【課題】圧電体膜等に応用することができるように、高い電気抵抗率を維持しつつ極性分布割合を容易に制御可能であって、低コストで大面積の基材上に成膜されたウルツ鉱型結晶膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材面に対して垂直方向に二つ以上の粒子が充填および堆積し、上記粒子が互いに結合してなる結合層を含む膜構造を有するウルツ鉱型結晶膜であって、上記粒子は、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素からなる元素群のうちの少なくとも一つの元素がドープされているウルツ鉱型結晶構造を有する化合物を含んでいる。ウルツ鉱型結晶膜の製造方法は、ウルツ鉱型結晶を構成する元素種およびドープする金属種を含有する化学溶液を基材上に塗布する工程を含む方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶化プレートに設けられている結晶化ウェル内に生成されているタンパク質の生成度合いを観察する場合、強磁場から結晶化プレートを取り出す必要がなく、結晶ができていない場合でも、結晶成長が乱されず、しかも、観測の質を向上させることができる結晶化プレートの観察装置を提供することを目的とする。
【解決手段】リザーバと結晶生成部と柱状空間とを具備するリング体からなる結晶化プレートを超強磁場に配置した状態で、上記結晶生成部で生成される結晶を観察する結晶化プレートの観察装置であって、上記リング体の内周に形成されている柱状空間に設けられ、上記結晶生成部に光を当てる光源と、上記結晶生成部からの光の像を電気信号に変換する受光素子と、上記結晶生成部からの光を上記受光素子に向けて反射する反射手段であって、上記柱状空間に設けられる反射手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】単層でも臨界電流特性を良好にする。
【解決手段】基材上に形成され、ＲＥ系超電導体２０を主成分として含有する酸化物超電導薄膜であって、ＲＥ系超電導体２０は、ＣｕＯ_２面２２と、ＣｕＯ単鎖２４と、ＣｕＯ重鎖２６とを有し、さらに、ＣｕＯ単鎖２４とＣｕＯ重鎖２６が隣り合う異種鎖部と、ＣｕＯ単鎖２４同士又はＣｕＯ重鎖２６同士が隣り合う同種鎖部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】優れたイオン伝導性を有する複酸化物積層体、当該複酸化物積層体を備える固体電解質膜・電極接合体及びリチウム二次電池、並びに複酸化物積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される組成を有する第１の複酸化物層と、当該層の少なくとも一方の面に積層した、下記一般式（２）で表される組成を有する第２の複酸化物層を備えることを特徴とする、複酸化物積層体。
Ｃａ_ｘＮｂ_ｙＯ_ｚ 一般式（１）
（上記一般式（１）中、１≦ｘ≦３、２≦ｙ≦４、８≦ｚ≦１２である。）
Ｌｉ_ｐＬａ_ｑＴｉ_ｒＯ_ｓ 一般式（２）
（上記一般式（２）中、０＜ｐ≦１、０＜ｑ≦１、０＜ｒ≦２、１≦ｓ≦５である。） （もっと読む）

【課題】金属有機化合物の熱分解による超電導膜の熱処理形成において、低コストで大きい膜厚と配向性を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】０．６〜数μｍ程度の膜厚の超電導膜材料の製造において、塗布熱分解法における仮焼成工程の前に、ＫｒＣｌ紫外エキシマランプ光を１５ｍＷ／ｃｍ^２以上の照度で照射することにより、仮焼成工程で得られる仮焼成膜の元素分布の均一性が著しく向上し、その後の本焼成工程を経て、大きい膜厚と配向性をもつ超電導膜が製造できる。 （もっと読む）

基質またはシードを含有するより暖かい堆積区域と、ＺｎＯの原材料を含有するより冷たい溶解区域との間で、ＺｎＯで飽和した成長溶液を連続的に循環させるステップを含む、ＺｎＯを合成するための方法。本発明の方法は、ＺｎＯの膜、ナノ構造、およびバルク単結晶を合成するために必要とされる核生成および成長機構の両方に対する制御を可能にする、独特の連続循環方法および反応器を利用する。本発明の方法は、第１の温度で亜鉛含有栄養素を溶解させるために、成長水溶液組成物を使用し、第２の温度でＺｎＯを合成し、ＺｎＯが合成される第２の温度は、栄養素が溶解させられる第１の温度よりも暖かく、ＺｎＯの合成は、第１のより冷たい温度と比較して第２のより暖かい温度において、水溶液組成物内のＺｎＯの溶解度の低減によって引き起こされる。
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【課題】高機能であるＢＳＴ系の誘電体単結晶薄膜を容易にかつ安価に製造することができるとともに、製造されるＢＳＴ系の誘電体単結晶薄膜における組成の調整を容易に行うことができる、誘電体単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体単結晶薄膜の製造方法は、たとえば、ＭｇＯ（１００）基板の表面に形成されたＰｔ（１００）膜上に、Ｂａ_0.7Ｓｒ_0.3ＴｉＯ₃の誘電体単結晶薄膜の原料となる化学溶液をスピンコートし、そのスピンコートされた化学溶液を配向が起こるような８００℃で熱処理することによって、Ｂａ_0.7Ｓｒ_0.3ＴｉＯ₃の誘電体単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＯＳＣＭ分子からなる活性薄膜を高品質に且つ再現性の高い状態で成膜制御することにより、有機電子デバイス及び光電子工学デバイスの性能を向上させることが出来ると共に、前記薄膜をウエハー基板の直径が２００ｍｍ〜３００ｍｍ程度の大口径ウエーハにおいて成膜可能とし、工業的な規模での適用が可能な成膜形成を容易かつ低コストで実現することが出来る薄膜形成方法。
【構成】ステップａ）薄膜形成の為に、一定量のＯＳＣＭ分子を融解状態でキャリア表面に供給するステップ、及び
ｂ）薄膜を凝固する為に、一定の温度プロファイルに基づいて冷却を行うステップ
からなり、
ステップａ）を実施の際、キャリア表面の温度はＯＳＣＭ分子の融点と一致するか、あるいは融点より高いことを特徴とし、
またステップｂ）は、以下の第１のパートと第２のパートからなる温度プロファイルに基づいて実施されることを特徴とするＯＳＣＭ分子を用いた薄膜の形成方法。
−ＯＳＣＭ分子が冷却されて再結晶温度に近い温度となり、該ＯＳＣＭ分子における冷却速度は、融解状態の薄膜中に１つの種結晶のみが出現するのに十分な程度遅く設定される、ＯＳＣＭ分子の徐冷制御に対応する第１のパート、及び
−前記１つの種結晶を発端として少なくとも１つの単結晶領域が成長し、最終的には単結晶薄膜が得られる、ＯＳＣＭ分子の冷却制御に対応する第２のパート。 （もっと読む）

【課題】常温で磁性と強誘電性とを同時に示す超格子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも２種類の強誘電性酸化物薄膜が積層されてなり、各層の前記酸化物薄膜が奇数枚の原子層からなる常温磁性強誘電性超格子とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法などのプロセスを用いる必要なく、高配向の酸化モリブデン薄膜を容易に形成することができる酸化モリブデン薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】６価のモリブデン酸化物のアンモニア溶解液に酸を供給して得られる析出物をアルコールに分散させた後、この析出物を含有するアルコールを基板に供給し、乾燥・焼成して薄膜を形成する。アルコールとしては、エチレングリコール、モリブデン酸化物としては、ＭｏＯ３を使用する。 （もっと読む）

【課題】高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせず、大面積の基板にも対応可能であり、容易、安価に半導体薄膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】上記課題は、一対の電極の間に、不純物の濃度および／または種類の異なる半導体薄膜を少なくとも二層以上積層した構造を有する太陽電池の製造において、該半導体薄膜のうちの少なくとも一層が、（Ａ）式Ｓｉ_ｎＲ_ｍで表されるポリシラン化合物 並びに（Ｂ）シクロペンタシラン、シクロヘキサシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも１種のシラン化合物を含有することを特徴とするシラン組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜を熱処理および／または光処理する工程を含む形成方法により形成されていることを特徴とする、太陽電池の製造方法により達成される。 （もっと読む）

【課題】形成しようとする酸化物系ナノ構造物と同じ組成を持つナノ核を利用してナノ構造物を成長させる酸化物系ナノ構造物の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｍ（Ｍは、遷移金属元素または半金属元素）を含む有機物前駆体が有機溶媒に溶解されている混合溶液を基板の表面にコーティングするステップと、混合溶液がコーティングされた基板を熱処理して、基板上にＭｘＯｙ（ｘは１〜３の整数、ｙは１〜６の整数）組成を持つナノ核を形成するステップと、Ｍを含む反応前駆体をナノ核に供給しつつナノ核を成長させて、ＭｘＯｙ（ｘは１〜３の整数、ｙは１〜６の整数）組成を持つナノ構造物を形成するステップと、ナノ構造物を熱処理するステップと、を含む酸化物系ナノ構造物の製造方法。 （もっと読む）

本発明のナノ寸法クラスターを形成する方法は、クラスターを形成する材料を含む溶液を、基材材料中に含まれる天然または合成由来のナノ細孔中に導入すること、続いて該溶液をレーザー放射線パルスに、低温プラズマが発生し、そのプラズマが存在する領域で気体状媒体を形成するように露出することからなり、該プラズマが冷却して行く間に、液体基材上におけるクラスター材料の結晶化により、クラスター材料が純粋な材料に戻り、それによって、基材材料と接合された単結晶量子ドットを形成する。該方法により、異なった材料から、二または三次元的クラスター格子および互いに接合されたクラスターを形成することができる。本発明により、様々な材料から、基材ナノキャビティ中にワイヤを、およびガラスに塗布された有機材料中に分散した溶液微小滴から量子ドットを形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜、これを有するニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛積層体１００は、サファイア基板１１と、サファイア基板１１の上に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜１２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 基板上で厚さが均一な強誘電体薄膜単結晶をエピタキシャル成長するＰｂＴｉＯ_３またはＰｂＺｒＴｉＯ_３の強誘電体薄膜単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 強誘電体原材料とアルカリ溶液と基板をオートクレーブ中に密封後、１００℃〜２００℃程度の温度に加熱し、水熱合成反応で基板上に強誘電体薄膜単結晶をエピタキシャル成長させる工程において、前記基板の支持固定方法が、オートクレーブ中の蓋側から伸びた支持具で、溶液中ほどで、基板の厚さ方向端面の一部または基板の薄膜単結晶成長面の対向面のいずれか、又は両方を支持固定することを特徴とするＰｂＴｉＯ_３またはＰｂＺｒＴｉＯ_３の強誘電体薄膜単結晶の製造方法。 （もっと読む）

ｃ軸が基板面に対して垂直に配向しているビスマス層状化合物が、組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが偶数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素であり、前記ビスマス層状化合物のＢｉが、前記組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３に対して、過剰に含有してあり、そのＢｉの過剰含有量が、Ｂｉ換算で、０＜Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲である。
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ｃ軸が基板面に対して垂直に配向しているビスマス層状化合物が、組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが奇数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素であり、前記ビスマス層状化合物のＢｉが、前記組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３に対して、過剰に含有してあり、そのＢｉの過剰含有量が、Ｂｉ換算で、０＜Ｂｉ＜０．６×ｍモルの範囲である。
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【課題】 良好な圧電特性を有する圧電体膜を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体膜は，
ペロブスカイト型の圧電体膜であって、
擬立方晶（１００）に優先配向しており、
モノクリニック構造（図のＭで示される領域）を有し、
分極軸方向は、擬立方晶＜１１１＞方向と，擬立方晶＜１００＞方向との間である。 （もっと読む）

約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された１以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザーダイオード（ＬＤ）用途のような照明用途、並びにＧａＮを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に１以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイスも提供される。
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【課題】 基板に結晶性有機材料薄膜を形成する方法において、結晶性有機材料薄膜を大面積で均一に形成する方法を提供する。
【解決手段】 基板上に結晶性有機材料薄膜を形成する薄膜形成方法において、容器に入れた有機材料溶液に基板を浸漬する工程と、当該基板を有機材料溶液の液中から気相側へ移動する工程と、気相側にある基板上において基板に付着した有機材料溶液から当該結晶性有機材料薄膜が析出する工程と、を含み、当該基板に付着した有機材料溶液は、容器に入れた当該有機材料溶液と液相で連続していることを特徴とする薄膜形成方法。 （もっと読む）