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Fターム[4G077DA05]の内容

結晶、結晶のための後処理 (61,211) | 気相成長−蒸着、昇華 (1,206) | 基板への薄膜の蒸着 (751) | 分子線照射による成長 (167)

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【課題】酸素欠損を低減したβ−Ga単結晶膜の製造方法、及びβ−Ga単結晶膜を有する結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、所定の気圧に減圧された真空槽10内にオゾンを含む酸素ガスを供給すると共に第1のセル13aからGa蒸気を供給し、基板ホルダ11に保持されたβ−Ga基板2上にβ−Ga単結晶膜を成長させ、結晶積層構造体を製造する。このように、β−Ga2O3単結晶膜の成長時に酸素の原料としてオゾンを供給することで、酸素欠損の少ない高品質なβ−Ga2O3単結晶膜が得られると共に、活性酸素のみを供給した場合に比較してβ−Ga2O3単結晶膜の成長レートが高まる。 (もっと読む)


【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ga単結晶膜を形成することができるβ−Ga単結晶膜の製造方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、Snを添加しながらβ−Ga結晶をβ−Ga基板2上、又は前記β−Ga基板上に形成されたβ−Ga系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、Sn添加β−Ga結晶膜を形成する工程と、第1の不活性雰囲気中で前記Sn添加β−Ga結晶膜に第1のアニール処理を施す工程とを含む方法により、Sn添加β−Ga単結晶膜を製造する。 (もっと読む)


【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ga単結晶膜を形成することができるβ−Ga単結晶膜の製造方法、及びその方法により形成されたβ−Ga系単結晶膜を含む結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、β−Ga結晶をβ−Ga基板2上、又はβ−Ga基板2上に形成されたβ−Ga系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、成長の間にβ−Ga結晶に一定周期で間欠的にSnを添加する工程を含む方法により、Sn添加β−Ga単結晶膜3を製造する。 (もっと読む)


【課題】表面平坦性に優れ、かつ高濃度の窒素ドーピングを実現できるZnO系薄膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】主面の法線が結晶軸から傾斜した酸化亜鉛系基板1上に、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜2を形成するにあたって、少なくとも亜鉛と酸素と窒素を原料ガスとして使用し、これらを750〜900℃の温度条件で基板1に接触させて、基板1表面に、窒素をドープした酸化亜鉛系材料からなる結晶を成長させて窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜2を形成する。原料ガスとしての酸素供給量に対する亜鉛供給量は、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜の亜鉛と酸素のモル比(亜鉛/酸素)が1より大きくなるようにされる。原料ガスとしての窒素は、窒素ガスを高周波で励起することによって発生させた窒素ラジカルを含む。 (もっと読む)


【課題】良好な結晶を安定して成長させることができる分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】原料を放出する開口11aを有する坩堝11と、坩堝11の外周及び開口11aの縁を覆う遮蔽部材18と、遮蔽部材18を冷却する冷却部材21と、坩堝11に対向するように基板を保持する基板保持部材と、が設けられている。遮蔽部材18には、鉛直上方から坩堝11を覆う被覆部19が設けられている。 (もっと読む)


【課題】基板上に懸架されている電極層を利用して大面積基板上に高品質のGaNを成長させるGaN薄膜の製造方法、前記方法で製作されたGaN薄膜構造物及び前記GaN薄膜構造物を含む半導体素子を提供する。
【解決手段】基板上に犠牲層を形成する段階;犠牲層上に第1バッファ層を形成する段階;第1バッファ層上に電極層を形成する段階;電極層上に第2バッファ層を形成する段階;犠牲層を部分的にエッチングすることで、前記第1バッファ層を支持する少なくとも2つの支持部材を形成し、基板と第1バッファ層との間に少なくとも一つの空気キャビティを形成する段階;第2バッファ層上にGaN薄膜層を形成する段階;を含む半導体素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】大型化が比較的容易で、比較的安価な窒化物半導体用基板を提供する。
【解決手段】基材120と、該基材120の上部に設置されたバッファ層160と、該バッファ層160の上部に設置された窒化物半導体層180とを有する窒化物半導体用基板100であって、前記基材120は、石英で構成され、前記バッファ層160は、ガリウム(Ga)および/またはアルミニウム(Al)の窒化物を含み、前記窒化物半導体層180は、ガリウム(Ga)および/またはアルミニウム(Al)を含む窒化物半導体で構成され、前記基材120と前記バッファ層160の間には、応力緩和層125が設置され、該応力緩和層125は、前記基材120に近い側のアモルファス層130および前記基材120に遠い側の結晶化層150を有し、または前記基材120に遠い側に結晶成分を含むアモルファス層を有し、前記応力緩和層125は、窒化珪素または酸窒化珪素を含む。 (もっと読む)


【課題】p型伝導性のNドープZnO系半導体膜の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ZnO系半導体膜製造方法は、Znソースガン、Oラジカルガン、Nラジカルガン、Mgソースガンを備え、Nラジカルガンが、ラジオ周波が印加されpBNまたは石英を用いた無電極放電管を含む結晶製造装置により、NドープMgZn1−xO膜を成長させる方法であって、基板法線方向から見て、膜の成長表面側上方に、Znソースガン、Oラジカルガン、Nラジカルガン、Mgソースガンが円周方向に並んで配置されており、NラジカルガンとZnソースガンのビーム照射方向の方位角同士のなす角θを90°≦θ≦270°とするとともに、ラジオ周波パワーを、無電極放電管からスパッタリングされたBまたはSiが膜中に取り込まれない程度に低くする。 (もっと読む)


【課題】シリコンなどの基板上に形成した高品質な結晶を有するウェーハ、結晶成長方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板と、ベース層と、下地層と、中間層と、機能部と、を備えたウェーハが提供される。前記ベース層は、前記基板の主面上に設けられシリコン化合物を含む。前記下地層は、前記ベース層の上に設けられGaNを含む。前記中間層は、前記下地層の上に設けられAlNを含む層を含む。前記機能部は、前記中間層の上に設けられ窒化物半導体を含む。前記下地層の前記ベース層の側の第1領域におけるシリコン原子の濃度は、前記下地層のうちの前記中間層の側の第2領域におけるシリコン原子の濃度よりも高い。前記下地層は、前記第1領域に設けられた複数の空隙を有する。 (もっと読む)


【課題】良好な結晶品質を有するGaN層のようなIII族−窒化物が得られる方法で形成されたIII族−窒化物/基板構造と、少なくとも1つのそのような構造を含む半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板1の上に、例えばGaN層5のような、III族−窒化物層の堆積または成長を行う方法であり、基板1は、少なくともGe表面3、好適には六方対称を有する。この方法は、基板1を400℃と940℃の間の窒化温度に加熱するとともに、基板1を窒化ガスの流れに露出させる工程と、続いて、100℃と940℃の間の堆積温度で、Ge表面3の上に、例えばGaN層5のようなIII族−窒化物を堆積する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】非常に優れた形態的特徴を有し、例えばマイクロエレクトロニクスおよび/またはオプトエレクトロニクスデバイスおよびデバイス前駆体構造体を製作するための基板として使用される(Al、Ga、In)N物品の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルに適合できる犠牲型板12を設けるステップと、単結晶(Al、Ga、In)N材料16を型板12上に堆積して、犠牲型板12と(Al、Ga、In)N材料16との間の界面14を含む複合犠牲型板/(Al、Ga、In)N物品10を形成するステップと、複合犠牲型板/(Al、Ga、In)N物品10を界面修正して、犠牲型板12を(Al、Ga、In)N材料16から分割し、独立(Al、Ga、In)N物品10を生じるステップにより、独立(Al、Ga、In)N物品を製造する。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェハの外周領域におけるクラック発生を抑制できる半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体ウェハの製造方法は、シリコンからなり且つ中央領域と外周領域とを有する半導体基板1と、前記半導体基板1上に形成された窒化物系化合物半導体からなる化合物半導体層5と、を備える半導体ウェハの製造方法であって、
前記半導体基板1の前記外周領域に設けられたテーパ部12の上に前記化合物半導体層5が成長することを阻止する成長阻止層4を形成するステップと、
前記成長阻止層4が形成された前記半導体基板の少なくとも前記中央領域上に前記化合物半導体層5を成長させるステップと、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】1ミクロンより小さい、好適には10nmより小さい(チヤネルまたは細孔)幅と、ミクロン範囲またはそれより長い長さとを有する、埋め込まれたナノチヤネル(またはナノ細孔)を含むナノチヤネルデバイスを提供する。
【解決手段】単結晶基板1を含むデバイスであって、単結晶基板1は、単結晶基板1の所定の結晶面を露出させる少なくとも1つのリセス領域4を有し、少なくとも1つのリセス領域4は、更に、リセス幅を有し、および充填材料5と埋め込まれたナノチャネル6とを含み、埋め込まれたナノチャネル6の幅、形状、および深さは、少なくとも1つのリセス領域4のリセス幅と、露出した所定の結晶面に対して垂直な方向における充填材料の成長表面の成長速度により決定されるナノチヤネルデバイスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】大領域のガリウム含有窒化物結晶の成長のための方法を提供する。
【解決手段】転位密度が約10cm−2よりも低い少なくとも2つの結晶201、202を提供する工程と、ハンドル基板を提供する工程と、少なくとも2つの結晶201、202をハンドル基板に対してウェーハ接合する工程と、少なくとも2つの結晶201,202を成長させて、溶合結晶として合体させる工程と、を含み、第1の結晶201と第2の結晶202との間の極性配向不整角度γは、0.5度未満であり、方位配向不整角度αおよびβは1度未満である。 (もっと読む)


【課題】発光効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、結晶成長面を有する単結晶基板12であって、結晶成長面12は複数の凸部12aと、複数の凸部12a同士の間にそれぞれ設けられ、かつ複数の凸部12aから離隔する位置に設けられる凹部12bと、を備える単結晶基板12と、単結晶基板12上に設けられ、複数の凸部12aのうち、一対の互いに隣接する凸部12aと、当該一対の凸部12a同士の間に位置する凹部12bにおいて、凹部12bと一対の凸部12aとの間に位置する両結晶成長面から一対の凸部12a同士の間に向かって延びる複数の転位16を、一対の凸部12a同士の間で結合させた光半導体層13と、を有する。 (もっと読む)


【課題】(0001)面以外の任意に特定される主面を有する、クラックの少ないIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】2枚以上のシード基板を隣接して配置し、それらシード基板上にIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の製造方法において、シード基板の境界線と成長させるIII族窒化物結晶の<0001>軸を主面に投影した直線とがなす角度をθとした場合、1以上の境界線が以下の(1)又は(2)を満たす。(1)0°<θ<90°である。(2)θ=0°である境界線(l)が2本以上存在し、隣り合う境界線(l)が同一直線上にない。 (もっと読む)


【課題】窒化インジウム(InN)を基としたバンドギャップEgが0.7〜1.05eVをもつIn1-(x+y)GaxAlyN(x≧0、y≧0、かつx+y≦0.35)単結晶薄膜と良好に格子整合する単結晶基板、その製造方法、当該単結晶基板上に形成してなる半導体薄膜、および半導体構造を提供する。
【解決手段】窒化インジウム(InN)を基とするIn1-(x+y)GaxAlyN薄膜を成長させる単結晶基板は、stillwellite型構造を持つ三方晶系に属する化学式REBGeO5(REは希土類元素)で標記される単結晶からなり、結晶学的方位{0001}を基板面とする。前記単結晶基板は、1000℃以上に加熱して形成した焼結体を原料として溶融し、必要に応じて、酸素雰囲気下あるいは不活性ガス雰囲気下で融液から単結晶を育成した後、結晶学的方位{0001}を基板面として切り出すことにより製造される。 (もっと読む)


【課題】SiCを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第1および第2の裏面B1、B2の各々が一の方向を向き、かつ第1および第2の側面S1、S2が互いに対向するように、第1および第2の炭化珪素基板11、12が配置される。この配置する工程の後に、第1および第2の裏面B1、B2を互いにつなぎ、かつ第1および第2の側面S1、S2が互いに対向する空間を埋めるように、第1および第2の炭化珪素基板11、12上に炭化珪素層30が分子線エピタキシ法によって形成される。 (もっと読む)


【課題】表面のオフ角のばらつきが小さい大面積の窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シード基板上に半導体層を成長させて窒化物半導体結晶を得る窒化物半導体結晶製造方法において、前記シード基板は同一材料の複数のシード基板を含み、前記複数のシード基板のうち少なくとも1つは他のシード基板とオフ角が異なり、前記複数のシード基板上に単一の半導体層を成長させたときに、前記単一の半導体層のオフ角分布が前記複数のシード基板のオフ角分布よりも少なくなるように、半導体結晶製造装置内に前記複数のシード基板を配置して、前記単一の半導体層を成長させることを特徴とする窒化物半導体結晶製造方法。 (もっと読む)


【課題】結晶中に欠陥の発生や不純物の混入を防止することにより結晶品質の改善を図ることが可能な結晶成長方法を提供する。
【解決手段】基板上に結晶90を成長させる際に、結晶90中の格子欠陥の欠陥準位に対応する波長を含む光を結晶成長時に照射し、照射した光に基づいて格子欠陥に対して近接場光を発生させ、発生させた近接場光による近接場光相互作用に基づいて格子欠陥を構成する不純物33又は欠陥周辺の原子を脱離させる。 (もっと読む)


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