【課題】高品質なＳｉＣ単結晶を高速に成長させる単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶の製造方法は、（ａ）ＳｉＣ粉末２ａとＣ粉末３、あるいは部分炭化させたＳｉＣ粉末を、原料粉末として準備する工程と、（ｂ）工程（ａ）の後、原料粉末を用いた昇華法により、シリコンドロップレットを抑制しながらＳｉＣ単結晶を高速成長させる工程と、を備える。前記工程（ａ）においては、前記原料粉末のシリコンに対する炭素の割合を１．０４〜１．１４とし、また、前記工程（ｂ）においては、結晶成長面近傍と原料粉末近傍の温度差を２００℃以上とすることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】特性の均一性に優れた炭化珪素インゴットおよび当該炭化珪素インゴットをスライスすることより得られる炭化珪素基板、ならびにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素インゴットの製造方法は、（０００１）面に対してオフ角が１°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板１を準備する工程と、ベース基板１の表面４上に炭化珪素層を成長させる工程とを備える。炭化珪素層を成長させる工程では、炭化珪素層の成長方向側から見たときの幅方向における温度勾配を１０℃／ｃｍ以下とする。このようにすれば、得られた炭化珪素インゴットはその成長最表面９について中央部を含むほぼ全面がファセット面５になっているため、外周端部のみを研削することで全面がファセット面５となった炭化珪素インゴットを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】モリブデンルツボ内のサファイア融液への難溶解物の混入を防止する。
【解決手段】
ＣＺ法によるサファイア単結晶の製造方法であって、サファイア原料を減圧の不活性雰囲気で熱処理することによって脱ガス処理する脱ガス工程と、サファイア原料をモリブデンルツボ１４内で融解することによってサファイア融液２１を得る融解工程と、サファイア融液２１に浸漬した種結晶を引き上げることによってサファイア単結晶２０を得る引き上げ工程とを備える。脱ガス工程では、サファイア原料の表面が５００℃以上１０００℃以下となるように加熱し、且つ、チャンバー１１より排出される排気ガス中の酸素濃度が０．１ｐｐｍ以下になるまで脱ガス処理を続ける。 （もっと読む）

【課題】酸素欠損を低減したβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜の製造方法、及びβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を有する結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、所定の気圧に減圧された真空槽１０内にオゾンを含む酸素ガスを供給すると共に第１のセル１３ａからＧａ蒸気を供給し、基板ホルダ１１に保持されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上にβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を成長させ、結晶積層構造体を製造する。このように、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜の成長時に酸素の原料としてオゾンを供給することで、酸素欠損の少ない高品質なβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜が得られると共に、活性酸素のみを供給した場合に比較してβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜の成長レートが高まる。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に、不規則な反りが発生しない大口径サファイア単結晶基板を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、サブグレインや気泡のない直胴部の直径が１５０ｍｍ以上のｃ軸方位サファイア単結晶体を育成し、これを水平方向に切断・基板加工することにより、平面方向の応力分布が同心円状を呈した６インチ以上の大口径サファイア単結晶基板を得る。この基板は窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に発生する基板の反りが規則的な碗型であり、窒化物系化合物の膜厚や膜組成を容易に均一に制御できるため、ＬＥＤの歩留まり向上に優れた効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】得られるコーティングが０．５マイクロ秒〜１０００マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイドコーティングを基板上に堆積させる方法を提供する。
【解決手段】ａ．ジクロロシランガス、メチルハイドロジェンジクロロシランガス、ジメチルジクロロシランガス、及びそれらの混合物から選択されるクロロシランガスと、炭素含有ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを、単結晶シリコンカーバイド基板を含有する反応チャンバ内に導入すること、及びｂ．１２００℃より高いが１８００℃より低い温度に基板を加熱すること、を含むが、但し、反応チャンバ内の圧力は１０ｔｏｒｒ〜２５０ｔｏｒｒの範囲に維持されるものとする。 （もっと読む）

【課題】高い透明度を保持し、屈折率が高く、複屈折性が小さいという光学的な特性を有し、電気的絶縁性に優れ、各種基材に密着性良くコーティングでき、かつ低温での形成が可能な炭素膜を提供するプラズマＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置は、結晶欠陥が、六方晶ダイヤモンド及び積層欠陥を備える積層体を製造するための表面波プラズマＣＶＤ装置であり、前記表面波プラズマＣＶＤ装置は、試料台と、試料台上の冷却ステージと、表面波プラズマ源とを備え、該表面波プラズマ源を制御して反応器内のガス圧力を５×１０^１から５×１０^２Ｐａに設定し、かつ試料台と冷却ステージと密着させ、前記基板と該表面波プラズマ源との距離を調節して基板温度を４５０℃以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜を得ることが可能な単結晶炭化シリコン膜の製造方法及び単結晶炭化シリコン膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１上に単結晶炭化シリコン膜１４を形成する単結晶炭化シリコン膜１４の製造方法であって、シリコン基板１１の表面に炭化シリコン膜１２を形成する第１の工程と、炭化シリコン膜１２の表面にマスク材１３を形成する第２の工程と、マスク材１３に開口部１３ｈを形成し、炭化シリコン膜１２の一部を露出させる第３の工程と、原料ガスを含むガス雰囲気中でシリコン基板１１を加熱し、炭化シリコン膜１２を基点として単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、炭化シリコン膜１２及びマスク材１３を覆う単結晶炭化シリコン膜１４を形成する第４の工程と、を含み、原料ガスを含むガス雰囲気の圧力は、５．０×１０^−４Ｐａ以上かつ０．５Ｐａ以下である。 （もっと読む）

【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣのエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、短いステップバンチングがないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ法のサファイア基板上又はＳｉ基板上に、所望の組成比率ｘのＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの結晶を成長させることができるエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウム原料と、ガリウム原料と、アンモニア原料と、キャリアガスとを用いたＨＶＰＥ法によって、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮを結晶成長させる。この際、キャリアガスは、不活性ガスと水素からなり、この水素分圧を０以上０．１未満の範囲に置く。その結果、原料の供給比率と、成長させた結晶の組成比率との間の関係を線形なものにすることができ、結晶組成の制御性が向上する。 （もっと読む）

【課題】デバイス化の工程で割れが発生することを抑制することが可能なIII族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のIII族窒化物エピタキシャル基板１０は、Ｓｉ基板１１と、該Ｓｉ基板１１と接する初期層１４と、該初期層１４上に形成され、Ａｌ組成比が０．５超え１以下のＡｌＧａＮからなる第１層１５Ａ１（１５Ｂ１）およびＡｌ組成比が０超え０．５以下のＡｌＧａＮからなる第２層１５Ａ２（１５Ｂ２）を順次有する積層体を複数組有する超格子積層体１５と、を有し、前記第２層のＡｌ組成比が、前記基板から離れるほど漸減することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一般に入手可能な鉱化剤を用いながら、酸素濃度が低くて高純度の窒化物結晶を低コストで効率良く安全に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】結晶成長用の反応容器１内または反応容器１に繋がる閉回路内で、鉱化剤を昇華させた後に析出させる鉱化剤昇華精製工程と、反応容器１内にて、溶媒と精製した鉱化剤の存在下で、ソルボサーマル法によって反応容器１内に入れられた窒化物の結晶成長原料８から窒化物結晶を成長させる結晶成長工程を行う。 （もっと読む）

【課題】低転位であり、クラック発生を抑制できるIII族窒化物半導体層を有する窒化物
半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板上にＡｌを含むIII族窒化物半導体のバッファ層を介して成長した、Ｃ
面を表面とするIII族窒化物半導体層を有する窒化物半導体エピタキシャル基板であって
、前記バッファ層が、その表面にインバージョンドメインを有する。 （もっと読む）

【課題】特性の均一性に優れた炭化珪素基板、炭化珪素インゴットおよびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素インゴットの製造方法は、（０００１）面に対して＜１１−２０＞方向または＜１−１００＞方向のいずれかであるオフ角方向におけるオフ角が０．１°以上１０°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板を準備する準備工程（Ｓ１０）と、ベース基板の表面上に炭化珪素層を成長させる成膜工程（Ｓ２０）とを備える。成膜工程（Ｓ２０）では、オフ角方向においてベース基板の＜０００１＞方向軸がベース基板の表面に対して交差する交差角度を考えたときに当該交差角度が鋭角となる側である上流側の端部において、成長した炭化珪素層の表面に（０００１）ファセット面５を有する領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素種結晶小片を水平方向に液相エピタキシャル成長させた面積の大きい単結晶炭化ケイ素基板を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素基板１３ｂは、表面を局部的に炭化処理した多結晶炭化ケイ素基板５と多結晶炭化ケイ素基板５とを金属シリコン融液１２を介して近接対向配置させた多結晶炭化ケイ素基板の複合体を収納容器に収納して加熱処理を行い、多結晶炭化ケイ素基板１５の炭化処理面１１に単結晶炭化ケイ素を液相成長により自己成長させて単結晶炭化ケイ素種結晶小片１３ａを生成し、更に液相成長を継続することで、単結晶炭化ケイ素種結晶小片１３ａを前記対向方向と直交する方向に液相エピタキシャル成長させて生成されており、その外周部に面方向に結晶成長した部分を有する。 （もっと読む）

【課題】 高屈折率低分散の光学特性を有し、かつ着色を改善したＬａＡｌＯ３結晶を含む光学材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ３ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下のＦｅを含有し、前記Ｆｅが２価のＦｅイオンからなり、３価のＦｅイオンを含まないペロブスカイト型ＬａＡｌＯ３結晶を含む光学材料。前記ペロブスカイト型ＬａＡｌＯ３結晶のＥＳＲスペクトルにおいて、ｇ値が２．０２に相当する箇所に信号ピークが無い。平均粒径が１μｍ以上１０μｍ以下のＬａＡｌＯ３粒子を型に充填し、不活性ガス雰囲気もしくは真空中で、１６００以上１８００℃以下の温度で焼成する工程を有する光学材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】加工変質層の除去処理にかかる時間を減少させつつも、加工変質層に由来するエピタキシャル膜の欠陥の発生を抑制できる炭化珪素単結晶エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶エピタキシャルウエハの製造において、炭化珪素単結晶基板１００を１６００℃以上に加熱し、Ｃ／Ｓｉ比が１．０以下となるように、原料ガスを供給し、エピタキシャル膜の成長速度を２．０μｍ／ｈ以下にする。このとき、キャリアガスの流量を５０ｓｌｍ以上にし、原料ガスとしてモノシランの流量を２０ｓｃｃｍ以下にし、成長装置の前記炭化珪素単結晶基板１００が配置された空間の圧力を１００ｍｂａｒ以上にすることにより、エピタキシャル膜の成長速度を２．０μｍ／ｈ以下にすることができる。 （もっと読む）

【課題】 中性子線に対する感度が高く、かつγ線に由来するバックグラウンドノイズが少ない中性子検出用シンチレーターに好適なコルキライト型結晶、当該結晶からなる中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器を提供する。
【解決手段】 アルカリ金属元素を含有し、且つ^６Ｌｉの同位体比が２０％以上であるコルキライト型結晶（例えばＮａを含有するＬｉＣａＡｌＦ_６等の結晶）、及び当該コルキライト型結晶からなる中性子検出用シンチレーターならびに中性子線検出器である。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法によるシリコン単結晶引き上げ装置において、生じる可燃性の粉塵を処理可能な排気システム及び粉塵の処理方法を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置に接続された排気管路と、前記排気管路を通して前記引き上げ装置に供給された不活性ガスを吸引する真空ポンプと、前記真空ポンプの手前で前記排気管路に配置され、前記真空ポンプによって排気されるガスを手前で処理するフィルタと、を備えた単結晶引き上げ装置の排気システムであって、前記フィルタは雰囲気ガスの成分に応じて加熱可能なヒータを備えることを特徴とする。これにより、未燃焼の可燃性の粉塵を十分に処理することができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長に要するコストを低減する。
【解決手段】フィード材１１及びシード材１２のそれぞれは、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。フィード材１１及びシード材１２のそれぞれにおいて、表層の励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のＬ０ピークが観察される。Ｌ０ピークの９７２ｃｍ^−１からのシフト量の絶対値は、フィード材１１の方がシード材１２よりも小さい。 （もっと読む）