本発明は、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする薄膜を形成するための、セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板及び該薄膜が形成されている薄膜基板に関する。
基板としてセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることでその上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成できる。
また、結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を提供できる。
さらに、このようなセラミック材料を主成分とする焼結体を用いることで発光効率に優れた発光素子を提供できる。 （もっと読む）

本発明の目的は、半導体材料、電子部品、光学部品などに用いられる、高靱性でかつ、大面積・高品質なダイヤモンド基板及びその製造法を提供することである。 ダイヤモンド単結晶基板の表面にダイヤモンド多結晶膜を積層させてダイヤモンド複合基板とする。該複合基板は、ダイヤモンド単結晶基板の最も面積の大きい主たる面を｛１００｝面とし、この面に平行な対面に、前記ダイヤモンド多結晶膜が積層されていることが好ましい。該ダイヤモンド単結晶基板３を、主たる面の面方位が揃った複数個のダイヤモンド単結晶体から構成し、これら複数個のダイヤモンド単結晶体を該ダイヤモンド多結晶層４によって接合してダイヤモンド複合基板２としてもよい。また、該ダイヤモンド単結晶を種結晶として、その表面に気相合成ダイヤモンド単結晶を設けても良い。
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