【課題】高純度アセチレンガスを用いて、良質なダイヤモンドでかつ接合強度の高いダイヤモンド皮膜を合成する燃焼炎法によるダイヤモンド皮膜合成方法を提供する。
【解決手段】燃焼炎法によるダイヤモンド皮膜合成方法において、ガスボンベの残量に関わらず、ほぼ一定の純度（Ｃ２Ｈ２９９．５％以上）を保つことのできる高純度アセチレンガス３を用いた高純度アセチレン−酸素の燃焼ガスを使用し、ダイヤモンドの合成促進成分として窒素ガス４を用いる。より具体的には、高純度アセチレン−酸素の流量比（Ｏ_２／Ｃ_２Ｈ_２）０．９の燃焼ガスにダイヤモンド合成促進成分として窒素ガスを流量比（Ｎ_２／(Ｃ_２Ｈ_２＋Ｏ_２＋Ｎ_２)）０．２８％〜０．４０％混合する。 （もっと読む）

【課題】分散性の良い二酸化チタンが得られる火炎溶融法において、産業的に利用分野の広い、特に光触媒粉体やセラミックス成形体原料として好適な５μｍから２００μｍの範囲の平均径を持つ、高純度で分散性の良い二酸化チタン、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】気相法で得た分散性の良い二酸化チタンを原料として、火炎溶融法で、短い高温滞留時間で球状化した二酸化チタンを得る。 （もっと読む）

反応槽（２）、少なくとも一つの種（９）のための支持手段（３）、少なくとも一つの反応ガスのための吸気手段（５０、５１、５２）燃焼ガスのための吸気手段（５０、５１、５２）、および前記燃焼ガスの間に燃焼を誘発する手段から構成される、基材上に結晶を成長させるためのリアクター（１）。反応槽（２）の内部（２０）に設置された種（９）上の結晶成長は、少なくとも一つのガスを反応槽（２）に導入し、燃焼ガスを反応槽（２）に導入し、燃焼ガスの間に燃焼を誘発し、および前記種（９）の上に生成した材料を堆積するステップから構成される。 （もっと読む）

【目的】選択成長性、数密度制御可能かつ、再現性良く製造可能なランダム配列の酸化物針状構造物（ナノニードル）を提供することを目的とする。
【構成】煤状の炭素皮膜を基板上に形成した後、真空チャンバーでイオンビームを照射することで基板上にランダムな配列で高密度の酸化物針状構造物（ナノニードル）を成長させる。 （もっと読む）

半導体デバイス、光導波路、および産業用用途などの用途における使用に適合したものであって、少なくとも一つがＣＶＤ法により形成される１以上のダイアモンド層を有する単結晶ダイアモンド構造の形態をもった単結晶ダイアモンド。ダイアモンド層は、互いに「格子適合」または「格子不適合」されていて、望ましいレベルの歪みを提供する。 （もっと読む）