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Fターム[4G077BE46]の内容

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【課題】大口径化しても、スリップの発生を抑制できるGaAsウェハ及びその製造方法
を提供する。
【解決手段】LEC法によりGaAs単結晶を成長する成長工程と、成長工程で得られた
GaAs単結晶をスライスしてGaAsウェハを作製するウェハ作製工程とを有するGa
Asウェハの製造方法において、成長工程では、成長工程で得られるGaAs単結晶中の
硫黄原子濃度が一様に2×1014cm−3以上となるように、原料中に硫黄を添加する
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【課題】種結晶からのAsの脱離を可能な限り抑制し、Asの脱離に基いて生じる凝集Gaが固液界面へ到達することで引き起こされる成長結晶の多結晶化を防止することができるLEC法による化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 本実施例のLEC法によるGaAs単結晶(化合物半導体単結晶)の製造方法では、種結晶4が液体封止材10の表面14の上方100mmから表面14に到達するまでの時間を10分以内となるように引下げる。若しくは、引上げ軸3の引上げ開始の位置から10mm引上げするまでの引上速度vを3mm/hr≦v≦10mm/hrとする。また、ルツボ5は、地面20から上部ヒータ11の発熱中心11Aまでの高さh1と地面20から液体封止材10の表面14までの高さh2との差h2−h1が10mm≦h2−h1≦25mmとなるように昇降移動させる。 (もっと読む)


【課題】分子線エピタキシー(MBE)による成膜に先立って、原料蒸発源セルの周辺に存する不純物を、原料を浪費することなく除去して所期の高真空度を達成し、容易且つ確実に信頼性の高い成膜を実現する成膜装置、成膜方法、及び化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】MBE装置は、原料10が充填される坩堝11と、坩堝11を覆うように配置された第1のヒータ13と、第1のヒータ13を覆うように配置された熱反射板14と、熱反射板を覆うように配置された第2のヒータ15とを備えた原料蒸発源セル2と、原料蒸発源セル2の少なくとも一部を囲み、その壁面を液体窒素温度に冷却することができるシュラウド4とを含み構成される。 (もっと読む)


【課題】高いキャリア濃度を有し、かつ、高い結晶性を有するGaAs単結晶の製造方法およびGaAs単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】種結晶10、不純物となるSi原料12およびGaAs原料14、固体の二酸化ケイ素(石英板)、ならびに酸化ホウ素原料18をるつぼ4内に収容した状態で縦型ボート法を行い、GaAs単結晶20を成長させる。成長前の加熱により石英板が融解し、原料溶融時点では既にGaAs融液15と液体B2O319との界面近傍に、極めてSiO2濃度の高い層(SiO2高濃度層17)が形成されるため、原料融解時から結晶成長時にわたって、ホウ素濃度を低く抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、GaAs単結晶ウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、そのウエハ自身の反りや、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減し、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップ不良の発生が無いGaAs単結晶ウエハ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、半径方向歪をSr、円柱接線方向歪をStとするとき、半絶縁性GaAsウエハ平面内の残留応力|Sr−St|が、前記平面内の中心部で|Sr−St|が1.0×10−5未満であり、その外周部で|Sr−St|が1.0×10−5以上である領域及び前記外周部の[0ll]方向で|Sr−St|が1.0×10−5未満である領域が存在することを特徴とするGaAs単結晶ウエハ及びその製造方法にある。 (もっと読む)


【課題】水平ボート法を用いて形成されたインゴットから十分な薄さの化合物半導体基板を低コストで得ることが可能な化合物半導体単結晶基板の製造方法および当該化合物半導体単結晶基板を提供する。
【解決手段】化合物半導体単結晶基板の製造方法は、(111)方向に水平ボート法を用いて形成された化合物半導体からなる単結晶インゴット1を準備する工程と、当該インゴット1を治具により固定する工程と、治具により固定されたインゴット1を、ワイヤソーを用いて(100)±7°または(511)±7°の面方位で、ワイヤソーのワイヤ7を(01−1)方向に往復に送りながら、治具により固定されたインゴット1をワイヤ7の往復方向と直行する方向に上昇させて、ワイヤ7を用いてスライスする工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】Siオフ基板上にGaAsを低欠陥密度でヘテロエピタキシャル成長させることのできる半導体基板及び半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体基板の製造方法は、主表面を{1 0 0}面から<0 1 1>方向へ傾斜させたSiオフ基板1に、(CHInガスを供給しながらGaAs層の成長温度よりも高い温度で熱処理するステップと、(CHInガスの供給を停止して熱処理されたSiオフ基板1の温度をGaAs層の成長温度まで低下させるステップと、Siオフ基板1上にGaAs層を成長させるステップとを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】簡単な製造方法を有し、コストが低く、高品質のエピタキシャル構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板100を提供する第一ステップと、前記基板100の結晶面101に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層102を配置し、前記基板100の結晶面101の一部を前記カーボンナノチューブ層102の複数の空隙によって露出させる第二ステップと、前記基板100の結晶面101にエピタキシャル層104を成長させ、前記カーボンナノチューブ層102を覆う第三ステップと、前記カーボンナノチューブ層102を除去する第四ステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】種結晶表面へのガリウムの析出を防止し、それを原因とする多結晶部の発生を抑止した化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料及び液体封止剤を入れたるつぼを加熱して原料及び液体封止剤を融解し、融解した原料融液に接触させた種結晶を引き上げることにより、化合物半導体単結晶を成長させる液体封止チョクラルスキー法を用いた化合物半導体単結晶の製造方法において、表面に金属保護膜を形成した種結晶を用いるものである。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスを効率よく製造するために、基体の種類の如何を問わずに効率よく半導体ウエハを製造することができる半導体ウエハの製造方法、ならびにかかる製造方法に好適に用いられる複合基体および複合基板を提供する。
【解決手段】本半導体ウエハの製造方法は、基体10上に、表面のRMS粗さが10nm以下の基体表面平坦化層12を形成して複合基体1を得る工程と、複合基体1の基体表面平坦化層12側に半導体結晶層20aを貼り合わせて複合基板3A,3B,3Cを得る工程と、複合基板3A,3B,3Cの半導体結晶層20a上に少なくとも1層の半導体層30を成長させる工程と、基体表面平坦化層12をウェットエッチングで除去することにより、基体10から半導体結晶層20aを分離して、半導体結晶層20aおよび半導体層30を含む半導体ウエハ5を得る工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】安定した半導体結晶を歩留まり良く得ることができる半導体結晶の製造方法を実現する。
【解決手段】ルツボ3内に収容した原料7及び液体封止材8を加熱、溶融し、ルツボ内に生成した原料融液に種結晶4を接触させつつ該種結晶を引上げて成長結晶11を得る半導体結晶の製造方法において、引上げる半導体結晶の頭部11aにガス吹き付け装置12によって窒素又はアルゴン又は二酸化炭素又は一酸化炭素のガスを吹き付けて前記半導体結晶内の軸方向の温度勾配を8〜15℃/mmに制御することにより、安定した単結晶を歩留まり良く製造する。 (もっと読む)


【課題】MBE成膜装置において、フェイスアップ状態で被処理体の表面に化合物半導体よりなる薄膜を形成することができる原料供給装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体の製造に用いる原料を供給する原料供給装置62において、鉛直方向に延びて外周面が液体を流下させることができるような表面である液体流下面90になされた原料保持体64と、原料保持体の高さ方向の途中に設けられて原料の液体である原料液体を貯留すると共に濡れ性によって原料液体を液体流下面90に沿って流下させる原料液体貯留部66と、原料保持体内に設けられて、原料液体貯留部を原料が濡れ性を発揮するように加熱すると共に原料保持体の先端部を原料液体の蒸発温度まで加熱する加熱手段68とを備える。 (もっと読む)


【課題】加熱されたセル上へのフレークの落下付着を防止する分子線結晶成長(MBE)装置のシャッタ機構を提供する。
【解決手段】動作時に、セル2の中心軸上で該セル2と対向する位置において蒸発原料を通過させる開口部11を備え、非動作時には、該開口部11以外の部分でセル2上面を覆うシャッタ板1と、シャッタ板1の側面に一体的に取り付けられ、セル2の側面の一部または全体を覆うスカート部4と、シャッタ板1を回転または移動させる駆動軸3と、を有し、シャッタ開の状態でも、セル2の分子線照射開口以外を覆うことを特徴とする分子線結晶成長装置のシャッタ機構。 (もっと読む)


【課題】III−V族、II−VI族および関連する単結晶半導体化合物が、封止されたアンプルの剛性サポート、炭素ドーピングおよび抵抗率の制御、および熱勾配の制御によって成長する。
【解決手段】サポート・シリンダは、統合されて封止されたアンプル・るつぼ装置を支持し、その一方で、サポート・シリンダの内部の低密度断熱材が対流および伝導伝熱を防止している。低密度材料を貫通する輻射チャネルによって、シード・ウェルおよび結晶成長るつぼの移行領域に出入する輻射熱が伝達される。シード・ウェルの直下に位置する断熱材中の中空コアによって成長している結晶の中心部が冷却され得、結晶インゴットの均一・水平な成長と、平坦な結晶−溶融帯の界面が得られ、従って、均一な電気的特性を備えたウェーハを得る事が出来る。 (もっと読む)


【課題】基板加熱用ヒータと電極部品との接続部へのプロセスガスの回り込みによる劣化を抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室11にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構12と、前記反応室より前記プロセスガスを排出するガス排出機構13と、前記反応室にウェーハWを載置するウェーハ支持部材15と、該ウェーハ支持部材を載置するリング16と、該リングと接続され、前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構17と、前記リング内に設置され、前記ウェーハを所定の温度に加熱するために設けられ、平面度0〜0.01mmの電極接触面18cを有するヒータ18aと、該ヒータの前記電極接触面と、平面度0〜0.01mmの接触面19aで接続され、前記ヒータに電力を供給する電極部品19と、を備える半導体製造装置とする。 (もっと読む)


【課題】大口径化しても、スリップ不良の発生を抑制できるGaAsウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】LEC法によりGaAs単結晶を成長する成長工程と、成長工程で得られたGaAs単結晶をスライスしてGaAsウェハを作製するウェハ作製工程とを有するGaAsウェハの製造方法において、成長工程では、GaAs単結晶と原料融液との固液界面の形状が原料融液側に凸状となっており、原料融液と前記液体封止剤との界面から原料融液中のGaAs単結晶の先端部までの長さT1と、GaAs単結晶の外径T2との比T1/T2が、0.25≦T1/T2≦0.45であり、ウェハ作製工程で得られたGaAsウェハは、ユニバーサル硬度がウェハ面内で一様に4000N/mm以上4850N/mm以下である。 (もっと読む)


【課題】カーボンヒータや炉内カーボン部品の寿命を延長して設備費用を削減でき、高品質な結晶半導体を製出可能である結晶半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置された坩堝に貯留した半導体融液を、前記坩堝の底部から冷却して凝固させるとともに結晶半導体を成長させる結晶半導体の製造方法であって、前記チャンバ内の圧力を10−4Pa以下に減圧し、該チャンバ内の水分を除去する水分除去工程S10と、前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入工程S20と、前記坩堝内に収容した半導体原料をヒータで加熱し溶解させて前記半導体融液とする溶解工程S30と、前記坩堝を底部から冷却して、前記半導体融液を凝固させるとともに結晶半導体を成長させる成長工程S40と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】多結晶の発生を抑制することのできるGaAs単結晶の製造方法及びGaAs単結晶を提供する。
【解決手段】窒素を含む雰囲気ガスで充填される反応容器2内に設置され、GaAsの原料9を収容しているルツボ5を加熱し、原料を融解させて原料融液にする原料融解工程と、GaAsの種結晶4を原料融液に接触させ、種結晶4の先端からGaAs単結晶8を成長させると共に、GaAs単結晶8の表面に窒化物薄膜を形成する単結晶成長工程とを備える。 (もっと読む)


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