【課題】 結晶基板の利用率の低下を抑制しつつ、単結晶基板の特徴を目視で判別可能な単結晶基板、及び、その単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】
主面１０を有する単結晶基板１Ａであって、主面１０には、垂直方向ｚに凹み、垂直方向ｚから視て、直線状に延びる少なくとも１つ以上の直線凹部５０が設けられ、少なくとも１つ以上の直線凹部５０に含まれる第１直線凹部５０ａの延在方向ｅ１は、単結晶基板１Ａの結晶方位ａ３と一致する。 （もっと読む）

【課題】低減された反射率を示すケイ素基板を製造するための方法を提供すること。
【解決手段】本開示は、ケイ素を含む基板上にナノ構造を提供する方法であって、（ａ）前記基板の表面上に遷移金属の層を堆積させるステップと、（ｂ）前記遷移金属の層をアニールして、パターン化遷移金属層を形成させるステップと、（ｃ）前記基板をエッチングして、前記基板表面上にナノ構造を形成させるステップとを含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】層がその上に作製される基板に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板（２）の表面（２’）に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法において、基板（２）上にＡｌＮ成長層（４，４’）を形成する段階と、少なくとも前記成長層上にＡｌＮ層（３１）を堆積する段階と、その少なくとも１つの縁部が、前記基板（２）の表面（２’）または前記成長層（４）の表面（４’）に実質的に垂直な平面において少なくとも１つの縁部（１０，１２，１４）または前記成長層（４，４’）の側面（１０ａ，１０ｂ）と整列されるように、ＡｌＮ層を覆ってマスク層（４０，４０’）を形成する段階と、を有する方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】高純度で高品質な酸化亜鉛単結晶を再現性よく安定して成長させることができる酸化亜鉛単結晶の成長方法とこの方法に適用する酸化亜鉛原料を提供する。
【解決手段】長さ方向一端側から他端側に向けて温度勾配を有する成長容器１の高温部に酸化亜鉛原料２が配置され、上記成長容器１の低温部において化学気相輸送法により酸化亜鉛単結晶を析出させる酸化亜鉛単結晶の成長方法であって、酸化亜鉛原料２中に含まれる窒素の濃度を５００mass ppm以下とする。更に、窒素濃度が３００mass ppm以下の酸化亜鉛原料を用いることにより収率がより改善される。 （もっと読む）

【課題】圧電素子において、発信能および受信能が共に優れ、圧電アクチュエータ、センサ、更に、超音波センサ、発電素子として好適なものとする。
【解決手段】圧電素子１は、圧電性を有する圧電体１３と、圧電体１３に対して所定方向に電界を印加する１対の電極１２、１４とを備え、圧電体１３の圧電歪定数ｄ_３３（ｐｍ／Ｖ）と比誘電率ε_３３とが下記式（１）及び（２）を満足するものである。
１００＜ε_３３＜１５００ ・・・（１）、
ｄ_３３（ｐｍ／Ｖ）＞１２√ε_３３ ・・・（２） （もっと読む）

【課題】界面を酸素原子終端にすると、価電子バンドオフセットが下がると予想されている（第一原理計算による）が、それを具体的に達成するものを実現することを目的とした。
【解決手段】上記課題を解決するために、電子素子基板において、酸化膜の金属基板との界面が酸素原子により終端されていることを特徴とする手段を採用した。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド膜の表面にマスキング及びエッチングを施すことなく簡便に凹部を形成できるダイヤモンド膜の選択的形成方法及びこのダイヤモンド膜を切刃に用いたＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。
【解決手段】母体１の表面１Ａに、薬液により除去可能とされ、かつ、ダイヤモンド膜Ｄの生成を助長する性質の第１膜１２と、第１膜１２上に配されダイヤモンド膜Ｄの生成を阻止する性質の第２膜１３とを選択的に形成して、表面１Ａを、非マスキング領域を有しつつ第１、第２膜１２、１３によりマスキングする工程と、ＣＶＤ法により、非マスキング領域における表面１Ａの部分と、この部分の周縁部に立設する第１膜１２の壁面１２Ｃとにダイヤモンド膜Ｄを生成させて、このダイヤモンド膜Ｄの母体１側とは反対側を向く表面２Ａに凹部２Ｂを形成する工程と、薬液により第１膜１２とともに第２膜１３を表面１Ａから取り除く工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】種結晶を継続して成長させつつ、炭化珪素単結晶の結晶性の低下や、らせん転位などの結晶欠陥をさらに抑制できる炭化珪素単結晶の製造方法の提供
【解決手段】本発明に係る炭化珪素単結晶の製造方法は、炭化珪素を含む種結晶７０、及び種結晶７０の下方に配設され、種結晶７０の成長に用いられる昇華用原料８０を収容する黒鉛製坩堝１０と、黒鉛製坩堝１０の側部の周囲に配設され、黒鉛製坩堝１０を誘導加熱コイル３０ａを用いて加熱する加熱部３０と、加熱部３０と黒鉛製坩堝１０との間に配設される断熱部材１２とを用いて、黒鉛製坩堝１０の側面視において、黒鉛製坩堝１０に収容された種結晶７０の成長につれて、黒鉛製坩堝１０の側方方向における断熱部材１２の厚さを減らす工程を備える。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェハの裏面に異常成長を発生させることなくエピタキシャル膜の膜厚のばらつきを小さくできるエピタキシャルウェハの製造装置の提供。
【解決手段】サセプタ３１の中央とウェハＷの中央とが略一致する状態でウェハＷを設置してエピタキシャルウェハＷＥを製造する製造装置１に、上端が半球状の略円柱状のセンターロッド３３をサセプタ３１の非載置面３１２側において上下方向に延びるように、かつ、上端がサセプタ３１の中央と点接触する状態で設けた。このため、この点接触部分がセンターロッド３３により吸熱されて温度が低くなる。また、両者を面接触させる場合と比べて、接触による吸熱作用を小さくでき、サセプタ３１中央の局所的な温度低下を招くことがない。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜が厚肉でもエピタキシャル膜にスティッキングが発生しにくく、エピタキシャル膜のウェーハ面内均一性を保持可能なエピタキシャル成長用サセプタおよびエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長用サセプタ１０の上面に沿ってシリコンウェーハ１１へ流れるソースガスは、途中の環状段差面１５によって淀みと逆流とが発生する。そのため、サセプタ１０の凹部１２の側壁近傍でのソースガスの流れが変わり、ウェーハ１１と凹部１２の側壁１４との隙間ｄへ回り込みにくくなる。よって、エピタキシャル膜２１が厚肉でもスティッキングが発生せず、この膜１２の外周部の厚さの低下もほとんどなく、膜厚の分布がウェーハ面内で均一なエピタキシャルウェーハ２２を作製できる。 （もっと読む）

【課題】 分子デバイスを含む、有機材料の機能を利用する有機材料含有デバイスの構築に適した取り扱いが容易な基板を提供する。
【解決手段】 水素原子およびアミノ基が化学吸着した半導体表面を有する基板とする。このアミノ基は、例えばＳｉ−Ｎ結合により固定されている。アミノ基は多くの官能基と化学反応しうる基であり、生体分子との親和性にも優れている。この表面は、大気中での取り扱いも容易である。アミノ基と有機分子とを反応させれば、有機分子と半導体表面とが化学的に一体に結合する。アミノ基は、例えば水素原子で終端された半導体表面にアンモニア等の窒素含有反応種を接触させ、この反応種に由来する窒素原子を含むアミノ基を半導体表面に化学吸着させて導入すればよい。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は半導体をその基板から分離する方法を提供することである。
【解決手段】 複数の棒状体を基板上に形成し、複数の棒状体上で半導体層をエピタキシー成長させ、更に、複数の棒状体の間の空隙にエッチング液を注入することによって、半導体層をその基板から分離する。複数の棒状体の間の空隙がエッチングの反応面積を大幅に増加させることができるため、本発明による方法によれば、エッチングによって半導体層を基板から分離する効率を向上させ、製造工程のコストを低減させることができ、しかも、基板に使われる材料も前記分離方法に制限されない。 （もっと読む）

【課題】特別な基板を用いなくても結晶欠陥がほとんど無い単結晶薄膜を有する基板を容易に製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、ドナー基板とハンドル基板を準備する工程Ａと、前記ドナー基板上に単結晶層を積層成長させる工程Ｂと、前記単結晶層が形成されたドナー基板の単結晶層中にイオン注入してイオン注入層を形成する工程Ｃと、前記イオン注入されたドナー基板の単結晶層の表面と前記ハンドル基板の表面を貼り合わせる工程Ｄと、前記貼り合わせられたドナー基板の前記単結晶層中のイオン注入層で剥離する工程Ｅとにより前記ハンドル基板上に単結晶薄膜を形成し、少なくとも、前記単結晶薄膜が形成されたハンドル基板をドナー基板として前記Ａ〜Ｅの工程を繰り返すことを特徴とする単結晶薄膜を有する基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【解決課題】エピタキシャル薄膜成長用の配向基板において、基板表面の配向度及び平滑性が従来のものよりも改善されたものを提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも片面に配向化金属層を有するエピタキシャル膜形成用配向基板の表面上に金属薄膜からなり１〜５０００ｎｍの厚さの配向性改善層を備え、配向化金属層表面における配向度（Δφ及びΔω）と、配向性改善層表面における配向度（Δφ及びΔω）との差が、いずれも０．１〜３．０°であることを特徴とするエピタキシャル膜形成用配向基板である。また、この配向基板配向性改善層を構成する金属と異なる他の金属を、膜厚相当で３０ｎｍ以下付加した後に熱処理を行うと、その表面の平滑性を改善することができる。このとき、基板表面の表面粗さは２０ｎｍ以下となる。 （もっと読む）

【課題】常温で磁性と強誘電性とを同時に示す超格子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも２種類の強誘電性酸化物薄膜が積層されてなり、各層の前記酸化物薄膜が奇数枚の原子層からなる常温磁性強誘電性超格子とする。 （もっと読む）

【課題】比較的深い溝、穴及び貫通孔が精度良くダイヤモンドに形成可能なダイヤモンド構造体の製造方法とダイヤモンド構造体とを提供すること。
【解決手段】積層体５４に含まれる第２層５８〜第５層６４は、第１層５６に対するウェットエッチングに対しエッチング耐性のある材料から成り、第５層６４は、第２層５８〜第４層６２に対しドライエッチングが行われる場合、各ドライエッチングに対してエッチング耐性のある材料から成る。 （もっと読む）

【課題】従来の気相結晶成長法を用いて水晶成膜用基板上に形成した水晶ウエハより水晶片を製造する方法では、例えば平板状の水晶成膜用基板主面全面上に所望の厚みの水晶ウエハを形成しても、この水晶ウエハの厚みは、厚い場合でも百数十μｍであり、水晶デバイス内に搭載するサイズの水晶片に機械的な切断加工を施すことが非常に難しい。
【解決手段】水晶片の主面外形形状と同外形形状の平坦面が頂部に形成された凸部が、一方の主面上にマトリックス状に形成されている水晶成膜用基板を用いて、気相結晶成長装置の結晶成長室内に、前記水晶成膜用基板を配置する工程と、水晶成膜用基板に形成したバッファ層の上に水晶片を、気相結晶成長法により成長させる工程と、水晶成膜用基板を結晶成長室内より取り出し、水晶片をバッファ層ごと水晶成膜用基板から個々に分離するする工程とを備えた水晶片の製造方法。 （もっと読む）

（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)のような金属―有機アロイ薄膜の上に、バッファーなしに、半導体結晶を成長させる基板及び方法が開示されている。出発材料としてＡｌＮとＳｉＣ粉末を用いた蒸着法により、ＳｉＣ基板の上に（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)アロイ薄膜は形成されることができる。（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)アロイ薄膜は、ＧａＮまたはＳｉＣのエピタキシャル成長のためのより良い格子整合を与え、よりよい格子整合と相性によりエピタキシャルに成長されたＧａＮにおける欠陥を減少させる。
（もっと読む）

【課題】 基材の表面にダイヤモンド膜が被覆されたダイヤモンド膜被覆部材におけるダイヤモンド膜の密着力を評価する場合に、ダイヤモンド膜被覆部材の形状に関わらず、正確かつ容易にしかも低いランニングコストで評価できる膜密着力の評価方法及び評価装置を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド膜被覆部材１をステージ２に固定し、レーザー発振部３より発振されたレーザー８をレーザー照射部４で照射方向を制御しながらダイヤモンド膜被覆部材１に照射する装置を使い、ダイヤモンド膜１ａ表面の一部にレーザー８を照射し、ダイヤモンド膜１ａを除去した後、ダイヤモンド膜１ａが除去された面積を測定し、この面積の値を元に膜密着力を評価する。 （もっと読む）

【課題】レーザ発振寿命の長い窒化物半導体レーザ素子に適した窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板は、断面をＶ字状にした溝の側面である斜面をファセット面とし、そのファセット面の斜面を維持させながら成長させることにより、溝に転位を集中させた上にストライプ状に生じた転位集中領域と、転位集中領域を除いた領域である低転位集中領域と、を含み、さらに、その窒化物半導体基板の表面が、（０００１）面から０．２°〜１°の範囲のオフ角度を有している。 （もっと読む）