【課題】製造工程の複雑化を防止し、炭化珪素基板の制約がなく、かつ基底面転位をより確実に貫通刃状転位に転換できる炭化珪素ウェハの製造方法及び前記炭化珪素ウェハを用いた炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気又は真空において、１７００℃〜２２００℃で炭化珪素基板１を加熱処理することで、炭化珪素基板１の基底面転位２０の先端部を貫通刃状転位３０に転換し、当該炭化珪素基板１上に、炭化珪素のエピタキシャル成長を行うことで、基底面転位２０が低減したエピタキシャル膜２を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】リン系化合物半導体の原料としてホスフィンおよびオキシ塩化リンを使用しないで、高圧に加圧することなく、効率よくリン系化合物半導体を製造することができるリン系化合物半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】リン系化合物半導体の原料としてスズと三リン化四スズとの混合物を用い、当該混合物を不活性ガス雰囲気中で加熱し、発生したリンの蒸気をリンとの反応によって半導体を形成する金属の表面に接触させることを特徴とするリン系化合物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電磁波（フォトン）と表面プラズモンおよび表面マグノンとの間でのエネルギ交換を効率よく、かつ高い頻度で行うことができ、表面プラズモン共振や表面マグノン共振によって吸収、蓄積されるフォトンのエネルギを多くすることができるナノドットを有する構造体を提供する。
【解決手段】支持体１０と、支持体１０の上に形成された、複数の導電性セラミクスの単結晶２２が集合してなる導電性セラミクス層２０とを有し、導電性セラミクス層２０の表面には、導電性セラミクスの単結晶２２の一部からなり、高さ方向に直交する断面の面積が底部から頂部に向かってしだいに減少する形状を有するナノドット２４が複数形成された、ナノドットを有する構造体１。 （もっと読む）

【課題】 大粒で結晶性の良好な窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、アルミニウムガスまたはアルミニウム酸化物ガスを発生する原料ガス発生用基板と、
炭素成形体と、
窒化アルミニウム単結晶析出用の種結晶との存在下に窒素ガスを流通して、加熱環境下で窒化アルミニウム単結晶を成長させるに際して、
原料ガス発生用基板上に、炭素成形体を窒素ガス流通方向に対してほぼ平行に間隔を空けて配置し、
窒素ガス流通方向に対して上流側に原料ガス発生用基板を配置し、下流側に窒化アルミニウム単結晶析出用の種結晶を配置して、該種結晶に窒化アルミニウム単結晶を成長させることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】長時間に亘り結晶成長速度が安定しており、良好な品質の窒化アルミニウム単結晶を生産性良好に製造することのできる窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】気相法による窒化アルミニウム単結晶２４の製造方法であって、成長容器２と連通され、窒素ガス導入部１７を具備した原料ガス発生容器１１と、原料ガス発生容器１１の上面に設けられたフィーダー１３と、フィーダー１３の上面に設けられ、原料２１を連続的に供給する原料ホッパー１２とを備え、酸化アルミニウム粉末とカーボン粉末とを混合させてなる原料２１を、原料ガス発生容器１１に供給し、原料ガス発生容器１１を加熱することにより発生させたＡｌガスと、窒素ガス導入部１７より原料ガス発生容器１１へ供給された窒素とを、成長容器２内へ輸送し、成長容器２の成長部で連続的に窒化アルミニウム単結晶２４を成長させる。 （もっと読む）

【課題】高品質な窒化物単結晶を生産することが可能な窒化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明に係る窒化物単結晶の製造方法は、異種基板１を準備する工程と、上記異種基板１上に窒化物単結晶膜３を形成する工程とを備える。上記異種基板１が前記窒化物単結晶膜３の成膜温度範囲内で昇華する材料からなり、上記窒化物単結晶膜３を形成する工程では、上記異種基板１の昇華温度以下の温度から成膜を開始し、その後、上記異種基板１の昇華温度以上の温度に成膜温度を上げる。窒化物単結晶膜３はＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮであり、異種基板１はＳｉＣであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】結晶性がよい、従来の結晶構造とは異なる窒化アルミニウム単結晶を製造する。
【解決手段】反応容器４内の上流側に酸化アルミニウム５を配置し、下流側に窒化アルミニウム基板６を配置し、上流側から窒素ガスを線速度０．５〜７５．０ｍ／分で反応容器４内に供給し、上流側に配置した酸化アルミニウム５の温度を１７００℃以上２４００℃以下の範囲とし、下流側に配置した窒化アルミニウム基板６の温度を該酸化アルミニウム５の温度よりも低い温度に設定することにより、下流側の窒化アルミニウム基板６上に、窒化アルミニウム単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【目的】 シリコンウェハ１０１の支持部となるホルダ１１０への貼り付きを防止することを目的とする。
【構成】 チャンバ１２０内には、ホルダ１１０上に載置されたシリコンウェハ１０１が収容され、前記チャンバ１２０には成膜するためのガスを供給する流路１２２及びガスを排気する流路１２４が接続されたエピタキシャル成長装置１００において、ホルダ１１０は、凹み有する第１のザグリ穴１１４と、前記第１の凹部の底部にさらに凹みを有する第２のザグリ穴１１６との２段サグリを有していることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、化学気相成長法を用いて基板（１４）をコーティングするデバイス、特にダイヤモンド又はシリコンで基板をコーティングするデバイスであって、複数の細長い熱伝導体（２）からなる熱伝導体アレイがハウジング（９）内に提供され、前記熱伝導体（２）が第１の電極（１）と第２の電極（６）との間に延在し、熱伝導体がその一端に取り付けられたウェイト（４）によって個別にぴんと張った状態に保持されるデバイスに関する。熱伝導体（２）の寿命を延ばすために、本発明は、ウェイト（４）によって生成されるウェイトフォース（Ｇ）のベクトルが熱伝導体（２）の長手延長方向と４５°以下の角度（α）を形成するように、ウェイト（４）又は熱伝導体（２）が第２の電極（６）に案内されて電気的ループ接触が形成されることを提案する。
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【課題】本発明は、貴金属酸化物、貴金属またはハロゲン化貴金属を前駆物質として用いて単結晶基板の表面に対して方向性を有する貴金属ナノワイヤ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】反応炉の前端部に配置した前駆物質と、反応炉の後端部に配置した半導体または不導体単結晶基板を、不活性ガスが流れる雰囲気下で熱処理して前記単結晶基板の表面に垂直または水平に成長する貴金属単結晶ナノワイヤ及びその製造方法。本発明は、触媒を使用しない気相輸送法を利用して貴金属ナノワイヤを製造することができ、その工程が簡単でかつ再現性があり、大量生産に適するメリットがある。製造されたナノワイヤは、欠陥や不純物を包含しない完璧な単結晶状態の高純度かつ高品質の貴金属ナノワイヤである。貴金属ナノワイヤは、単結晶基板の表面に対して特定の方向性を有し、その方向性及び配列を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】大量のナノロッド及び基体表面に整列されたナノロッドのいずれをも製造することが可能な方法を提供すること。
【解決手段】金属酸化物ナノロッドの製造方法は、炉６内において金属蒸気を発生させる工程と、炉内の成長領域内において、ナノロッド成長用基体２２の表面上に金属酸化物ナノロッドが形成されるのに十分な時間だけナノロッド成長用基体２２を金属蒸気に曝す工程と、ナノロッド成長用基体２２を成長領域から除去する工程と、このように形成された金属酸化物ナノロッドであって、その直径が１ｎｍから２００ｎｍの金属酸化物ナノロッドを収集する工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶の劣化を引き起こすＡｕ等の材料を必要とせず、先端が極めて鋭い針状結晶を製造することができる針状結晶の製造方法と、被観察物表面の極めて微細な凹凸に対応することが可能な走査型プローブ顕微鏡のカンチレバーとを提供する。
【解決手段】ガリウム砒素基板２０上に所定パターンの絶縁膜２６を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜２６が形成されたガリウム砒素基板２０上にＭＯＣＶＤ法によりＧａＩｎＰを堆積する半導体堆積工程とを備え、堆積工程の際に、絶縁膜２６が形成された領域を除くガリウム砒素基板２０上の領域にＧａＩｎＰの層２８を成長させつつ、絶縁膜２６上にＧａＩｎＰからなる粒状物３０を発生させ、該粒状物３０を種結晶としてガリウム砒素基板２０の板面の法線方向に沿ってＧａＩｎＰを結晶成長させることにより、針状結晶１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素を用いたデバイスの歩留まり低下の原因となる結晶欠陥の密度を低減することを目的とする。
【解決手段】本発明における炭化珪素半導体基板１０の製造方法は、（a）炭化珪素基板１を準備する工程と、（b）炭化珪素基板１上に第１のエピタキシャル層５を形成する工程と、（c）第１のエピタキシャル層５に発生する結晶欠陥４の位置を特定する工程と、（d）特定した位置において、第１のエピタキシャル層５を除去するように、かつ炭化珪素基板１に溝２１を形成するようにエッチングを行う工程と、（e）第１のエピタキシャル層５および炭化珪素基板１上に第２のエピタキシャル層２を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】粗研磨を実施したときのクラックの発生率を低下することができるＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板及びＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板は、異種基板上にファセット面で成長したＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶の第１の領域と、異種基板上に所定の面方位で成長したＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶の第２の領域とを有し、第１の領域は、第２の領域に対して１０％以下の面積比を有する。 （もっと読む）

【課題】触媒を使用しない気相合成法を用いて高品質かつ欠陥のないすぐれた形状の固相の二元合金単結晶ナノ構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】二元合金を構成する金属元素らの金属酸化物、金属物質またはハロゲン化金属、または二元合金物質を前駆物質とし、気相合成法を利用した二元合金単結晶ナノ構造体の製造方法及び二元合金単結晶ナノ構造体を提供する。より詳細には、反応炉の前端部に位置させた前駆物質と、反応炉の後端部に位置させた基板を、不活性気体が流れる雰囲気下において熱処理して、前記基板上に二元合金単結晶ナノワイヤまたは二元合金単結晶ナノベルトを形成させる製造方法及びこの製造方法によって製造された二元合金単結晶ナノワイヤまたは二元合金単結晶ナノベルトを提供する。 （もっと読む）

基板のミスカット角上に成長する非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜。＜０００−１＞方向に向かうミスカット角は、０．７５°以上であり、＜０００−１＞方向に向かう２７°未満である。表面起伏は、抑えられ、面のある角錐を備え得る。薄膜を用いて製作されるデバイスもまた開示される。非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の表面起伏を抑えるために非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜が成長する基板のミスカット角を選択することを包含する方法を用いて製作される、滑らかな表面形態構造を有する非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜。非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜が成長する基板のミスカット角上に成長する滑らかな表面形態構造を有する薄膜上に成長する非極性ＩＩＩ族窒化物ベースのデバイス。ミスカット角はまた、非極性薄膜からの長波長発光を達成するために選択され得る。
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【課題】ゲッタリング能力を向上させることができ、かつ基板表面にエピタキシャル層を形成しても、積層欠陥が生じることを防止することのできるエピタキシャルシリコンウェハの製造方法を提供すること。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造され、窒素をドープして引き上げられたシリコン単結晶を切り出して得られる基板上に、エピタキシャル層を形成したエピタキシャルシリコンウェハの製造方法は、基板表面に基板洗浄装置１のバブリングタンク１１で気化させたフッ酸を噴射して、該基板Ｗの表面を洗浄するフッ酸洗浄工程と、洗浄された基板Ｗの表面上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハにおいて、少なくともデバイス特性に悪影響を及ぼさない高品質なエピタキシャル表面品質を得るために、エピタキシャルウェーハ用として最適な低COPの基板を効率よく製造でき、高品質エピタキシャルウェーハを歩留りよく製造できる製造方法の提供。
【解決手段】炭素濃度を０．３×１０^１６〜３．２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ （ＮＥＷ ＡＳＴＭ）の範囲に添加、制御させることによって、ＣＯＰの発生が低減、抑制され、特に、その後のエピタキシャル成長によっても消滅し難い０．１３０μｍ以上のＣＯＰの発生を頭著に低減、抑制でき、従来の結晶の生産性低下を招く低速引き上げを行うことなく、COP発生を低減抑制できる。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体の製造を低コストで簡便に行うことを可能とするIII族窒化物系化合物半導体製造用基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体製造用基板の製法は、窒素ガス単体若しくは純度９９．９％以上のＡｒガスを含む窒素ガスを用いて運動エネルギーが１００ｅＶ以下の窒素プラズマを形成し、次いで、この窒素プラズマを表面粗さＲａが０．２ｎｍ以下のサファイア基材表面に照射してＡｌ窒化物層から成る厚さ１０ｎｍ以下の金属窒化物層を生成した後、この金属窒化物層を有するサファイア基材を熱処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】気相法による窒化アルミニウム単結晶の製造において、原料ガスや炉内に含まれる酸素に由来する窒化アルミニウム単結晶への酸素の固溶を低減するための単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ヒーター５によって容器３内部に収容された原料４を昇華、気化、又は反応によりアルミニウム酸化物のガスを生成させることにより結晶成長用基体２にアルミニウム酸化物ガスを供給すると同時に、窒素又は窒素含有ガス供給路６を介して結晶成長用基体２に窒素又は窒素含有ガスを供給することにより、窒化アルミニウム単結晶を製造する。 （もっと読む）