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結晶、結晶のための後処理 (61,211) | 気相成長−CVD (2,039) | 反応ガスの加熱、熱分解、活性化手段 (263) | プラズマによるもの (162)

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【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材1と、基材1に中間層2、3を介して接合されたDLCパターン層4bとで構成され、基材1が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層2、3が、基材1及びDLCパターン層4bとの接合性を提供し、かつ、DLCパターン層4bに比べ、エッチングレートが小さい層であり、DLCパターン層4bに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 (もっと読む)


【課題】単結晶の気相合成において利用できるオフ基板の製造に際して、製造コストを削減でき、且つ同一のオフ角を有する基板を簡単かつ大量に製造することが可能な新規な方法を提供する。
【解決手段】気相合成法による半導体ダイヤモンド等のエピタキシャル成長が可能な材料であって、その表面が、エピタキシャル成長が可能な結晶面に対してオフ角を有する材料を基板として用い、該基板にイオン注入を行って、基板の表面近傍に結晶構造の変質した層を形成し、気相合成法によって該基板上に結晶成長を行い、次いで、成長した結晶層と基板とを分離させて得られた結晶層を基板として用い、該基板にイオン注入を行って、基板の表面近傍に結晶構造の変質した層を形成し、気相合成法によって該基板上に結晶成長を行い、成長した結晶層と基板とを分離させることを特徴とする、オフ角を有する単結晶基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】フィラー同士が互いに接触する確率が高く、重なり合うこともないフィラーとして、どのような母材の場合でも用いることができるダイヤモンドフレークの製造方法と、そのダイヤモンドフレークを含有した伝熱性強化材を提供する。
【解決手段】石英基板3の表面に、ダイヤモンド粉末を用いてダイヤモド核発生促進処理を施した後、700〜1000℃でCVD法により厚さ0.5〜5μmのダイヤモンド被膜2を成膜し、次いで、冷却を施してダイヤモンド被膜2に亀裂4を発生させ、ダイヤモンド被膜2を石英基板3から剥離させることで、薄片状で反りを有するダイヤモンドフレーク1を得る。 (もっと読む)


【課題】非常に高い温度に耐えられない分野で使用可能であり、その実施に関する熱負荷の低下にも寄与し、450℃未満の温度で行なわれ、触媒の構成元素のためにナノワイヤの不純物をもたらさず、結晶性に関して組織され、欠陥をほとんど有しないシリコン及び/又はゲルマニウムナノワイヤを組み立てる方法を提供する。
【解決手段】生じるナノワイヤの成長によって基板上にシリコン及び/又はゲルマニウムのナノワイヤを組み立てる方法であって、シリコンを含む前駆体とゲルマニウムを含む前駆体とを、前記基板に存在する酸化銅を含む化合物と接触させることを含む方法。 (もっと読む)


【課題】効率良く量産可能であり、走査プローブ顕微鏡において高分解能観察や高精度微細加工が可能な先端半径と、高アスペクト比構造観察に十分な長さの針をもち、且つ、先端の耐摩耗性に優れたダイヤモンド探針と、これを備えた走査プローブ顕微鏡用カンチレバー、フォトマスク修正用プローブ、電子線源を提供する。
【解決手段】反応性イオンエッチング等では作製困難な長さを有する針状ダイヤモンドを、熱化学加工法によって作製し、プラズマ中でエッチングもしくはマイクロ波プラズマCVD成長により先端部分を先鋭化することで、効率良く量産可能な先鋭化針状ダイヤモンド5を得ることができる。先鋭化針状ダイヤモンド5のうち少なくとも一本もしくは複数本を、走査プローブ顕微鏡用カンチレバーの探針として備える。 (もっと読む)


【課題】高品質のMgaZn1-aO単結晶薄膜を確実に形成することができる単結晶薄膜の作製方法を提供する。
【解決手段】プラズマアシスト付き反応性蒸着法によって成膜する反応性蒸装置を使用し、蒸着源であるルツボ6をヒータ8により加熱し、その内部に入れた合金材料(MgxZn1-x)を蒸発させ、高周波酸素プラズマ中を通して、ベルジャ10内の上部に置かれた基板の表面に付着させて、MgaZn1-aO単結晶薄膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】薄膜間の界面が急峻で良質な単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができる単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】YSZ基板やMgO基板などからなる基板101上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜102を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜102を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜103を形成する。この単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜103上に溶液気化CVD法により単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜104を成長初期からエピタキシャル成長させる。 (もっと読む)


【課題】基板の一表面に垂直な方向へ成長させる多数の柱状結晶のサイズや形成位置のばらつきを抑制可能な多結晶薄膜の製造方法および複合ナノ結晶層の製造方法、並びに、電子放出効率の向上が可能な電界放射型電子源、発光効率の向上が可能な発光デバイスを提供する。
【解決手段】基板11の一表面側に、アモルファスシリコン膜中に多数の微結晶シリコンを含んでいる微結晶シリコン薄膜21を形成する微結晶シリコン薄膜形成工程(核形成工程)を行い(図1(a))、その後、微結晶シリコン薄膜21中の微結晶シリコンを核として柱状シリコン結晶(柱状結晶)31aを成長させることにより多数の柱状シリコン結晶31aの集合体からなる多結晶シリコン薄膜(多結晶薄膜)31を形成する多結晶シリコン薄膜形成工程(結晶成長工程)を行う(図1(b))。 (もっと読む)


本発明の課題は、窒化ガリウムに基づいた層をエピタキシャル成長させるための基板として使用できる基板であり、その基板は、その面の少なくとも一方を、少なくとも一つの酸化亜鉛ベース層(13、24)を含む少なくとも一つの多層スタックでコートされた保持体(11、21)を含んでいる。その基板は、III -NタイプまたはII-VIタイプの半導体構造物でコートされており、そして保持体(11、21)と前記少なくとも一つの酸化亜鉛ベース層(13、24)の間に、スズ(Sn)、亜鉛(Zn)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)およびアンチモン(Sb)から選択される少なくとも2種の元素の酸化物を含む少なくとも一つの中間層(12、23)が配置されていることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】結晶シリコンで構成された薄膜トランジスタなどの半導体素子において結晶粒界の欠陥や結晶シリコン中に含まれる触媒金属や不純物の影響を受けない半導体薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に第1の結晶シリコン層102が形成され、第1の結晶シリコン層102の上に第2の結晶シリコン層103が形成される半導体薄膜において、第2の結晶シリコン層103は、第1の結晶シリコン層102の結晶性を継承するようにエピタキシャル成長によって形成され、第2の結晶シリコン層103には、第1の結晶シリコン層102よりも、不純物の量が少なく、水素又はハロゲン元素が多く含まれることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物系化合物半導体の製造を低コストで簡便に行うことを可能とするIII族窒化物系化合物半導体製造用基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体製造用基板の製法は、窒素ガス単体若しくは純度99.9%以上のArガスを含む窒素ガスを用いて運動エネルギーが100eV以下の窒素プラズマを形成し、次いで、この窒素プラズマを表面粗さRaが0.2nm以下のサファイア基材表面に照射してAl窒化物層から成る厚さ10nm以下の金属窒化物層を生成した後、この金属窒化物層を有するサファイア基材を熱処理することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】特殊な表面加工設備を用いることなく、優れた密着性を得ることができるダイヤモンド薄膜素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基材1にダイヤモンド薄膜2が被覆されたダイヤモンド薄膜素子である。前記基材1は、線膨張係数が12×10-6/K以下の低熱膨張材で形成され、長さ方向に沿って任意の垂直な横断面の外周が凸状の曲線となる側面(円錐面)部を有し、前記側面部の横断面の周長pが900μm 以下とされる。前記側面部に被覆されたダイヤモンド薄膜の膜厚をtとするとき、t/pが1.0×10-4以上、7.0×10-3以下とされる。 (もっと読む)


【課題】導電窒化タンタル膜を制御可能に形成する方法を提供すること。
【解決手段】タンタルソース物質、水素のプラズマ励起種、及び窒素ソース物質の交互的パルスを順に、反応空間内で基板と接触させるステップを含む。水素のプラズマ励起種はタンタルの酸化状態を低減し、それによって、基板上に実質的に導電性の窒化タンタル膜を形成する。いくつかの実施の形態では、水素のプラズマ励起種は、形成された金属の膜の中のハロゲン化残留物と反応し、該残留物を除去する。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板上単結晶Si膜の形成方法を提供する。
【解決手段】Siウエハ上にゲルマニウム含有材料を堆積させて犠牲Ge含有膜を形成させたあと、単結晶Si膜を、犠牲Ge含有膜上に形成する。前記単結晶Si膜表面に透明基板を接着することによって、接着基板を形成する。前記接着基板をGeエッチング溶液に浸漬し、犠牲Ge含有膜を除去することにより、透明基板をSiウエハから分離する。その結果、上部に単結晶Si膜が形成された透明基板が得られる。任意で、Geエッチング溶液を分散させるための溝を形成し、Ge含有膜の除去を促進してもよい。 (もっと読む)


【課題】電極として使用が可能で、電気化学的酸化処理中に基板自体が腐食する、又はダイヤモンド層と基板が剥離することにより電解が継続できなくなる、又は電解効率が著しく悪くなるという問題を解決する基板及び電極を提供する。
【解決手段】基板および該基板に被覆した導電性ダイヤモンド層からなり、該ダイヤモンド層を構成するダイヤモンド膜の連続している部分の最大面積が1μm以上100mm以下であるダイヤモンド被覆基板である。特にダイヤモンド層厚は3〜100μmが好ましく、基板表面の粗さはRa0.1μm以上であることが好ましい。特に前記導電性ダイヤモンド層によって被覆される基板の材質は、Nb、Ta、Zr、Wのいずれかであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 局所ガス給排気方式において、材料ガスの利用効率を向上させ、基板全体に均一な成膜を実現するプラズマCVD装置を供給することを目的とする。
【解決手段】 材料ガスを供給するガス給気部および反応後のガスを排気するガス排気部が交互に形成された放電電極10と、放電電極10に対向するように基板12を支持する基板支持部22と、を備え、放電電極10の各ガス給気部から基板12上に供給された材料ガスをプラズマ化して半導体薄膜を基板12上に形成させ、反応後のガスを各ガス排気部から排気するプラズマCVD装置11において、基板12の周囲には、基板12の周囲から流出する材料ガスの流量を調整するように、基板12の周囲の隙間を調整する遮蔽板18が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


ドライエッチングプロセスに続いてエピタキシャル堆積プロセスを含む、エプタキシャル堆積プロセスが開示される。ドライエッチングプロセスは、洗浄すべき基板を処理チャンバ内に配置して表面酸化物を除去するステップを含む。ガス混合物をプラズマキャビティに導入し、ガス混合物を励起してプラズマキャビティ内に反応性ガスのプラズマを生成させる。反応性ガスは、処理チャンバに入り、基板と反応し、薄膜を形成させる。基板を加熱して薄膜を蒸発させ、エピタキシー表面をさらす。エピタキシー表面は、実質的に酸化物を含まない。その後、エピタキシャル堆積を用いてエピタキシー表面上にエピタキシャル層を形成する。 (もっと読む)


【課題】 燐化硼素系半導体層上にIII族窒化物半導体層を接合させる際に、双方間の結合性の差異に起因して発生すると思われる不安定な接合を解消し、燐化硼素系半導体層上にIII族窒化物半導体層を安定して形成することができるようにする。
【解決手段】 本発明の積層構造体10は、結晶からなる基板100と、その基板100上に設けられた燐化硼素系III−V族化合物半導体層101と、燐化硼素系III−V族化合物半導体層101の表面に接合されたIII族窒化物半導体層102とを備え、III族窒化物半導体層102は、表面の原子配列構造を(2×2)とする燐化硼素系III−V族化合物半導体層101に接合して設けられる、ことを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板を用いた窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜の形成方法、及び該単結晶薄膜形成基板を使用した発光素子などの半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系又は三方晶系から選ばれた少なくともいずれかの結晶構造を有するセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を基板1として用いることにより、その上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも1種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜2が形成され、さらに上記の結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を用いることにより発光効率に優れた発光素子などの半導体素子の製造が可能となる。 (もっと読む)


【課題】リン原子がドープされたn型(100)面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド基板が、(100)面方位ダイヤモンドであり、気相成長手段により、水素、炭化水素及びリン化合物を気相中に存在させ、気相中の炭素原子に対するリン原子の比が0.1%以上であり、水素原子に対する炭素原子の比が0.05%以上である条件で(100)面方位ダイヤモンドを基板上にエピタキシャル成長させる。 (もっと読む)


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