【課題】合成対象とする結晶材料或いは当該材料原料の融点以下の温度で、従来では得られない大きさの単結晶を得る。
【解決手段】所定の温度勾配を形成でき、所定期間、所望の温度にて保持できる加熱装置１と、この加熱装置１の加熱源によって加熱される筒状容器２とを用い、多結晶材料或いは当該材料原料の出発原料３（ＴｌＦｅ₂Ｓｅ₂）を円筒状のペレットに成形して筒状容器２の載置部２１に載置し、重力場などの原子がマクロに移動可能な駆動力場下で、その出発原料３の融点以下の温度である７００℃にて塑性変形を生じさせるとともに、この塑性変形が終了する十分な時間である７００℃で保持することで大型の単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】マグネシウム以外の金属についても、固相反応させることにより、色中心含有金属酸化物を得て、色中心発光特性を有する発光媒体を提供する。
【解決手段】カチオンが電子を受け取って金属原子となる際の標準電極電位が−２．８７〜−２．２（Ｖ）で、かつ、アルカリ金属，マグネシウムを含むアルカリ土類金属、もしくは、スカンジウムを除く希土類元素のいずれかに属する金属と、酸化物を構成する金属の標準電極電位が−１．７〜＋０．４（Ｖ）である酸化物とを、所定の雰囲気下で、所定の温度で加熱する固相反応工程と、固相反応工程で得られる金属の昇華物を回収する工程とから成る。得られる昇華物は、酸素空孔を多量に導入させた金属酸化物であり、色中心由来の発光特性を有する。金属と固相反応させる酸化物のバリエーションを増やして、工業的生産の利便性を図る。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置の半導体層の形成に好適に使用できる酸化チタン構造体及びその製造方法、並びに高い光電変換効率を有する光電変換装置を提供すること。
【解決手段】酸化チタン構造体の製造方法は、Ｔｉ基板の面に酸化チタンナノワイヤを作製する工程と、オキシ硫酸チタン、尿素を溶解させた溶液中に酸化チタンナノワイヤを浸漬させて、酸化チタンナノワイヤ３ａの表面に酸化チタン微粒子３ｂを形成する工程と、酸化チタン微粒子が形成された酸化チタンナノワイヤを回収し、乾燥させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＭｎＳｉ相の含有量が少ないＭｎＳｉ_x粉末及びその製造方法、並びに、ＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＭｎＳｉ_2-z相を主成分とし、ＭｎＳｉ相の含有量が７％以下、Ｓｉ／Ｍｎ比（ｘ）が１．５≦ｘ＜２．０、一次粒子のアスペクト比が５以下、比表面積が２．５ｍ²／ｇ以上であるＭｎＳｉ_x粉末。ＣａＳｉ₂相を主成分とし、ＣａＳｉ相の含有量が１０％以下、Ｓｉ／Ｃａ比（ｙ）が１．５≦ｙ≦２．０であるＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末。Ｃａ源とＳｉ源とを、Ｓｉ／Ｃａ比（モル比）が１．５〜２．０となるように配合し、原料を溶解させ、溶湯を凝固させるＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末の製造方法。ＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末と塩化Ｍｎとを、Ｍｎ／Ｃａ比（モル比）が１以上となるように混合し、混合物を加熱し、反応物を溶媒で洗浄するＭｎＳｉ_x粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜が形成された立方晶炭化珪素半導体基板を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１と、シリコン基板１１の上に立方晶炭化珪素がエピタキシャル成長して形成された立方晶炭化珪素エピタキシャル膜１２と、を含み、立方晶炭化珪素エピタキシャル膜１２は、シリコン基板１１においてミラー指数（１００）で表される結晶面である第１の面１１ａの上に形成され、シリコン基板１１においてミラー指数[１００]で表される第１の軸Ｌ１に対して、立方晶炭化珪素エピタキシャル膜１２においてミラー指数[１００]で表される第２の軸Ｌ２が、シリコン基板１１においてミラー指数[０１１]で表される第１の方向に所定の角度Θ傾いた状態で形成されている。 （もっと読む）

【課題】高配向度及び高密度を兼ね備え、優れた圧電特性を発揮することができる結晶配向セラミックスの製造方法、及び該結晶配向セラミックスを製造するための異方形状粉末を提供すること。
【解決手段】前駆体１を酸処理し加熱して得られ、結晶面｛１００｝面が配向する配向粒子からなる異方形状粉末、及びこの異方形状粉末を用いて得られる結晶配向セラミックスである。異方形状粉末は、次のようにして得られる。まず、所定の組成のビスマス層状ペロブスカイト型化合物を前駆体１の目的組成とし、この目的組成とは異なる配合割合で原料を混合して原料混合物を作製する。次いで、原料混合物を加熱することにより、前駆体１を合成する。前駆体１を３時間以上酸処理して酸処理体を得る酸処理体に、Ｋ源及び／又はＮａ源を添加し、フラックス中で加熱することにより、異方形状粉末を得る。 （もっと読む）

【課題】広い表面積を有する分枝状ナノワイヤーを容易に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン系ナノワイヤ-50の表面を湿式エッチングし、表面欠陥56を形成する。次いで、シリコン系ナノワイヤー50を脱イオン水または空気中に露出させ、表面に酸化物層52を形成する。この工程で、シリコン系ナノワイヤーの表面にはシリコン核54が形成される。この後、シリコン核より分枝状ナノワイヤーを成長させる。本方法によれば、単一形状のナノワイヤーではなく枝が付いたナノワイヤーを製造できる。 （もっと読む）

【課題】形成される炭化シリコン層の結晶性を悪化させることなく、従来に比べて生産性を向上させることができる炭化シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の表面にシリコン酸化層２を形成し、シリコン基板１内にシリコン酸化層２を通して炭素イオンを注入することによりシリコンと炭素の混在した炭素含有層３を形成し、シリコン基板１からシリコン酸化層２を選択的に除去することにより炭素含有層３を露出させ、シリコン基板１を熱処理して炭素含有層３を単結晶化させることにより単結晶炭化シリコン層４を形成し、熱処理の過程で単結晶炭化シリコン層４の表面に形成された酸化層５を除去することにより単結晶炭化シリコン層４を露出させて、ＳｉＣウエハ１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、低い融点を有することから低温での焼結が可能であり、相対密度が高く透明性に優れるとともに種々の熱的特性にも優れる安価な透光性セラミックスを提供することにある。
【解決手段】本発明の透光性セラミックスは、ＺｎとＡｌとを含む酸化物またはＭｇとＺｎとＡｌとを含む酸化物である複合酸化物からなるものであって、該複合酸化物は、単結晶または多結晶体であり、かつスピネル型結晶構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】任意の形状を有しかつアスペクト比の高い圧電単結晶または圧電セラミックの微細な柱状体を高い寸法精度で任意に配置させた微細圧電列柱構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】微細な柱状圧電列柱を形成するための複数の貫通孔を有する薄板形状のマシナブルセラミックス製のセラミックス型１を用意し、そのセラミックス型の片面に種子単結晶基板２を接合し、セラミックス型に圧電セラミックス前駆体３を充填し、セラミックス型に充填された圧電セラミックス前駆体を焼成して複数の微細な柱を配列した列柱構造を有する微細圧電セラミックス構造体４を形成する。その後、微細圧電セラミックス構造体について熱処理を行って単結晶化することにより微細圧電単結晶列柱構造体５を得る。 （もっと読む）

【課題】原炭化珪素基板に内在する微細な転移欠陥等を十分に終端すると共に、新たな微細欠陥の発生を抑制することのできる半導体基板の製造方法およびそれによって製造される半導体基板を提供する。
【解決手段】単結晶の原炭化珪素基板１０上に、９０ａｔｍ％以上のＳｉ原子からなるシリコン供給部３０を形成するシリコン供給部形成工程と、Ｓｉ原子を１０ａｔｍ％以下とし、熱分解してＣ原子を供給可能な炭素供給部４０を形成する炭素供給部形成工程と、シリコン供給部３０および炭素供給部４０が形成された原炭化珪素基板１０を１８００℃以上で熱処理する熱処理工程と、熱処理後において、原炭化珪素基板１０に当接して形成される低転移欠陥炭化珪素層５０を残して、低転移欠陥炭化珪素層５０上の熱処理生成物６０を除去する熱処理生成物除去工程とを有してなる半導体基板１００の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】比較的安価な多結晶ＳｉＣ基板を母材基板として歪みが少なく大型で結晶性の良い単結晶ＳｉＣ基板を安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ母材層２に所定厚さの表面Ｓｉ層３と埋め込み酸化物層４が形成されたＳＯＩ基板１に対し、表面Ｓｉ層３側からＰイオンを注入することにより、埋め込み酸化物層４をＰＳＧ層６に変成させて軟化点を低下させるＰイオン注入工程と、ＰＳＧ層６が形成されたＳＯＩ基板１を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して表面Ｓｉ層３をＳｉＣに変成させたのち冷却させて表面に単結晶ＳｉＣ層を形成するＳｉＣ形成工程とを行なう。 （もっと読む）

【課題】強誘電体メモリ用途ＰＺＴにおいて、ＺｒとＴｉの比率が５２／４８を境にＺｒを多く含む稜面体晶ＰＺＴの場合、スリムなヒステリシス形状を示し、低電圧駆動が可能であるが、角型性が不良なヒステリシスを示し、Ｔｉをリッチに含む正方晶ＰＺＴの場合、角型性良好なヒステリシスの形状を有しているが、抗電界が大きく、低電圧駆動が困難であり、信頼性が確保出来ないという課題があった。
【解決手段】正方晶ＰＺＴ形成用ゾルゲル溶液において、有機酸のエステルを４≦ｐＨ＜７の範囲で添加し、３次元巨大ネットワークゲルを形成し、添加剤の添加前よりも、Ｐｔ（１１１）膜被服基板の格子情報を生かした（１１１）配向ＰＺＴ膜を提供する。或いは、稜面体晶ＰＺＴ強誘電体膜形成用ゾルゲル溶液において、塩基性のアルコールを７≦ｐＨ＜１０添加することで、２次元微小ネットワークゲルを形成し、添加剤の添加前よりも、目的の稜面体晶ＰＺＴ強誘電体結晶自身が安定に存在できる方向の（００１）配向膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来にない極めて高品質で大面積の単結晶ＳｉＣを安定してエピタキシャルに連続成長させることが可能な単結晶ＳｉＣ製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶が固定されたサセプタ５及び原料供給管６を坩堝２内に配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性ガスＡと共にＳｉＣ種結晶４上に供給してＳｉＣ単結晶９を成長させる成長工程を含み、単結晶ＳｉＣ製造用原料として、ＳｉＣ粒子、ＳｉＯ₂粒子及びカーボン粒子の原料３成分を供給する工程を含み、原料供給管６先端の内径がＳｉＣ種結晶４の結晶径の８０％以上となるように加工されている単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム単結晶を種結晶上に成長させる窒化アルミニウム単結晶の製造方法で、窒化アルミニウム単結晶の製造を絶え間なく連続的に行うことを可能とする方法を提供する。
【解決手段】種結晶３として、炭化珪素、サファイア、又は、窒化アルミニウム等からなるウルツ鉱型の結晶構造を有する単結晶を用い、種結晶３上に窒化アルミニウム単結晶を成長させてなる窒化アルミニウム単結晶の製造方法であって、窒素を含む雰囲気中に加熱状態で保持されている種結晶３表面に向けて、アルミニウム原子を含有する化合物超微粒子と炭素含有超微粒子、及び又は、炭素原子と窒素原子を含有する化合物超微粒子を供給し、種結晶３表面、及び又は、近傍において、還元窒化させ、窒化アルミニウム単結晶を種結晶３上に成長させる。 （もっと読む）

【課題】高品質な単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに安定して連続成長させる単結晶ＳｉＣ製造方法、及び、その方法で得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】高温加熱保持することができる坩堝内にＳｉＣ単結晶を成長させるためのＳｉＣ種結晶３及び単結晶ＳｉＣ製造用原料を供給するための原料供給管を配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性ガスと共に原料供給管を通してＳｉＣ種結晶上に供給して単結晶ＳｉＣを成長させる成長工程を含み、配置工程において、ＳｉＣ種結晶をＳｉＣ種結晶に応力がかからないように保持手段１、２により原料供給管の末端近傍に配置し、かつ、成長工程において、単結晶ＳｉＣ製造用原料としてＳｉＣ粒子、ＳｉＯ₂粒子及びカーボン（Ｃ）粒子の原料３成分を供給する単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来にない極めて高品質な単結晶ＳｉＣを安定してエピタキシャルに連続成長させることが可能な単結晶ＳｉＣ製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５及び原料供給管６を坩堝２内に配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性ガスＡと共にＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣ９を成長させる成長工程を含み、単結晶ＳｉＣ製造用原料として、ＳｉＣ粒子、ＳｉＯ₂粒子及びカーボン粒子の原料３成分を供給する。 （もっと読む）

【課題】化学的に安定で光活性の高い結晶面に配向した一次元構造のペロブスカイト型酸化物が基板に対して垂直方向に配向している機能性材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】基材と、該基材の表面に形成される被膜からなる機能性材料であって、前記被膜にペロブスカイト型酸化物の柱状物質を含み、前記柱状物質の長手方向がペロブスカイト型結晶の（１１０）方向に配向している機能性材料。
前記ペロブスカイト型酸化物の柱状物質が単結晶であり、また前記ペロブスカイト型酸化物の柱状物質の長手方向が基材に対して垂直方向に配向している機能性材料。 （もっと読む）

【課題】高品質な単結晶ＳｉＣを安定してエピタキシャルに連続成長させることが可能な単結晶ＳｉＣ製造方法及びその製造装置並びにその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４’が固定されたサセプタ５’及び不活性ガス供給管６’を坩堝２’内に配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２’内に単結晶ＳｉＣ製造用原料７’を不活性ガスＡと共にＳｉＣ種結晶４’上に供給して単結晶ＳｉＣ８’を成長させる成長工程を含み、単結晶ＳｉＣ製造用原料７’がＳｉＣ粒子である単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶ドメインの混在のない高品質な単結晶ＳｉＣを安定してエピタキシャルに成長させることが可能な単結晶ＳｉＣ製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５及び単結晶ＳｉＣ製造用原料を供給するための原料供給管６を坩堝内に配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性ガスＡと共に原料供給管６を通してＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣを成長させる成長工程を含み、成長工程において、ＳｉＯ₂粒子と、カーボン（Ｃ）粒子と、少なくとも１つの特定粒子とを供給し、特定粒子は、融点及び／又は昇華点が９００℃以上２，４００℃以下である単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）