【課題】本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。
【解決手段】
具体的には、この方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応器内の隔離弁取付具上の不要な材料の形成を実質的に防止することに関する。特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ₃及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長の際に反応室内に付着した堆積物を効果的に洗浄する方法を含むＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶１１の成長方法は、反応室１１０にＨＣｌガス１を導入して反応室１１０内を洗浄する工程と、洗浄された反応室１１０内でＳｉ原子をドーピングしながらＩＩＩ族窒化物結晶１１を気相成長させる工程と、を含む。または、反応室１１０にＨＣｌガスを導入して反応室１１０内を洗浄する工程と、洗浄された反応室１１０に取り付けられたトラップ装置１１６内に副生成物として生成した塩化アンモニア粉末をトラップしながらＩＩＩ族窒化物結晶１１を気相成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】反りの小さな半導体基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０上に接して形成されたＸ線回折による（００２）面のロッキングカーブ半値幅が１５００秒以下のＡｌＮ層１２と、ＡｌＮ層１２上に形成されたＧａＮ系半導体層１４と、を具備する半導体基板であって、その反りの曲率半径は±２５ｍ以上であり、反り量は、半導体基板の大きさを４インチとした場合、±５０μｍ以下である。ＧａＮ系半導体層１４はＡｌＮ層１２から圧縮応力を受ける。 （もっと読む）

【課題】転位等の結晶欠陥が低減されたＧａＮ単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶基板の製造方法は、ＧａＮ単結晶を種結晶として当該ＧａＮ単結晶の上に六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層６２を成長させて、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を形成するインゴット形成工程と、インゴット６４を複数枚に切断する切断工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスに好適に用いられるＩＩＩ族窒化物結晶基板ならびにその基板を含む発光デバイスおよびその発光デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板は、面積が１０ｃｍ²以上の主面を有し、主面の外周からの距離が５ｍｍ以下の外周領域を除く主領域において、総転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以上３×１０⁶ｃｍ^-2以下であり、総転位密度に対する螺旋転位密度の比が０．５以上である。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯナノロッドが基板表面に対して垂直性を維持しつつ、直径を２０ｎｍ以下まで細径化させることが可能なＺｎＯナノロッドの堆積方法を提供する。
【解決手段】所定圧力に調整されたチャンバ内に基板１３を設置し、チャンバ１１内への酸素原子を含む化合物で構成される気体又は蒸気と、亜鉛を含む有機金属ガスとを供給し、基板１３を４５０℃±１０％で加熱することにより、ＺｎＯからなる台柱を基板１３上に形成させ、次に基板１３を７５０℃±１０％まで昇温させ、当該温度にて所定時間保持することにより、台柱上端からＺｎＯナノロッドを成長させる。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法を用いた液滴エピタキシー法によるガスフローシーケンスの変更により、量子ドット中に所望の元素成分を確実に固溶させる。
【解決手段】基材１上に下地層２を形成した後、反応室をＰ成分雰囲気にした状態で、基材１の温度を下地層形成温度からドット形成温度まで降温する。そして、基材１の温度をドット形成温度に維持したまま、反応室をＡｓ成分及びＰ成分を含む雰囲気にして所定時間保持する。これにより、下地層２上にＡｓ成分及びＰ成分５を存在させる。その後、反応室を、Ｉｎ成分を含む雰囲気にして、Ｉｎ成分よりなりＡｓ成分及びＰ成分が固溶した液滴を形成するとともに、この液滴を結晶化して、ＩｎＡｓＰよりなる量子ドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】表面が平坦化されたＧａＮ単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板、窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶基板１１は、研磨された表面が、少なくともＮＨ₃ガスを含む混合ガス雰囲気中、基板温度１０２０℃以上で１０分以上熱処理されることにより、研磨により微細な欠陥が多数形成された基板１１表面において、原子再配列がおこなわれ、基板１１表面が平坦化される。その結果、ＧａＮ単結晶基板１１の表面の平均自乗平方根粗さが０．２ｎｍ以下となり、表面が１原子層に対応したステップとテラスを有するので、この基板１１上に形成するＧａＮエピタキシャル層１２の表面を平坦にすることができる。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体結晶層を成長する場合にも、半導体結晶層の層厚を均一化できる気相成長方法を提供する。
【解決手段】基板(1)を保持した自転サセプタ(2)を公転サセプタ(3)に設置して前記基板(1)を自公転させ、加熱された前記基板(1)上に原料ガス(G)を供給して基板(1)上に半導体
結晶を成長させる気相成長方法において、前記基板(1)上に一つの半導体結晶層を成長さ
せるのに要する基板(1)の自転回数が１６回未満の場合に、前記一つの半導体結晶層を成
長させる時間を前記基板(1)の自転周期の整数倍とした。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる際の結晶性を向上できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、下地基板の上に第１バッファー層を形成する第１バッファー層形成工程と、前記第１バッファー層の上に、複数の開口を有するマスクを形成するマスク形成工程と、前記第１バッファー層の表面において前記複数の開口により露出された複数の領域に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の第２バッファー層を形成する第２バッファー層形成工程と、前記複数の第２バッファー層の上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】反応管内のガス供給口近傍におけるIII族窒化物の析出が抑制されてなるIII族窒化物の作製装置を提供する。
【解決手段】作製装置１０の供給系１４は、三層構造の供給管を形成するように構成されてなる。供給管１４ａからは、金属Ａｌと第１ガスｇ１中のＨＣｌガスとの反応で生成するＡｌＣｌ_xガスを供給する。供給管１４ｂからはＮＨ₃ガス含む第２ガスｇ２を供給する。供給管１４ｃからは、第３ガスｇ３としてＡｌＣｌ_xとＮＨ₃との反応によるＡｌＮの生成を抑制するガス（例えばＮ₂ガス）を供給する。供給管１４ａの端部１４ｅ近傍の領域において、サセプタ１２側へと供給されるＡｌＣｌ_xガスを取り囲むように第３ガスｇ３の流れが形成されるので、当該領域においてＡｌＣｌ_xガスとＮＨ₃ガスとが反応することが抑制され、結果として、端部１４ｅへのＡｌＮの析出が効果的に抑制される。 （もっと読む）

【課題】 大面積の単結晶膜を得ることができるルブレン系化合物単結晶の製造方法及び有機半導体素子の製造方法並びに有機半導体素子を提供する。
【解決手段】 ルブレン系化合物単結晶膜を基板上に形成する際に、前記基板を１５０℃以上に保持すると共にこの基板上に前記ルブレン系化合物の気体を供給することにより当該基板上にルブレン系化合物の単結晶を成長させて単結晶膜を得る。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長層との格子定数がマッチでき、歪みや欠陥の少ないIII-Ｖ族窒化物系デバイスを製造できるIII-Ｖ族窒化物系半導体基板、及びこの基板を安価に再現性良く製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉドープＧａＮ層１１上にＳｉドープＡｌＧａＮ層１２を形成し、ＡｌＧａＮ層１２の表面及びＧａＮ層１１の裏面を平坦に研磨して複合自立基板１０とする。 （もっと読む）

【課題】 水晶結晶薄膜、特にＡＴカット面に優先的に配向した水晶結晶薄膜を均一な厚みで製造するために有利に用いることができる水晶薄膜の製造装置を提供すること。
【解決手段】 排気口を備えた反応容器、反応容器内に装着された基板ホルダ、反応容器内に酸素含有気体を供給する、基板ホルダに支持される基板の表面もしくは基板表面を含む平面上の基板の周囲の領域に間隔を介して先端開口部が向けられて配置されている気体供給管、反応容器内に珪素アルコキシドを含有する気体を供給する供給口、反応容器内に反応促進剤を含む気体を供給する供給口、および各気体供給口側の反応容器の端部と上記基板の設置位置との間に設けられ、基板表面に向いた開口部を有する、珪素アルコキシド含有気体と反応促進剤含有気体との混合室を含む水晶薄膜製造装置。 （もっと読む）

【課題】半導体積層構造物と、これを用いて高品質の窒化物半導体結晶基板及び素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体積層構造物１００は、窒化物半導体結晶面である上面を有する基礎基板１０１と、上記基礎基板上で間隔を置いて水平方向に延長された流通孔パターン１０５を囲う成長防止膜１０３と、上記流通孔パターン１０５の間の領域で上記基礎基板１０１の上面と接触するよう上記基礎基板上に形成され、上記成長防止膜１０３を覆う窒化物半導体結晶層１０７を含む。上記半導体積層構造物は、低欠陥高品質の窒化物半導体結晶層、窒化物半導体結晶基板及び窒化物半導体素子を得ることに利用される。 （もっと読む）

【課題】酸素等不純物の低減されたIII族ハロゲン化物ガスを供給することにより、酸素不純物濃度の低減されたAl系III族窒化物結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】三塩化アルミニウム等のAl系III族ハロゲン化物ガスとアンモニアガス等とを反応域に保持された基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させて窒化アルミニウム等のAl系III族窒化物結晶を製造する方法において、該Al系III族ハロゲン化物ガスを金属アルミニウム１５と接触させた後に成長反応器１６に流出せしめて反応させる。 （もっと読む）

【課題】基板表面のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）層におけるクラックの発生、および転位密度を低減させることができるIII族窒化物半導体基板、III族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板１は、下地基板１０上に形成されたマスク１９、Ａｌ_ａＧａ_１−ａＮ（０≦ａ<１）により構成され、組成ａが一定である第一層１１、第一層１１上に形成される第二層１２、組成ｂが一定のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）により構成される第三層１３を備える。第一層１１は、マスク１９の開口部１９１内部を埋め込むとともに、被覆部１９２の上面を覆っている。第二層１２は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０<ｘ<１）により構成され、組成ｘが層厚方向に変化し、第三層１３に接する表面の組成ｘが、第一層１１に接する表面の組成ｘよりも高くなった組成分布である。組成ａ、ｂ、ｘはａ<ｘ<ｂなる関係が成立している。 （もっと読む）

【課題】結晶品質が良くかつ表面平坦性の優れたＡｌＮ単結晶膜の形成方法を提供する。
【解決手段】サファイア基材上に、ＡｌＮ単結晶による成長下地層をＭＯＣＶＤ法により（０００２）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下で、かつその表面を原子レベルで平坦となるように形成する。つづいて、前記成長下地層上に、ＨＶＰＥ法により、１１００℃以上の形成温度Ｔ（℃）に対してＡ≦０．３Ｔ−３３０なる関係を満たすように、形成速度Ａ（μｍ／ｈｒ）を制御しながらＡｌＮの単結晶膜を形成する。形成速度の制御は、例えばＡｌ原料ガスの供給量を調整することによりおこなう。 （もっと読む）

シリコン基板上に少なくとも２ミクロンの厚さの単結晶ＧａＮ薄膜を成長させる方法を開示する。該方法は、プレレイヤー、シリコン基板上のＡｌＮを含むバッファ層、及び、該ＡｌＮバッファ層の頂部に交互に堆積された複数のＧａＮ層及びＡｌＮ層を成長させることを含む。複数のＧａＮ層及びＡｌＮ層の堆積条件及びタイミングを制御することにより、単結晶ＧａＮ薄膜は、クラック又はピット無しで２ミクロンより厚く成長させることができる。
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【課題】ＭＯＶＰＥ法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供する
【解決手段】ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でV／III比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをＲ面サファイア基板上のＡ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、Ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子デバイスへの応用を行う。 （もっと読む）