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Fターム[4G077DB07]の内容

結晶、結晶のための後処理 (61,211) | 気相成長−CVD (2,039) | 基板上に気相成長させるもの (1,635) | 反応原料の選択 (1,331) | 有機化合物 (666) | 炭化水素 (112)

Fターム[4G077DB07]に分類される特許

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【課題】基板の周方向における温度分布を均一にすることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置100は、反応ガス4が供給されて成膜処理が行われるチャンバ1と、チャンバ1に配置されて基板7が載置されるサセプタ8と、サセプタ8を下方から加熱するヒータ9とを有する。サセプタ8は、リング状の第1のサセプタ部8aと、第1のサセプタ部8aに接して設けられ、第1のサセプタ部8aの開口部分を遮蔽する第2のサセプタ部8bとを有し、第2のサセプタ部8bの加熱部に対向する面は水平面から傾斜している。また、第1のサセプタ部8aは、第2のサセプタ部8bの厚みに対応した周方向に異なる形状を有する。 (もっと読む)


【課題】単結晶ダイヤモンドと多結晶ダイヤモンドの双方の利点を活かしながら、更に板状の構造を可能にするために、多結晶ダイヤモンドの研磨の困難性も回避し、研磨が容易なダイヤモンド複合体を提供すること。
【解決手段】少なくとも2種類の結晶性の異なる結晶からなる構造の複合体であり、その内の第一の結晶は高圧合成法により合成した単結晶ダイヤモンドか、あるいは気相合成法により合成した単結晶ダイヤモンドであり、第二の結晶は欠陥を面内に周期的なパターン形状で含む気相合成法により合成したダイヤモンドであり、該第一の結晶及び第二の結晶はいずれも、主面が平行になるように層状に形成されていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 (もっと読む)


【課題】ダイヤモンド基板上に単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長させるに際し、エピタキシャル成長した単結晶ダイヤモンドにおいて基板のダイヤモンドの欠陥に由来する欠陥を極力低減すること。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド基板上の欠陥の位置に、幅と深さのアスペクト比(深さ/幅)2以上の溝又は穴を形成した単結晶ダイヤモンド基板上に、気相エピタキシャル成長法によって単結晶ダイヤモンド膜を形成してなり、前記溝又は穴の部分が空孔として結晶内部に残っていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 (もっと読む)


【課題】得られるコーティングが0.5マイクロ秒〜1000マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイドコーティングを基板上に堆積させる方法を提供する。
【解決手段】a.ジクロロシランガス、メチルハイドロジェンジクロロシランガス、ジメチルジクロロシランガス、及びそれらの混合物から選択されるクロロシランガスと、炭素含有ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを、単結晶シリコンカーバイド基板を含有する反応チャンバ内に導入すること、及びb.1200℃より高いが1800℃より低い温度に基板を加熱すること、を含むが、但し、反応チャンバ内の圧力は10torr〜250torrの範囲に維持されるものとする。 (もっと読む)


【課題】原料ガスのガス流の安定化を図り、長時間安定してSiC単結晶を成長させることを可能とする。
【解決手段】台座10とヒータ11とを別体にすると共に、排気ガス出口11aが台座10よりも下方位置に配置されるようにすることで台座10によって覆われないようにし、台座10が引上げられても面積の変動が無いようにする。このような構成とすることで、SiC単結晶の成長中に原料ガス3のガス流が変化しないようにできる。これにより、原料ガス3のガス流の安定化を図ることが可能となり、長時間安定してSiC単結晶を成長させることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】高い透明度を保持し、屈折率が高く、複屈折性が小さいという光学的な特性を有し、電気的絶縁性に優れ、各種基材に密着性良くコーティングでき、かつ低温での形成が可能な炭素膜を提供するプラズマCVD装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマCVD装置は、結晶欠陥が、六方晶ダイヤモンド及び積層欠陥を備える積層体を製造するための表面波プラズマCVD装置であり、前記表面波プラズマCVD装置は、試料台と、試料台上の冷却ステージと、表面波プラズマ源とを備え、該表面波プラズマ源を制御して反応器内のガス圧力を5×10から5×10Paに設定し、かつ試料台と冷却ステージと密着させ、前記基板と該表面波プラズマ源との距離を調節して基板温度を450℃以下に設定する。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜を得ることが可能な単結晶炭化シリコン膜の製造方法及び単結晶炭化シリコン膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板11上に単結晶炭化シリコン膜14を形成する単結晶炭化シリコン膜14の製造方法であって、シリコン基板11の表面に炭化シリコン膜12を形成する第1の工程と、炭化シリコン膜12の表面にマスク材13を形成する第2の工程と、マスク材13に開口部13hを形成し、炭化シリコン膜12の一部を露出させる第3の工程と、原料ガスを含むガス雰囲気中でシリコン基板11を加熱し、炭化シリコン膜12を基点として単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、炭化シリコン膜12及びマスク材13を覆う単結晶炭化シリコン膜14を形成する第4の工程と、を含み、原料ガスを含むガス雰囲気の圧力は、5.0×10−4Pa以上かつ0.5Pa以下である。 (もっと読む)


【課題】排出経路の詰まりを更に抑制し、よりSiC単結晶を長時間成長させることが可能なSiC単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】台座9の外周にパージガス15が導入されるようにし、外周容器8bの内径が原料ガス3およびパージガス15の流動方向下流側に進むに連れて徐々に大きくなるようにする。これにより、パージガス15が外周容器8bの内周面に沿って流れる効果が高められるようにできる。したがって、効果的に排出経路にSiC多結晶が堆積することを抑制することが可能となり、SiC単結晶製造装置1をよりSiC単結晶を長時間成長させることが可能な構成にできる。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が低いSiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びにSiCエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】本発明のSiCエピタキシャルウェハは、オフ角を有するSiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル層を有するSiCエピタキシャルウェハであって、前記SiCエピタキシャル層に存在する、チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が0.5個/cm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】クラック等の欠陥がなく表面の平坦性に優れ、成長速度が速く低コスト化が可能な単結晶ダイヤモンド基板の製造方法及びそれにより得られる厚膜ダイヤモンド基板の提供を目的とする。
【解決手段】2°以上のオフ角を有する結晶構造{111}の母ダイヤモンド基板の上に化学気相成長法(CVD)を用いてラテラル成長が発現する条件下でダイヤモンドを成長させて得ることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル成長層の結晶品質を向上させることができ、厚膜のエピタキシャル成長層を形成する場合においてもキャリア移動度の低下が生じず、素子抵抗の低い炭化珪素エピタキシャルウエハおよび炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体素子は、ドーピングにより格子定数が減少するドーパントを濃度Aでドーピングした基板と、ドーパントを基板よりも小さい濃度Bでドーピングしたエピタキシャル成長層と、基板とエピタキシャル層との間に、ドーパントをドーピングした2層以上積層した多層構造で形成されたバッファ層とを有し、多層構造の各層のドーパントのドーピング濃度Cが、バッファ層の厚さをd、エピタキシャル成長層からの各層までの平均距離をx、所定の割合をPとして、[B+(A−B)×x/d]×(1−P)≦C≦[B+(A−B)×x/d]×(1+P)とした。 (もっと読む)


【課題】 シリコンカーバイト素子を構成しているエピタキシャル層の品質は、高性能素子を作るうえで重要であり、特に、電気的耐圧を下げるパーティクルを減らす事は、最重要事項である。
一方、エピタキシャル層製膜時、エピタキシャルを製膜する単結晶シリコンカーバイトウエファー以外の部分にもシリコンカーバイトが、多く析出し、それらがカーボン、金属、石英ガラス製の反応炉構成部材表面から剥離しガスの流れにより成長中のエピタキシャル層に混入しパーティクルが形成されていた。
特に、距離的に近いため、ウエファーが乗っているサセプターからのシリコンカーバイト析出物の剥離が問題であった。
【解決手段】 サセプター上にシリコンカーバイト板をパーティクル吸着板として取り付け、析出したシリコンカーバイトが、剥離しないようにした。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥の少ない高品質な単結晶炭化シリコン膜を形成することが可能な半導体基板及び半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン11と、単結晶シリコン11の表面に形成された、開口部12hを有するマスク材12と、単結晶シリコン11の開口部12hから露出した部分に形成された炭化シリコン膜13と、炭化シリコン膜13及びマスク材12を覆って形成された単結晶炭化シリコン膜14と、を含み、マスク材12の粘度が950℃以上1400℃以下の温度範囲において10Pa・s以上1014.5Pa・s以下である。 (もっと読む)


【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】圧延平行方向及び圧延直角方向の60度光沢度が共に500%以上であり、水素を20体積%以上含有し残部アルゴンの雰囲気中で1000℃で1時間加熱後の平均結晶粒径が200μm以上であるグラフェン製造用銅箔である。 (もっと読む)


【課題】高温条件下で行なわれるSiCエピタキシャル膜の成膜処理において、複数枚の基板上にわたって均一なSiCエピタキシャル膜を成膜することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態では、異なる第1のガス供給系と第2のガス供給系を設け、第1のガス供給系からアルゴン(Ar)ガス、四塩化珪素(SiCl)ガス、プロパン(C)ガスの一部および塩化水素(HCl)ガスを供給し、第2のガス供給系から残りのプロパン(C)ガスと水素(H)ガスを供給している。 (もっと読む)


【課題】合成ダイヤモンド並びに合成単結晶ダイヤモンドを調製及び使用する方法を提供する。
【解決手段】化学気相成長によって形成される1つ又は複数の単結晶ダイヤモンド層を有する、合成単結晶ダイヤモンド組成物であって、該層が、不純物のない他の層又は同様の層と比べて、(ホウ素及び/又は炭素同位体などの)1つ又は複数の不純物の濃度が増加した1つ又は複数の層を含む。このような組成物は、色、強度、音速、電気伝導率、及び欠陥の抑制を含めて、特性の改善された組み合せを提供する。さらに、このような組成物を調製する関連した方法、並びにこのような方法を実施するのに使用するシステム、及びこのような組成物を取り入れた製品が記載される。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥の少ない高品質な3C−SiC層を形成することが可能な立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板11の上面11aに炭化層12を形成する第1の工程と、シリコン基板11の温度を第2の温度範囲の温度まで下降させる第2の工程と、シリコン基板11の温度が第2の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガスを導入し、シリコン基板11と炭化層12の間の界面に形成された空孔11hにシリコンをエピタキシャル成長させて空孔11hを埋める第3の工程と、シリコン原料ガスの導入を止め、炭素原料ガスを導入しつつシリコン基板11の温度を第3の温度範囲の温度まで上昇させる第4の工程と、シリコン基板11の温度が第3の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガス及び炭素原料ガスを導入し、炭化層12上に立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させる第5の工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】Si基板上に対して、2H−SiC単結晶のみを、簡易かつ効果的に形成する方法を提供する。
【解決手段】Si(111)単結晶基板の一主面上に、AlN膜を形成し、前記AlN膜上に2H−SiC単結晶を形成する2H−SiC単結晶の製造方法であって、前記一主面の法線が、[111]方向から[011]方向または[112]方向に対して、0°より大きく30°より小さい角度のオフカット角を有しており、より好ましくは、[111]方向から[011]方向に対して5°以上20°以下、または[111]方向から[011]方向に対して6°以上22°以下である。 (もっと読む)


【課題】 貫通らせん転位の密度を減らした領域を特定する。
【解決手段】基底面(0001)より傾斜角の大きいストライプ2の傾斜面2aを貫通する貫通らせん転位4を基底面内の欠陥4aに構造転換し、傾斜面2aの間で欠陥4aを貫通らせん転位と同方向へ伝播させ、ストライプ2の上側をc軸方向に貫通らせん転位4が貫通しない部位(c軸方向に貫通する欠陥の密度を減らした領域)x1として特定する。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス用基板として有用な大面積でかつ歪が少ない高品質単結晶ダイヤモンドを安定して得ることを目的とする。
【解決手段】1主面から2つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した2つの互いに直交する直線偏光の位相差が、試料全体にわたり、試料厚さ100μmあたり最大50nm以下であることを特徴とする気相合成法により成長された単結晶ダイヤモンドである。 (もっと読む)


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