【課題】 ＦＺ単結晶シリコンは体積固有抵抗やライフ・タイム等、品質上はＣＺ単結晶シリコンに比べて優れているにも拘わらず、コストが「約５〜８倍」と高価なため、太陽電池用としては使用されていない。このため、本発明では太陽電池用に特化することにより、大幅なコスト・ダウンをはかる手段を提供することにより、ＦＺ単結晶シリコンを使用し大幅に効率アップした太陽電池の普及に貢献する。
【解決手段】
単結晶製造のスムーズな引き上げのみを考慮した単純な製造機器により、成長スピードを２〜５ｍｍ／ｍｉｎ、場合により８ｍｍ／ｍｉｎまであげる。
又、芯ドープには空洞部に特殊加工したドーピングマザーメタルを使用する等を行う。
亜鉛還元法によるシリコンについては、熔融が簡単で短時間融解で済み、吸い上げを含めても石英等とのコンタミネーションも極端に少なくなる。 （もっと読む）

【課題】 透過率が高く、高濃度に３価のＴｂイオンを含む磁気光学素子用酸化テルビウム結晶を提供する。
【解決手段】 組成式（Ｔｂ_１−ａＭ_ａ）_２Ｏ_３（式中、ＭはＥｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｓｃから選択される一種以上の元素、０．０１≦ａ＜０．３）で示される結晶系が立方晶系の結晶体であって、１．０６μｍと５３２ｎｍにおける３ｍｍ長さあたりの直線透過率がいずれも７０％以上であることを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム結晶であり、製法としては、水冷した容器１の中に結晶育成用の原料２を充填し、原料の中央部を高温に加熱融解するが、水冷容器に接する原料２の外側部分の外皮２ａは溶融せず、スカル状に焼結緻密化して坩堝として作用させ、原料２を充分溶融してから高周波パワーを減らし、容器１を下げて底から冷却して結晶化させるスカルメルト法が好適であるが、フローティングゾーン法を採用することもできる。 （もっと読む）

【課題】還元雰囲気や不活性ガス雰囲気下におけるドナー濃度の変化が抑えられたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板の製造方法、及び還元雰囲気や不活性ガス雰囲気下において品質のばらつきの小さい高品質な結晶膜をエピタキシャル成長させることのできる結晶積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＶ族元素を含むβ−Ｇａ_２Ｏ_３系結晶からβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板を切り出す工程を含み、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む雰囲気下でのアニール処理が、前記β−Ｇａ_２Ｏ_３系基板を切り出す前の前記β−Ｇａ_２Ｏ_３系結晶、又は切り出された前記β−Ｇａ_２Ｏ_３系基板に施される、β−Ｇａ_２Ｏ_３系基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】双晶化を効果的に抑えることのできるβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＥＦＧ（Edge-defined film-fed growth）法によるβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の製造において、β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶をその（１０１）面に平行な方向に成長させ、（１０１）面内における＜１０−１＞方向と成長方向とのなす角度φ（０°≦φ＜９０°）を９０°未満とする。ＦＺ（Floating Zone）法等の他の結晶成長方法を用いた場合であってもβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶２５の双晶化を効果的に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 磁気転移温度より高い温度でも電気磁気効果を発現する電気磁気効果材料を提供する。
【解決手段】 磁性イオンを含むオケルマナイト構造を有する電気磁気効果材料を用いた電気磁気効果素子であって、前記電気磁気効果材料はＡ_２ＭＸ_２Ｏ_７であって、ＡはＣａ，Ｓｒ，Ｂａであり、ＸはＧｅ，Ｓｉであり、Ｍは磁性イオンである電気磁気効果素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】製造する単結晶の直径及び方位毎の適切な操業発振周波数を決定することにより、良好な抵抗率バラツキの単結晶を安定して製造する単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】高周波発振器から高周波電圧が供給される誘導加熱コイルで原料結晶を部分的に加熱溶融して浮遊帯域を形成し、該浮遊帯域を移動させて単結晶を製造するＦＺ法（フローティングゾーン法又は浮遊帯溶融法）による単結晶製造方法であって、予め、前記製造する単結晶と同一直径及び同一方位を有する単結晶に関して、供給する高周波電圧の発振周波数を変化させた場合の発振周波数毎の抵抗率バラツキを調べ、該発振周波数と抵抗率バラツキの関係に応じて前記製造する単結晶の直径及び方位毎の操業発振周波数を決定し、該決定した操業発振周波数に合わせて前記高周波発振器の調整を行い、該調整した高周波発振器を使用して単結晶を製造することを特徴とする単結晶製造方法。 （もっと読む）

【課題】主成分として有害物質鉛元素を含まずに、強誘電性を示しかつ外部磁場によって分極の大きさを制御可能な新規なマンガン酸化物、およびそのメモリへの利用を提供する。
【解決手段】マンガン酸化物は、ペロブスカイト構造を有する、式（１）Ｓｒ_１−ｘＢａ_ｘＭｎＯ_３（１≧ｘ＞０．４）・・・（１）で表されるマンガン酸化物である。単位格子１の対称中心には磁性イオンであるＭｎイオン３が存在する。単位格子１の対称中心をＭｎサイトとする。単位格子１が有する８個の頂点には、ＳｒイオンおよびＢａイオンのうちいずれか一方が存在している。単位格子１が有する頂点をＳｒサイト２とする。単位格子１が有する６面の面心には、Ｏイオン４が存在する。 （もっと読む）

【課題】発熱体からの汚染を防止し、さらに支持シャフトの温度上昇を抑制することで、支持シャフト材及び支持シャフトとハウジングとの間にあるシール材からの汚染を防止し、かつシール材の劣化を防ぎ、もって高品質な単結晶シリコンを製造する。
【解決手段】ハウジングの壁を貫通する回転可能な支持シャフト１１の先端に、誘導加熱コイルによって誘導加熱可能な導電材を有する発熱リングが設けられるとともに、支持シャフト１１に、これを回転させることにより、発熱リングを種結晶ホルダーと多結晶ホルダーとの間で誘導加熱コイルに接近させた加熱位置と、この加熱位置から離間した待機位置との間で往復移動させる操作手段が設けられ、ハウジングの壁と支持シャフト１１との貫通部に、これらの気密を保持するシール材２１Ａが設けられ、支持シャフト１１の内部には、冷却媒体を流通させる冷却流路１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法（フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法）により大口径の単結晶を製造する場合であっても、誘導加熱コイルのスリットにおいて生じる放電を効果的に防止できる絶縁部材及び該絶縁部材がスリットに挿入された誘導加熱コイルを有し、高い単結晶化率で安定して高品質の単結晶を製造することのできる単結晶製造装置並びに該単結晶製造装置を用いた単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＺ法による単結晶製造装置に具備される誘導加熱コイル７の両コイル端部１３を互いに分離するスリット１４に挿入され、該スリット１４において生じる放電を防止するための絶縁部材１６であって、少なくとも、該絶縁部材１６の、前記スリット１４に挿入された際に前記コイル端部１３と対向する表面上に、１以上の溝１７が形成されたものであることを特徴とする絶縁部材。 （もっと読む）

【課題】光通信、光集積回路基板に利用可能な光路長の温度依存性が小さい材料を提供する。
【解決手段】ＳｒＴｉＯ_３にＹＡｌＯ_３を添加した（Ｓｒ_１−Ｘ，Ｙ_Ｘ）（Ｔｉ_１−Ｘ，Ａｌ_Ｘ）Ｏ_３複合酸化物材料は、０＜Ｘ＜０．５０の範囲において光路長温度係数（ＯＰＤ、ここでＯＰＤ＝１／Ｓ・ｄＳ／ｄＴ＝ＣＴＥ ＋ １／ｎ・ｄｎ／ｄＴであって、Ｓが光路長、ＣＴＥが線熱膨張係数、ｎが屈折率、ｄｎ／ｄＴが屈折率の温度係数である）が制御可能であり、特に０．０４＜Ｘ＜０．５０の範囲においてはその絶対値が６ｐｐｍ／℃以下と光路長の温度依存性が極めて小さく、光通信用フィルター、光集積回路基板などに利用可能である。 （もっと読む）

【課題】製造される単結晶の中心部と外周部における温度差を小さくし、単結晶成長時における固液界面深さを小さくすることで有転位化の発生を抑止できる複巻誘導加熱コイル及び該複巻誘導加熱コイルを有する単結晶製造装置並びに該単結晶製造装置が用いられる単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＺ法において、原料結晶棒を加熱して浮遊帯域を形成するために用いられる複巻誘導加熱コイル７であって、外側に位置するコイル１４の方が、内側に位置するコイル１３よりも電気抵抗率が小さいものを有することを特徴とする複巻誘導加熱コイル７。 （もっと読む）

【課題】 高屈折率低分散の光学特性を有し、かつ着色を改善したＬａＡｌＯ３結晶を含む光学材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ３ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下のＦｅを含有し、前記Ｆｅが２価のＦｅイオンからなり、３価のＦｅイオンを含まないペロブスカイト型ＬａＡｌＯ３結晶を含む光学材料。前記ペロブスカイト型ＬａＡｌＯ３結晶のＥＳＲスペクトルにおいて、ｇ値が２．０２に相当する箇所に信号ピークが無い。平均粒径が１μｍ以上１０μｍ以下のＬａＡｌＯ３粒子を型に充填し、不活性ガス雰囲気もしくは真空中で、１６００以上１８００℃以下の温度で焼成する工程を有する光学材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、単結晶製造装置及び単結晶製造方法に係り、誘導加熱コイルのコイル上面側とコイル下面側とで最適な磁界を形成することにある。
【解決手段】上面側コイル２４ａと下面側コイル２４ｂとにより構成され、シリコン単結晶３２を成長させるべくシリコン原料棒１２を加熱溶融する誘導加熱コイル２４と、上面側コイル２４ａ及び下面側コイル２４ｂに、それぞれ独立した高周波電流を供給する電流供給手段と、を設ける。そして、誘導加熱コイル２４の上面側コイル２４ａ及び下面側コイル２４ｂにそれぞれ独立した高周波電流を供給することにより、シリコン原料棒１２を加熱溶融してシリコン単結晶３２を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による単結晶製造における単結晶の交互回転において、単結晶の回転量が１回転に満たない場合や、回転方向が反転する場合の結晶形状の悪化を低減し、結晶を安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】誘導加熱コイルで原料結晶を部分的に加熱溶融して溶融帯を形成し、該溶融帯を移動させて単結晶を製造させる際に、成長中の単結晶の回転方向を、正転方向及び逆転方向とで交互に入れ換えて単結晶を成長させるＦＺ法の単結晶製造方法であって、前記単結晶の交互回転において、一度の回転における正転及び逆転の回転量が、共に予め定められた１回転以上の所定値となるように、単結晶の回転速度に応じてその回転時間を変化させることを特徴とする単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 シリコン単結晶のライフタイムを低下させることなく、さらには作業性も損なわれない照明器具及び該照明器具を用いてシリコン単結晶を保管する保管方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくともシリコン単結晶を取り扱う場所に設けられる照明器具であって、該照明器具から発せられる照明光の６００ｎｍ以上の波長における発光スペクトルの最大強度が、６００ｎｍ未満の波長における発光スペクトルの最大強度の４０％以下のものであることを特徴とする照明器具を提供する。 （もっと読む）

【課題】 副誘導加熱コイルの絶縁部材が主誘導加熱コイルの溝に入り込み、両コイルの絶縁が弱くなるか又は無くなり火花放電の発生、また副誘導加熱コイルとの接触における誘導加熱コイルの電流回路の異常による誘導加熱コイルと浮遊帯域への火花放電が発生するという問題が生じた。
【解決手段】 半導体棒の浮遊帯域周辺を囲繞するように配置され、コイル１巻きごとの間に溝を有する主誘導加熱コイルと、浮遊帯域を囲繞する内径空間を跨ぐように弧状部位を形成した副誘導加熱コイルとを有し、両コイルが内径空間の中心に向かって相対的に前後動することにより、浮遊帯域の内径空間が可変するように構成された半導体単結晶製造装置において、両コイルの間に絶縁部材が設けられ、該絶縁部材は板状であるかまたは２以上具備されることによって、常に全ての絶縁部材が溝の位置に同時にくることが無いように設けられたものであることを特徴とする半導体単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】長手方向の抵抗率分布が同一な単結晶をより確実に製造できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料シリコン素材９を加熱して溶融帯１１を形成し、溶融帯１１にドーパントを供給しながら溶融帯１１を凝固させて、直径が同一な直胴部１０ａと、直径が拡大又は縮小する直径拡縮部１０ｂ，１０ｃとを有する単結晶１０を製造するＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、直胴部１０ａに対応する溶融帯１１にドーパントを供給しながら直胴部１０ａを形成する直胴部形成工程と、直胴部形成工程の前及び／又は後に、直径拡縮部１０ｂ，１０ｃに対応する溶融帯１１にドーパントを供給しながら直径拡縮部１０ｂ，１０ｃを形成する直径拡縮部形成工程と、を備え、直径拡縮部形成工程において、所定の変更条件に基づいて、直胴部形成工程におけるドーパントの供給条件に対して直径拡縮部形成工程におけるドーパントの供給条件を変更する。 （もっと読む）

【課題】調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはＦＴＩＲ又はその両方を用いて行うことを可能とするための、フロートゾーン法によるシリコン中の不純物濃度の希薄化を利用した測定方を提供する。
【解決手段】調査されるべきシリコンからゾーン引き上げによって単結晶ロッドを作成し、この単結晶ロッドを、少なくとも１回の希薄化工程で、規定の炭素濃度及びドーパント濃度を有する単結晶もしくは多結晶のシリコン製のスリーブ中に導入し、そして該ロッド及びスリーブからゾーン引き上げによって希薄化されたシリコン製の単結晶ロッドを作成し、その希薄化された単結晶ロッドをもとに、調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはＦＴＩＲ又はその両方を用いて行う、シリコン中の不純物の測定方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】冷却水路の酸化を抑制可能なＦＺ（浮遊帯域溶融）法によるシリコン単結晶製造装置、シリコン単結晶の製造方法及び誘導加熱コイルの加工方法を提供する。
【解決手段】ＦＺ法によるシリコン単結晶の成長を行う反応炉と、反応炉内に収容され、シリコン単結晶の原料となる原料シリコン素材を保持する原料保持具と、反応炉内に収容され、原料シリコン素材を部分的に加熱して溶融帯を形成し、溶融帯を凝固させてシリコン単結晶の成長を行う誘導加熱コイル４と、を備え、誘導加熱コイル４は、誘導加熱コイル４を冷却する冷却水が流通し、冷却水による酸化を防止する被膜４５が形成された冷却水路４４を誘導加熱コイル４の内部に有する。 （もっと読む）

【課題】波長１．０６μｍ域（０．９〜１．１μｍ）でのベルデ定数が大きく、かつ、高い透明性を有する、酸化テルビウムを含む酸化物を主成分として含有する磁気光学材料を提供すること、及び、加工機用ファイバーレーザに好適に使用される小型化した光アイソレータを提供すること。
【解決手段】下記式（Ｉ）で表される酸化物を９９％以上含有することを特徴とする磁気光学材料。
（Ｔｂ_xＲ_1-x）₂Ｏ₃ （Ｉ）
（式（Ｉ）中、ｘは、０．４≦ｘ≦１．０であり、Ｒは、スカンジウム、イットリウム、テルビウム以外のランタノイド元素群よりなる集合から選択された少なくとも１つの元素を含む。） （もっと読む）