【課題】本発明は、結晶成長に再利用可能な反応容器を提供すべく、結晶成長に用いられた反応容器の再生方法、再生反応容器および、これを用いた結晶の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、原料、溶媒および鉱化剤の存在下で超臨界および／または亜臨界状態において結晶成長を行う結晶の製造方法に用いられた反応容器に、前記結晶の製造方法において生じた前記反応容器の変形および／または変質を修復する修復工程を施し再生反応容器とすることを特徴とする、反応容器の再生方法に関する。 （もっと読む）

【課題】微小液滴中に少なくとも１個の結晶を効率よく取得する。
【解決手段】結晶成長用容器２では、その内部に、結晶化させる物質を含む溶液の微小液滴１０が配置されている。微小液滴１０は、その最長部の長さが、結晶化させる物質の自然拡散により移動できる最大距離を示す移動可能最大距離Ｒ_ｃ以下となるような大きさに調製されている。 （もっと読む）

【課題】ホモエピタキシャルＬＥＤ、ＬＤ、光検出器又は電子デバイスを形成するために役立つＧａＮ基板の形成方法の提供。
【解決手段】約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された１以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザーダイオード（ＬＤ）用途のような照明用途、並びにＧａＮを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に１以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族−窒化物ウェハーの生成方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族−窒化物の結晶を成長させるための方法であって、以下の工程：
（ａ）熱アンモニア法により、元の種結晶上でＩＩＩ族−窒化物のインゴットを成長させる工程；
（ｂ）該インゴットからウェハーをスライスする工程；
（ｃ）該元の種結晶の窒素極側から取り出したウェハーを、引き続く熱アンモニア法によるインゴットの成長のための新しい種結晶として用いる工程；
を包含する、方法。 （もっと読む）

【課題】 レーザー照射により結晶の内部に損傷が生じた有機光学結晶の損傷を修復する方法を提供する。
【解決手段】 スチルバゾリウム誘導体からなる有機光学単結晶を、不活性ガス中で有機光学単結晶の融点以下かつ結晶分子の自由度が高まる温度以上の範囲でアニーリング処理することにより、レーザー照射により結晶の内部に損傷が生じた有機光学結晶の損傷を修復する修復方法により、テラヘルツ波の発生時間が向上した有機光学単結晶を安定して容易にかつ簡便に提供することができる。 （もっと読む）

【課題】酸素などの不純物濃度が低い窒化物半導体結晶を速い成長速度で製造する方法を提供する。
【解決手段】反応容器内で超臨界および／または亜臨界状態の溶媒３存在下にて窒化物半導体結晶２の成長を行う際に、鉱化剤としてハロゲン化亜鉛を使用する。なお、ハロゲン化亜鉛以外の化合物であるハロゲン原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または希土類金属を含む化合物を併用してもよい。また、反応容器は、白金族又は白金族を含む合金からなるカプセルである。 （もっと読む）

【課題】反応容器の大幅な破損を効果的に防止しながら、品質の高い窒化物結晶を損傷することなく得ることができるようにすること。
【解決手段】反応容器に少なくとも原料とアンモニア溶媒を充填して密閉した後、耐圧性容器内に該反応容器を装填し、該反応容器中を超臨界および／または亜臨界アンモニア雰囲気にして、該反応容器内で窒化物結晶を成長させる際に、反応容器としてその一部に圧力調整領域（２３）を備えたものを用いる。 （もっと読む）

【課題】合金形態の半導体結晶、その製造方法及び有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体結晶の製造方法は、（ａ）１種以上の１２族金属前駆体を分散剤及び溶媒と混合し、これを加熱して１２族金属前駆体溶液を得る段階と、（ｂ）１種以上の１６族元素前駆体をこれと配位可能な溶媒に溶解して１６族元素前駆体溶液を得る段階と、（ｃ）前記１種以上の１２族金属前駆体溶液と１種以上の１６族元素前駆体溶液とを混合して反応させた後、結晶を成長させる段階と、を含み、前記結晶のサイズ分布を表す光励起発光スペクトルの半値幅が５０ｎｍ以下、かつ、発光効率が３０％以上であり、前記１２族金属前駆体溶液、及び前記１６族元素前駆体溶液の濃度は０．００１Ｍないし２Ｍであり、前記（ａ）段階において、加熱が１００ないし４００℃であり、前記（ｃ）段階において、反応温度は５０℃ないし４００℃であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平坦性、結晶性および配向性に優れ、厚さ方向の熱伝導率が高く放熱性に優れたエピタキシャル成長用基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭素基板の少なくとも一方の主表面に、算術平均表面粗さＲａが０．０５μｍ以下で、表面粗さの最大値Ｒｙが０．５μｍ以下であり、Ｘ線回折法による（０００２）面のロッキングカーブの半値幅が１．５度以下であり、ラマンスペクトルにおけるＧバンドのピーク強度に対するＤバンドのピーク強度の比が０．０１以下である高結晶グラファイト層を形成してなることを特徴とするエピタキシャル成長用基板である。 （もっと読む）

【課題】高品質のＢＮＡ単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】種結晶を得る工程、及び、得られた種結晶を溶液中で成長させる結晶成長工程、を含む溶液法によるＢＮＡ結晶の製造方法であって、結晶成長工程において、種結晶は、結晶保持部材により保持されており、かつ、種結晶の主成長方向における端部で保持部材に保持され、結晶成長工程で用いる溶液は、種結晶を得る工程において種結晶が析出した後の上澄み溶液である。得られたＢＮＡ結晶は、Ｘ線回折法によるロッキングカーブ計測において、回折ピークＸ線強度の半値幅が１００秒以下である。 （もっと読む）

【課題】金属有機化合物の熱分解による超電導膜の熱処理形成において、低コストで大きい膜厚と配向性を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】０．６〜数μｍ程度の膜厚の超電導膜材料の製造において、塗布熱分解法における仮焼成工程の前に、ＫｒＣｌ紫外エキシマランプ光を１５ｍＷ／ｃｍ^２以上の照度で照射することにより、仮焼成工程で得られる仮焼成膜の元素分布の均一性が著しく向上し、その後の本焼成工程を経て、大きい膜厚と配向性をもつ超電導膜が製造できる。 （もっと読む）

【課題】円筒形高圧ベッセルを使用してＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法を提供すること。
【解決手段】円筒形高圧ベッセルを使用してＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法であって、結晶化領域内にＩＩＩ族窒化物シード結晶を装填し、強化剤領域内にＩＩＩ族含有供給源を装填するステップと、アルカリ金属含有鉱化剤が酸素または水分に最小に曝露される態様で、高圧ベッセル内に鉱化剤を装填するステップと、高圧ベッセルを密封するステップと、高圧ベッセルを１×１０^−５ミリバールより低い圧力までポンプするステップと、高圧ベッセルをアンモニアで充填するステップと、結晶化領域の温度を５００℃より上で傾斜をつけるステップと、に記載された温度条件を、結晶を成長させるのに十分長い間、維持するステップと、アンモニアを放出して結晶成長を停止させるステップと、高圧ベッセルを密封解除するステップとを含む、方法。 （もっと読む）

【課題】酸性鉱化剤を使用しながら、アモノサーマル法によって均質な窒化物結晶を実用的な速度で成長させること。
【解決手段】臭化アンモニウムかヨウ化アンモニウムの少なくとも一方が溶解したアンモニア中に原料を溶解する領域の温度と、原料が溶解したアンモニアから窒化物結晶を成長させる領域の温度差を５〜７０℃にする。 （もっと読む）

【課題】第１族金属イオンとアクセプタドーパントのイオンを含んでいるバルク単結晶ガリウム含有窒化物を得る方法及びそれで作られたエピタキシー基板とその基板で製造されるデバイスを提供する。
【解決手段】超臨界のアンモニア含有溶液から単結晶ガリウム含有窒化物のシード上への晶出(結晶化)工程から構成され、アクセプタドーパントイオンの超臨界のアンモニア含有溶液に対するモル比は少なくとも0.0001である。また、シード上で晶出させる工程後、950℃と1200℃の間の温度、望ましくは950℃と1150℃の間の温度で窒化物をアニールする工程から構成される。 （もっと読む）

【課題】 フォトメカニカル効果を示し、有機化合物とは異なる性質を有する全く新規なフォトメカニカル物質及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 金属ジチオナイト錯体からなる針状単結晶であり、光異性化反応により結晶形状変化を起こす。金属ジチオナイト錯体は、例えば下記式１で示される構造を有する。この構造の金属ジチオナイト錯体において、例えば置換基Ｒはｎ−ブチル基であり、金属原子Ｍはロジウムである。針状単結晶は、金属ジチオナイト錯体を合成した後、ジクロロメタンを含む混合溶媒から再結晶することにより得る。
【化１】
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【課題】高温高圧条件を採用せずに、アモノサーマル法による窒化物結晶の成長速度を速める方法を提供する。
【解決手段】超臨界アンモニアに腐食または溶解しないアンモニア熱分解触媒７を含むアンモニア中において、アモノサーマル法により窒化物結晶を成長させる。アンモニア熱分解触媒７は、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｗ，ＲｅまたはＯｓからなる単体であるか、あるいは、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，ＩｒまたはＰｔのいずれかの金属とその他の金属との合金である。 （もっと読む）

【課題】成形性に優れ鉛を含まない新規な強誘電体を提供すること。
【解決手段】ＢａアルコキシドとＴｉアルコキシドとＫＦとが混合された溶液を、ゾルゲル法によって、１０００℃未満の温度で有機分を除去することにより、ＢａＴｉＯ_３結晶のＢａの一部がＫにＯの一部がＫと同量のＦに置換された結晶粉末を得ることを特徴とするチタン酸バリウム系結晶の製造方法である。６５０℃という低温で仮焼きした場合でも元素置換されたナノ結晶を得ることができ、これを元に焼成してセラミックスを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】酸素不純物が少なく高純度で良質なＧａＮを提供する。
【解決手段】ガリウムを主成分とする１３族元素窒素化合物結晶の製造方法であって、少なくともガリウムを含む１３族元素の金属及び／又は該金属の窒素化合物１２を、アンモニア雰囲気下、酸素除去添加剤１４の存在下で、加熱処理して結晶を得るステップを含み、ここで、該酸素除去添加剤１４は、その中心部がチタン金属、ジルコニウム金属、チタン合金、及びジルコニウム合金から成る群から選ばれる金属又は合金から構成され、かつ、その表層部が該金属又は合金の水素化物で覆われた複合構造を有する前記製造方法。 （もっと読む）

超臨界流体を処理するための高圧装置及びそれに関連する方法を提供する。本装置は、カプセルとヒータと少なくとも１つのセラミック製のリングとを含むが、複数のリングであってもよく、このリングには、選択的に、１つ以上のスクライブマーク及び／又はクラックが存在する。本装置は、選択的に各セラミックリングを含む金属スリーブを有する。さらに、本装置は、高強度エンクロージャと、随伴した断熱材を有する端部フランジと、電力制御システムとを有する。本装置は、０．２〜２ＧＰａの圧力及び４００〜１２００℃の温度にすることができる。 （もっと読む）

【課題】高機能であるＢＳＴ系の誘電体単結晶薄膜を容易にかつ安価に製造することができるとともに、製造されるＢＳＴ系の誘電体単結晶薄膜における組成の調整を容易に行うことができる、誘電体単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体単結晶薄膜の製造方法は、たとえば、ＭｇＯ（１００）基板の表面に形成されたＰｔ（１００）膜上に、Ｂａ_0.7Ｓｒ_0.3ＴｉＯ₃の誘電体単結晶薄膜の原料となる化学溶液をスピンコートし、そのスピンコートされた化学溶液を配向が起こるような８００℃で熱処理することによって、Ｂａ_0.7Ｓｒ_0.3ＴｉＯ₃の誘電体単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）