【課題】インゴットの底部においてバルク欠陥密度が低く、シリコン粒子が小さい結晶シリコンインゴットの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、結晶シリコンインゴットの製造方法を提供する。本発明の方法では、核形成促進層２を利用して、複数のシリコン粒子３４が前記核形成促進層２上にシリコン融液３２から核形成するとともに、シリコン融液３２を凝固させて結晶シリコンインゴットを得るまで垂直方向に成長するのを促進する。 （もっと読む）

【課題】モリブデンルツボ内のサファイア融液への難溶解物の混入を防止する。
【解決手段】
ＣＺ法によるサファイア単結晶の製造方法であって、サファイア原料を減圧の不活性雰囲気で熱処理することによって脱ガス処理する脱ガス工程と、サファイア原料をモリブデンルツボ１４内で融解することによってサファイア融液２１を得る融解工程と、サファイア融液２１に浸漬した種結晶を引き上げることによってサファイア単結晶２０を得る引き上げ工程とを備える。脱ガス工程では、サファイア原料の表面が５００℃以上１０００℃以下となるように加熱し、且つ、チャンバー１１より排出される排気ガス中の酸素濃度が０．１ｐｐｍ以下になるまで脱ガス処理を続ける。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法で窒化物単結晶を製造する際に、昇温工程で種結晶表面や反応容器の内壁に品質の低い結晶が析出するのを抑制し、その後の成長工程において、高い原料使用効率で高品質な窒化物単結晶を成長させるようにすること。
【解決手段】アモノサーマル法の昇温工程において、種結晶に対して表面から１μｍ以上の厚みを溶解させるメルトバック処理を施す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化ガリウム膜製造方法に関し、より詳細には、成長する窒化ガリウム膜内の欠陥を減らすことができる窒化ガリウム膜製造方法に関する。
【解決手段】このために、本発明は、基板上に、外周面に周方向溝を有する窒化ガリウムナノロッド（ＧａＮ ｎａｎｏ ｒｏｄ）を成長させる窒化ガリウムナノロッド成長ステップ；及び、前記窒化ガリウムナノロッド上に窒化ガリウム膜を成長させる窒化ガリウム膜成長ステップ；を含むことを特徴とする窒化ガリウム膜製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】熱処理時におけるスリップ転位の発生を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもＣＯＰやＢＭＤ等の欠陥を低減させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりＶ／Ｇ値制御してＶ−リッチ領域からなる酸素濃度が０．８×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ｏｌｄ−ＡＳＴＭ）以下であるシリコン単結晶インゴットを育成し、前記育成されたシリコン単結晶インゴットを切断したＶ−リッチ領域からなる円板状のシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、１１５０℃以上１２００℃以下の最高到達温度で５分以上２時間以下保持する第１の熱処理を行い、続いて、非酸化性ガス雰囲気中、１１００℃以上１２００℃以下の最高到達温度で３０分以上２時間以下保持する第２の熱処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の技術的課題は、異種結晶（超伝導特性を示さない結晶）の析出量が少なく、短時間の処理でＢｉ系超伝導結晶を析出させ得る超伝導材料の製造方法を創案することである。
【解決手段】本発明の超伝導材料の製造方法は、組成として、モル％表記で、Ｂｉ_２Ｏ_３ １０〜４０％、ＣａＯ １０〜４０％、ＣｕＯ ２５〜６５％を含有する非晶質材料を、Ｓｒ含有化合物を含む融液に接触させる工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセスにおいて、電気特性を阻害しないシリコン単結晶ウエーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により石英ルツボ１２ｂ中のシリコン融液から引き上げられ、炭素がドープされたシリコン単結晶から製造されたシリコン単結晶ウエーハであって、炭素濃度の面内分布の最大値（Ｃｍａｘ）と最小値（Ｃｍｉｎ）の比（Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎ）が１．００以上１．０７以下であり、炭素濃度が１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の範囲内のものである。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の成長の途中においてもメルトバックを行うことができるＳｉＣ単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０の周囲に配置された加熱装置２２により坩堝１０中にて内部から表面に向けて温度低下する温度勾配を有するように加熱されたＳｉ−Ｃ溶液２４に、種結晶保持軸１２に保持されたＳｉＣ種結晶１４を接触させて、種結晶１４を基点としてＳｉＣ単結晶を成長させる、溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法であって、ＳｉＣ単結晶の成長中に、Ｓｉ−Ｃ溶液２４の内部から表面の領域の温度勾配を一定温度または温度上昇する温度勾配に変更して、種結晶１４と種結晶１４を基点として成長したＳｉＣ単結晶とを含む単結晶をメルトバックすることを含む、ＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族−窒化物ウェハーの生成方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族−窒化物の結晶を成長させるための方法であって、以下の工程：
（ａ）熱アンモニア法により、元の種結晶上でＩＩＩ族−窒化物のインゴットを成長させる工程；
（ｂ）該インゴットからウェハーをスライスする工程；
（ｃ）該元の種結晶の窒素極側から取り出したウェハーを、引き続く熱アンモニア法によるインゴットの成長のための新しい種結晶として用いる工程；
を包含する、方法。 （もっと読む）

【課題】装置構成がシンプルであり、メンテナンス性にも優れ、しかも高品質なアルミニウム系III族窒化物単結晶を高生産性で製造することができるハイドライド気相エピタキシー装置を提供する。
【解決手段】III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応させて目的とするアルミニウム系III族窒化物単結晶を成長させる反応ゾーンを有する反応器本体２０と、III族ハロゲン化物ガスを作り出すためにIII族元素の単体４６とハロゲン原料ガスとを加熱下で反応させてIII族ハロゲン化物ガスを発生させるIII族源ガス発生部４０と、III族源ガス発生部で製造されたIII族ハロゲン化物ガスを、反応器本体の反応ゾーン２２へ供給するIII族ハロゲン化物ガス導入管５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】成長温度、成長に用いる雰囲気ガスによらず、溶液法によるＳｉＣ単結晶製造において気泡の巻き込みによるボイド欠陥を大幅に抑制しうる製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ及びＣを含む溶液中に、ＳｉＣの種結晶を浸漬し、溶液成長法によりＳｉＣを析出・成長させるにあたり、該種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を９０°以下に保持して製造して結晶成長部分のボイド密度を１０００個／ｃｍ^３以下としたＳｉＣ単結晶およびＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ溶液成長が実施可能な高温で、雰囲気ガス圧力が０．１ＭＰａ以上の加圧条件においても、特別な装置を用いることなく、かつ気泡の巻き込みによるボイド欠陥を大幅に抑制できる溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造を提供する。
【解決手段】Ｓｉ及びＣを含む溶液中に、ＳｉＣの種結晶を浸漬し、溶液成長法によりＳｉＣを析出・成長させるにあたり、該種結晶を該溶液に浸漬する前に、該溶液の温度を一時的に結晶成長温度よりも５０〜３００℃高温に保って製造して、結晶成長部分のボイド密度を１００００個／ｃｍ^３以下としたＳｉＣ単結晶およびＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に、不規則な反りが発生しない大口径サファイア単結晶基板を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、サブグレインや気泡のない直胴部の直径が１５０ｍｍ以上のｃ軸方位サファイア単結晶体を育成し、これを水平方向に切断・基板加工することにより、平面方向の応力分布が同心円状を呈した６インチ以上の大口径サファイア単結晶基板を得る。この基板は窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に発生する基板の反りが規則的な碗型であり、窒化物系化合物の膜厚や膜組成を容易に均一に制御できるため、ＬＥＤの歩留まり向上に優れた効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】炭素ドープシリコン単結晶の引き上げ時の有転位化を効果的に抑制して、歩留まりを向上させることができる炭素ドープシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】炭素を添加したシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げる炭素ドープシリコン単結晶の製造方法であって、前記シリコン単結晶の引き上げにおいて、シリコンの融点から１４００℃の間の引き上げ軸方向の結晶温度勾配の平均値をＧ［℃／ｍｍ］で表した時、少なくとも固化率が２０％までは、Ｇの値が１．０〜３．５［℃／ｍｍ］で、かつ、前記シリコン単結晶の成長中の固液界面の径方向面内中心部のＳｒｃｓ値（ｖｏｎ Ｍｉｓｅｓ相当応力［Ｐａ］を、結晶温度１４００℃におけるＣＲＳＳ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｒｅｓｏｌｖｅｄ Ｓｈｅａｒ Ｓｔｒｅｓｓ）［Ｐａ］で割った値）が０．９以下になるようにシリコン単結晶を引き上げる炭素ドープシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 結晶軸方向で結晶品質の変化を抑制する。
【解決手段】窒素がドープされたシリコン融液１２から引上げられ、横断面の少なくとも中央に空孔型点欠陥が発生する領域を有し、ボトム側インゴットの外径がトップ側インゴットの外径より大きいシリコン単結晶インゴット。 （もっと読む）

【課題】固着、熱歪、転位の発生を抑制して、高品質で均一な単結晶炭化珪素エピタキシャル膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】カーボン原料または単結晶炭化珪素基板の片面にシリコン薄膜を形成する工程、カーボン原料と単結晶炭化珪素基板との間にシリコン薄膜が配置されて所定の式を満たすように、坩堝内に下からシリコン基板、支持台、単結晶炭化珪素基板を積層して配置すると共に、坩堝蓋側からカーボン原料支持台、カーボン原料を接合して配置する工程、坩堝蓋をかぶせた坩堝をシリコンの融点温度以上に加熱してシリコン基板およびシリコン薄膜を融解させると共に坩堝蓋を坩堝の内壁高さまで下降させる工程、単結晶炭化珪素エピタキシャル膜の成長温度以上に加熱してシリコン融液の表面張力により懸垂保持された単結晶炭化珪素基板上に単結晶炭化珪素エピタキシャル膜を形成させる工程を備えている単結晶炭化珪素基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】坩堝の割れを抑制し、かつ意図しない不純物の混入を抑制した結晶を製造する結晶製造方法を提供する。
【解決手段】結晶製造方法は、坩堝１０１内壁１０１ａと原料１７との間に緩衝層１１０を配置した結晶製造装置を準備する工程と、結晶製造装置内で結晶を成長する工程とを備えている。準備する工程では、成長する工程において結晶を成長する温度よりも高い融点を有し、かつ坩堝１０１を構成する材料よりも高い延性および高い脆性の少なくとも一方を有する緩衝層１１０を配置する。 （もっと読む）

【課題】ニューロピリン１（Ｎｒｐ１）およびニューロピリン２（Ｎｒｐ２）のフラグメント単独の結晶構造、ならびに抗ニューロピリン抗体との複合体での結晶構造、そしてそれらの使用を提供する。
【解決手段】本発明は、一つの局面では、Ｎｒｐ２_{ａ１ａ２ｂ１ｂ２}フラグメントと、Ｎｒｐ２へのセマフォリンの結合を阻害する抗ｐａｎＮｒｐ^Ａ抗体のＦａｂフラグメントとの間で形成される複合体の結晶を提供し、前記結晶は、Ｘ線放射線を回折して、前記複合体の３次元構造を表す、以下のおおよそのセル定数ａ＝１４８Å、ｂ＝１０６Å、ｃ＝９２．４ÅおよびＣ２という空間群を有する回折パターンを生成する。 （もっと読む）

【課題】一般に入手可能な鉱化剤を用いながら、酸素濃度が低くて高純度の窒化物結晶を低コストで効率良く安全に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】結晶成長用の反応容器１内または反応容器１に繋がる閉回路内で、鉱化剤を昇華させた後に析出させる鉱化剤昇華精製工程と、反応容器１内にて、溶媒と精製した鉱化剤の存在下で、ソルボサーマル法によって反応容器１内に入れられた窒化物の結晶成長原料８から窒化物結晶を成長させる結晶成長工程を行う。 （もっと読む）