染は、基板からほぼ完全に除去できるとともに、処理後の基板の表面粗さは、２μｍ×２μｍの表面グリッドに関して０．５ｎｍＲＭＳ未満とすることができる。本発明は、半導体デバイスを製造する更なる処理ステップを実施する前に、本発明の実施形態に係るバルク金属汚染を除去する方法を用いて、半導体デバイスを製造するための方法を提供する。 （もっと読む）

第１半導体材料の結晶基板と、結晶基板の表面上に配置されるマスク（１１）とを含む半導体ヘテロ構造（１０）である。マスク（１１）は、９００ｎｍ以下の幅（ｗ）を有する複数の細長い開口部（１３，１４）を含む開口（１２）を有する。細長い開口部の少なくとも第１開口部（１３）は、複数の細長い開口部のうちの少なくとも１つの第２開口部（１４）に対して非平行に配向される。半導体ヘテロ構造（１０）は、開口（１２）を充填してマスクをカバーする第２半導体材料のオーバーグロース結晶層をさらに含む。かかる半導体ヘテロ構造の製造方法も提示される。
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【課題】ＶＢ法、ＶＧＦ法によって製造された化合物半導体単結晶基板において、化合物半導体単結晶基板面内のキャリア濃度をより均一化した化合物半導体単結晶基板を提供する。
【解決手段】容器２の底部に予め配置した種結晶Ｓより結晶成長を開始し、徐々に上方に結晶化を進行させ、容器２内に収納した原料融液Ｍ全体を結晶化させ、得られた結晶を切断する方法によって製造された化合物半導体単結晶基板において、
以下の条件Ａ〜条件Ｃのうち、
条件Ａ：基板面内のキャリア濃度の平均値が１．０×１０¹⁸〜５．０×１０¹⁹／ｃｍ³ 条件Ｂ：基板面内のキャリア濃度の最大値、最小値が、基板面内のキャリア濃度の平均値から±５％のばらつきの範囲内
条件Ｃ：基板面内の転位密度の平均値が０〜５０個／ｃｍ² の少なくとも２つの条件を満たすものである。 （もっと読む）

本発明は基板上のナノワイヤのエピタキシャル成長に関する。特に、本発明は触媒としてＡuを使用せずにＳi基板上のナノワイヤの成長に関する。本発明に基づく方法では、酸化物テンプレートを不活性化した基板表面に提供する。酸化物テンプレートは、その後のナノワイヤ成長のために複数の核形成開始位置を画定する。１つの実施例では、有機薄膜を酸化物テンプレートを形成するために使用する。
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【課題】鋳型構造を用いずに金属ナノワイヤを成長させ、外部環境検出ナノワイヤセンサおよび外部環境ナノワイヤセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】外部環境ナノワイヤセンサおよびその製造方法を提供する。上記方法は、シリコンなどの基板１０２から第１の複数のナノワイヤ１０８を成長させ、インシュレータ層１２０を第１の複数のナノワイヤ１０８上に堆積させ、エッチングによって第１の複数のナノワイヤの先端部１１６を露出させ、電極の端部１１４が第１の複数のナノワイヤの先端部１１６の上にまたがるようにパターン化された金属の電極１１２を形成し、エッチングによって電極の端部１１４の下にある第１の複数のナノワイヤ１０８を露出させる方法である。また、上記方法では成長プロモーション層が基板の上に形成される構成としてもよい。上記構成物は、選択的に形成された成長プロモーション層から成長し、露出されたナノワイヤを含む。 （もっと読む）

ナノエンジニアリングを用いた構造であって、基板上に所定の空間配置でおよそ１０００以上のナノウィスカのアレイを有し、例えばフォトニックバンドギャップアレイなどに用いられ、各ナノウィスカは所定のサイトから、そのナノウィスカと最隣接ウィスカとの距離のおよそ２０％以内に位置する。アレイの形成に際し、触媒物質塊のアレイを基板上に位置決めし、熱を加えかつ気体状の物質を導入して各塊から触媒シード粒子を生成し、触媒シード粒子から所定物質のナノウィスカをエピタキシャルに成長させ、その際各塊は融解したときに基板表面との界面をほぼ同一のまま維持し、塊を前記表面を横切って移動させる力は基板表面におけるぬれ界面を介しての保持力よりも小さい。
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【課題】低温でもアルシンを用いたＧａＡｓ系化合物半導体の成長を可能とする気相成長装置を提供すること。
【解決手段】反応管１０と、前記反応管に成長ガスを導入するガス導入管９と、前記反応管内に基板を設置する手段２と、前記基板を加熱する手段４を具備しエピタキシャル層を気相成長する装置において、前記反応管１０またはガス導入管９の少なくとも一方に、アルシンを分解する手段（電磁波を放射する手段１１）を設ける。 （もっと読む）

【目的】エピタキシャル成長面の凹凸が小さく、良好な特性を有し、生産性に優れた半導体エピタキシャル基板を提供する。
【構成】基板の結晶学的面方位が、１つの｛１００｝面の結晶学的面方位から傾いており、その傾きの大きさが0.05°以上0.6°以下である単結晶砒化ガリウム基板上にエピタキシャル成長により結晶が形成されており、エピタキシャル結晶の少なくとも一部がＩｎ_x Ｇａ_(1-x) Ａｓ結晶（ただし０＜ｘ＜１）であり、かつエピタキシャル成長が熱分解気相成長方法によって行われることを特徴とする半導体エピタキシャル基板。 （もっと読む）