【課題】原料ガスのガス流の安定化を図り、長時間安定してＳｉＣ単結晶を成長させることを可能とする。
【解決手段】台座１０とヒータ１１とを別体にすると共に、排気ガス出口１１ａが台座１０よりも下方位置に配置されるようにすることで台座１０によって覆われないようにし、台座１０が引上げられても面積の変動が無いようにする。このような構成とすることで、ＳｉＣ単結晶の成長中に原料ガス３のガス流が変化しないようにできる。これにより、原料ガス３のガス流の安定化を図ることが可能となり、長時間安定してＳｉＣ単結晶を成長させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣのエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、短いステップバンチングがないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いたカーボンナノチューブの製造工程において、成長基板における温度分布の不均一性を改善する技術を提供する。
【解決手段】流体を流すための多孔質流路層１５と、多孔質流路層１５を狭持し、水素を選択的に透過する第１と第２の電極層１１，１２とを備える成長用基板１０を準備する。成長用基板１０の第１の電極層１１側の外表面に、カーボンナノチューブの生成を促進させるための触媒金属２０を担持させる。第１の電極層１１には、原料ガスを供給してカーボンナノチューブを成長させるとともに、多孔質流路層１５にプロトン伝導性を有するイオン性液体を流しつつ、第１と第２の電極層１１，１２の間に、第１の電極層１１側を陽極として電圧を印加する。これによって、第１の電極層１１側における副産物である水素を第２の電極層１２側へと移動させる。 （もっと読む）

【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、下地基板上に、開口部を有し、かつＳｉＯ₂よりなるマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。マスク層の表面粗さＲｍｓは２ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】硬度に優れた領域と潤滑性に優れた領域とを同一平面内に局在させて併せ持つことが可能なＤＬＣ膜を備えた金属部材を提供すること。
【解決手段】少なくとも鉄を含む金属基材１１上にＤＬＣ膜１２を配してなる金属部材１０であって、ＤＬＣ膜１２は、ラマンスペクトルにおいて、波数が１５５０〜１６００［ｃｍ^―１］の範囲に観測されるグラファイトに起因したピークを有し、前記ピークの強度が膜面内に複数異なって混在し、前記ピークの強度の最大と最小の差が１桁以上であること。 （もっと読む）

【課題】基板上の触媒膜が気中放置されても酸化されない基板ユニットを提供する。
【解決手段】本基板ユニット１は、基板３と、この基板３上に成膜されていて熱アニール温度で微粒子化する触媒膜５と、この触媒膜５の表面を覆って上記触媒膜５を保護するもので熱分解温度が熱アニール温度未満の触媒保護膜７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電気を流すことができる。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４と、を有する配線構造１０により、基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４とにより、筒状炭素構造体１４が金属性を示す。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ単結晶基板上に、結晶性や配向性が良好で、電気的特性や光学的特性等に優れたＧａＮ薄膜を、低コストで効率良く製造することが可能なＳｉ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】化学気相成長法によりＳｉ基板１２上にＳｉＣ層及びＡｌＮ層を順次形成した後に、ＡｌＮ層上にＧａＮ結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒１４にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、ＡｌＮ層上で有機ガリウム化合物と反応させてＧａＮ結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板１２を製造する。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ法によるエピタキシャル成長法においてAl系III族窒化物結晶を製造する際の成長手順を検討して、結晶性が著しく向上したAl系III族窒化物結晶を得る製法を提供する。
【解決手段】 三塩化アルミニウム等のハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスとアンモニア等の窒素源ガスとを基板上で反応させることにより基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物結晶を製造する際に、予め３００〜５５０℃で前記両ガスを反応させ、次いで１１００℃〜１６００℃で同両ガスを反応させる二段成長法を採用する。 （もっと読む）

【課題】バルク炭化ケイ素単結晶の利用率の向上と素子特性の向上、さらに劈開性の向上を図ることができる炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法及びその製造方法により得られた炭化ケイ素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】α型炭化ケイ素単結晶の（０００１）ｃ面から２度未満のオフ角、〈１１−２０〉方向からのずれが１０度未満のオフ方向で切り出した基板上にエピタキシャル成長させた、ウェハ表面に露出した略三角形状の積層欠陥数がウェハ全面で４個／ｃｍ^２未満であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶ウェハ。 （もっと読む）

【課題】
DLC薄膜とターゲット基板との密着性を向上し、また、レーザーアブレーション法で問題となる溶融再凝固粒子（ドロップレット）や固体ターゲットのかけらなどの粗大粒子の混入によるなどによるDLC薄膜の品質低下の回避できるダイヤモンドライクカーボン薄膜の作製方法を提供する。
【解決手段】
原料ガス導入口に、炭酸ガスレーザーを照射することで，原料ガス分子を原子状に解離させ，基板構成原子の原子間結合エネルギーに相当する5eV程度の並進エネルギーを有する原子ビームを発生させる。原料ガスには、メタン、エチレン、アセチレンなどの直鎖炭化水素ガスを用いることで、炭素原子ビームを発生させ、シリコン基板などの固体ターゲット表面に共有結合によりダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成する。シリコン基板上に炭素系薄膜の堆積を確認し、ラマン分光法による分析結果からDLC薄膜であるとことを確認した。 （もっと読む）

【課題】 結晶構造を利用したナノワイヤーの製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の結晶面を有する粒子をシードとして利用し、所定範囲内の格子定数差を有する結晶成長物質を蒸着して、前記結晶面のうち少なくとも一つにナノワイヤーを成長させる。これにより、結晶成長の原理を利用して単純な工程で位置の選択性を確保でき、結晶性に優れるナノワイヤーなどのナノ構造物を形成できる。また、初期シードとして使われる結晶の特性を調節することによって多様な形態の異種接合構造物を形成できる。 （もっと読む）

【課題】無触媒層でナノチューブが形成され、充電容量を大きく確保できるキャパシタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】下部電極に用いられる導電膜パターン２７Ａを形成するステップと、導電膜パターン２７Ａの表面上に触媒を使用せずにひげ状のナノチューブ２８を形成するステップと、ナノチューブ２８を含む導電膜パターン２７Ａ上に誘電膜２９を形成するステップと、誘電膜２９上に上部電極３０を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

基板（１３）上に高アスペクト比のエミッタ（２６）を成長させるための装置を提供する。この装置は、チャンバを画定するハウジング（１０）を備え、高アスペクト比のエミッタ（２６）をその上に成長させるための表面を有する基板を保持するために、ハウジングに取付けられ、かつ、チャンバ内に配置された基板ホルダ（１２）を備える。加熱エレメント（１７）は、基板近くに配置され、炭素、伝導性サーメット、及び伝導性セラミックスからなる群から選択された１つ以上の材料である。ハウジングは、高アスペクト比のエミッタ（２６）を形成するために、ガスをチャンバ内へ受け入れるためのチャンバ内への開口部（１５）を画定する。
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【課題】 パワーデバイスや高周波デバイス材料として有用なケイ素基板表面にエピタキシャル成長した立方晶炭化ケイ素（３Ｃ−ＳｉＣ）結晶膜を、基板と結晶膜の界面にボイド等の欠陥を発生させずに、効率良く、しかも安全に形成する方法を提供する。
【解決手段】 １４００〜１８００℃に加熱した金属触媒体に水素ガスを接触させて生成した水素ラジカルにより、７００℃以上９００℃未満に加熱したケイ素基板の表面近傍でモノメチルシランを分解してケイ素基板表面に立方晶炭化ケイ素結晶膜をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）