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Fターム[4G077DB08]の内容

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【課題】窒化ガリウム層を備える黒鉛材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛材1は、膨張黒鉛シート2と、膨張黒鉛シート2の上に配された、結晶性窒化ガリウム層3とを備える。黒鉛材1の製造方法は、膨張黒鉛シート2を準備する工程と、膨張黒鉛シート2の上に、結晶性窒化ガリウム層3を形成する工程と、を備える。結晶性窒化ガリウム層3は、有機金属気相成長法により、膨張黒鉛シート2の上に窒化ガリウムの結晶をエピタキシャル成長させてなる。 (もっと読む)


【課題】好適な有機金属化学気相成長法による、高品質のN面GaN、InNおよびAlNならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法を提供する。
【解決手段】N面III族窒化物膜を成長させるための方法であって、(a)ミラー指数結晶面に対して誤配向角を伴う成長表面を有する基板を提供すること、(b)前記成長表面上または前記成長表面の上方で層を形成することであって、前記層は、前記層上で形成される1つ以上の後続の層に対するN極性配向を設定すること、および、(c)前記層上でN面III族窒化物膜を成長させることであって、前記N面III族窒化物膜は、前記層によって設定されるN極性配向を有することを含む。 (もっと読む)


【課題】Ga基板上の窒化物半導体層の上面の転位密度が低い結晶積層構造体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態において、Ga基板2と、Ga基板2上のAlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなるバッファ層3と、バッファ層3上の、酸素を不純物として含むAlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなる窒化物半導体層4と、を含む結晶積層構造体1を提供する。窒化物半導体層4のGa基板2側の200nm以上の厚さの領域4aの酸素濃度は、1.0×1018/cm以上である。 (もっと読む)


【課題】Ga基板と窒化物半導体層の間の電気抵抗が低い結晶積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態において、酸素が六角格子配置された面を主面とするGa基板2上に、AlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶を温度T1で成長させてバッファ層3を形成する工程と、バッファ層3上にAlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶を成長させて窒化物半導体層4を形成する工程と、を含む結晶積層構造体1の製造方法を提供する。この製造方法は、バッファ層3を形成するより前に、温度T1よりも高い温度でGa基板2の表面を窒化する工程を含まない。 (もっと読む)


【課題】Ga基板と窒化物半導体層の間の電気抵抗が低い結晶積層構造体及びその製造方法、並びにその結晶積層構造体を含む低電圧駆動の半導体素子を提供する。
【解決手段】一実施の形態においては、Ga基板2と、Ga基板2上のAlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなるバッファ層3と、バッファ層3上の、AlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなる窒化物半導体層4と、を含み、Ga基板2の表面の窒化物半導体層4の直下の領域をバッファ層3が被覆する割合が10%以上、100%未満であり、窒化物半導体層4の一部がGa基板2の表面に接触する、結晶積層構造体1を提供する。 (もっと読む)


【課題】メモリー効果を抑制し、急峻な材料ガスの切替え制御が可能で、組成や不純物濃度制御に優れ、ピット密度が低く高品質な結晶成長を行うことができる気相結晶成長装置及び材料ガス噴出装置を提供する。
【解決手段】第1の材料ガス及び第2の材料ガスがそれぞれ供給され、互いに上下に分離された第1の材料ガス供給室及び第1の材料ガス供給室の上部に設けられた第2の材料ガス供給室と、第1の材料ガス供給室に隣接して第1の材料ガス供給室の下部に設けられた第1の冷却ジャケット及び第1の冷却ジャケットの下部に配された第2の冷却水ジャケットとからなる冷却器と、冷却器を貫通するとともに第1の材料ガス供給室に連通して第1の材料ガスを噴出する第1の材料ガス通気孔と、冷却器を貫通するとともに第2の材料ガス供給室に連通して第2の材料ガスを噴出する第2の材料ガス通気孔と、を有する。 (もっと読む)


【課題】大型で良質なIII族窒化物半導体結晶を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】V族原料およびIII族原料の存在下でC面以外を主面とするIII族窒化物シード1上にIII族窒化物半導体結晶層3を成長させる際に、成長温度を1020℃未満にして行う低温成長工程2を実施する。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第1下側層と、第1ドープ層と、第1上側層と、を含む。第1下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ、下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第1ドープ層は、第1下側層の上に設けられ、第1下側層の格子定数以上の格子定数を有し1×1018cm−3以上1×1021cm−3未満の濃度で不純物を含有する。第1上側層は、第1ドープ層の上に設けられ、第1ドープ層の格子定数以上で第1下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 (もっと読む)


【目的】
GaN系化合物半導体成長層に生じる歪が低減されるとともに、当該結晶成長層にダメージを与えることなくSi基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なGaN系化合物半導体の成長方法及び成長層付き基板を提供する。
【解決手段】
Si基板上にコラム状結晶層を成長する工程と、上記コラム状結晶層上に島状成長又は網目状成長の窒化アルミニウム(AlN)結晶層であるバッファ層を成長する工程と、上記バッファ層上にGaN系化合物結晶を成長する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】コストメリットがあり、かつ、特性の優れた高周波動作用の半導体素子を実現できるエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】導電性を有するSiCまたはSiからなる基材の上に、絶縁性を有する第1のIII族窒化物からなる下地層をMOCVD法によって、表面に実質的に非周期的な凹凸構造を有するようにかつ、表面の平均粗さが0.5μm以上1μm以下となるように、エピタキシャル形成し、下地層の上に、GaNからなるチャネル層をエピタキシャル形成し、チャネル層の上に、AlGa1−xN(0<x<1)からなる障壁層をエピタキシャル形成する。 (もっと読む)


【課題】結晶基板を安価に製造可能な手段を提供する。
【解決手段】本発明は、気相成長装置の基板保持具(10)に保持されオリエンテーションフラット(23)を有する下地基板(20)の結晶成長面(21)上に結晶膜(30)を成長させ、該結晶膜(30)から結晶基板(35)を製造する方法であって、前記基板保持具(10)は、前記下地基板(20)の結晶成長面(21)の一部を露出させる開口部(12)を備え、前記開口部(12)は、その輪郭に、円弧状部(13)と弦状部(14)を含み、前記弦状部(14)の内壁は、前記オリエンテーションフラット(23)を前記下地基板(20)の中心軸を回転軸として30°又は90°の整数倍回転させた面に略平行な壁面(15)を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 良好な規格化保持時間を有するエピタキシャル成長させて得られた強誘電体膜の作製方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に、電極層を介して、強誘電体膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から該強誘電体のキュリー温度より15%高い温度〜15%低い温度の範囲までの冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第1冷却工程と、次いで該第1冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第2冷却工程とで実施する。 (もっと読む)


【課題】六角棒状GaN系半導体結晶の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】GaN系半導体からなり、m面である表面を有する下地結晶10の前記表面上に、前記下地結晶10のc軸に沿って延びる複数のストライプ22を含むマスク20を形成する工程と、前記マスク22が形成された前記表面の上にGaN系半導体結晶30をエピタキシャル成長させる工程と、を含む六角棒状GaN系半導体結晶の製造方法において、GaN系半導体結晶30は下地結晶10の露出面15から成長し始め、マスク20と略同じ厚さのGaN系半導体結晶膜40がまず形成される。更にGaN系半導体結晶30を成長させ続けると、GaN系半導体結晶膜40の上に六角棒状GaN系半導体結晶30が形成される。 (もっと読む)


【課題】ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ga薄膜およびその生成方法を提供する。
【解決手段】(a)水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫(II)化合物とを混合して原料溶液を調製する工程と、(b)前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程と、(c)前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給する工程と、(d)前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、4価の錫が添加された導電性α‐Ga薄膜を形成する工程と、を備える結晶性の高い導電性α‐Ga薄膜の生成方法とする。 (もっと読む)


【課題】デバイス化の工程で割れが発生することを抑制することが可能なIII族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のIII族窒化物エピタキシャル基板10は、Si基板11と、該Si基板11と接する初期層14と、該初期層14上に形成され、Al組成比が0.5超え1以下のAlGaNからなる第1層15A1(15B1)およびAl組成比が0超え0.5以下のAlGaNからなる第2層15A2(15B2)を順次有する積層体を複数組有する超格子積層体15と、を有し、前記第2層のAl組成比が、前記基板から離れるほど漸減することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】低転位であり、クラック発生を抑制できるIII族窒化物半導体層を有する窒化物
半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板上にAlを含むIII族窒化物半導体のバッファ層を介して成長した、C
面を表面とするIII族窒化物半導体層を有する窒化物半導体エピタキシャル基板であって
、前記バッファ層が、その表面にインバージョンドメインを有する。 (もっと読む)


【課題】故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性(Al,In,Ga、B)NまたはIII族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶である。
【解決手段】具体的には、結晶は、(Al,In,Ga,B)NまたはIII族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶であって、該表面は少なくとも幅10μmであり、半極性方位を有し、 該結晶はx線回折により測定される半値全幅(FWHM)が0.55°未満であるロッキング・カーブにより特徴づけられる結晶品質を有することを特徴とする結晶を提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体発光素子の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の実施例による半導体発光素子の製造方法は、半導体成長用基板上に第1導電性半導体層、活性層及び第2導電性半導体層を順に成長させて発光部を形成する段階と、上記第2導電性半導体層上に上記発光部と結合されるように支持部を形成する段階と、上記発光部から上記半導体成長用基板を分離する段階と、上記分離された半導体成長用基板の表面に残存する半導体層が除去されるように上記半導体成長用基板にエッチングガスを適用する段階とを含む。 (もっと読む)


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