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【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているSiCバルク単結晶を製造する方法及び単結晶SiC基板を提供する。
【解決手段】SiCバルク単結晶を製造する方法において、成長坩堝3の結晶成長領域にSiC成長気相が生成され、中心縦軸を有するSiCバルク単結晶をSiC成長気相からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているSiCバルク単結晶の成長境界面のところで行われ、SiC成長気相が、少なくとも部分的に、成長坩堝の備蓄領域にあるSiCソース材料から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも1つのドーピング物質を含んでおり、結晶成長領域はSiC表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、SiC表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるSiC/Cの面積比率が常に1よりも小さい値を有するように選択され、最初に注入される前記SiCソース材料で20%から40%の間の過剰炭素が供給される。 (もっと読む)


【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているSiCバルク単結晶を製造する方法及び単結晶SiC基板を提供する。
【解決手段】SiCバルク単結晶を製造する方法において、成長坩堝3の結晶成長領域にSiC成長気相が生成され、中心縦軸を有するSiCバルク単結晶をSiC成長気相からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているSiCバルク単結晶2の成長境界面のところで行われ、SiC成長気相が、少なくとも部分的に、成長坩堝の備蓄領域にあるSiCソース材料から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも1つのドーピング物質を含んでおり、結晶成長領域はSiC表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、SiC表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるSiC/Cの面積比率が常に0.01よりも小さい値を有するように選択される。 (もっと読む)


【課題】基板の表面に単結晶SiCのエピタキシャル層を形成する構成の半導体ウエハの製造方法であって、製造コストの低減及び半導体ウエハの大口径化を実現する方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの製造方法は、カーボン層形成工程と、貫通孔形成工程と、フィード層形成工程と、エピタキシャル層形成工程と、を含む。カーボン層形成工程では、多結晶SiCで構成される基板70の表面にカーボン層71を形成する。貫通孔形成工程では、基板70に形成されたカーボン層71に貫通孔を形成する。フィード層形成工程では、カーボン層71の表面にSi層72a及び3C−SiC多結晶層73を形成する。エピタキシャル層形成工程では、基板70を加熱することで、貫通孔を通じて露出した基板70の表面に4H−SiC単結晶で構成される種結晶74を形成し、前記種結晶74を近接液相エピタキシャル成長させて4H−SiC単結晶層74aを形成する。 (もっと読む)


【課題】ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ga薄膜およびその生成方法を提供する。
【解決手段】(a)水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫(II)化合物とを混合して原料溶液を調製する工程と、(b)前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程と、(c)前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給する工程と、(d)前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、4価の錫が添加された導電性α‐Ga薄膜を形成する工程と、を備える結晶性の高い導電性α‐Ga薄膜の生成方法とする。 (もっと読む)


【課題】 種結晶と結晶方位がそろった結晶を歩留りよく育成することができ、大型の結晶を効率的に育成する。
【解決手段】 一方向凝固法による結晶育成に用いる結晶育成用るつぼ30であって、結晶原料を収納し、かつ結晶を成長させる容器部分である結晶成長部32と、結晶成長部32とネック部38を介して連通して設けられた種子結晶40の収納部34とを備え、ネック部28は、種子結晶40の収納部34よりも細く形成されている。 (もっと読む)


【課題】ニューロピリン1(Nrp1)およびニューロピリン2(Nrp2)のフラグメント単独の結晶構造、ならびに抗ニューロピリン抗体との複合体での結晶構造、そしてそれらの使用を提供する。
【解決手段】本発明は、一つの局面では、Nrp2a1a2b1b2フラグメントと、Nrp2へのセマフォリンの結合を阻害する抗panNrp抗体のFabフラグメントとの間で形成される複合体の結晶を提供し、前記結晶は、X線放射線を回折して、前記複合体の3次元構造を表す、以下のおおよそのセル定数a=148Å、b=106Å、c=92.4ÅおよびC2という空間群を有する回折パターンを生成する。 (もっと読む)


【課題】
マイクロクラックの発生を抑制して300nm以上の膜厚を持つサファイア基板上に超電導材料の成膜を可能にする及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物が超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を基板上に塗布し乾燥させる工程(1)、紫外光であるエキシマレーザによって金属の有機化合物の有機成分を光分解するレーザ照射工程(2)、金属の有機化合物中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程(3)、超電導物質への変換を行う本焼成工程(4)を経て基板上にエピタキシャル成長させた超電導薄膜材料を製造するに際し、本焼成工程を行う前に所定の箇所のみにレーザ照射を行うことにより、超電導物質内にa軸成長する前駆体箇所とc軸成長する前駆体箇所を混在させたのちに本焼成工程を行い、所定の箇所のみc軸成長させることを特徴とする超電導材料の内部応力を緩和することを特徴とする酸化物超電導材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】測定できる試験センサーの作成方法を提供する。試験場所を選ばず、様々な環境下で鉱物(ミネラル)や金属の結晶成長試験や結晶溶解速度測定が迅速・簡易に行なえるようにする。また、μmオーダーでの簡易な測定に適用可能とする。
【解決手段】耐熱・耐薬品性にすぐれた樹脂シート例えばPFAテフロン(登録商標)シート1の表面に試験対象となる鉱物又は金属の粒子2,3を加熱下に埋め込み、必要に応じて研磨することで結晶成長・溶解速度試験用試験センサー5を作成する。PFAテフロン(登録商標)シートの表面に試験対象となる鉱物又は金属の粒子を埋め込んで成る結晶成長・溶解速度試験用試験センサーの表面形状を試験前後で測定し、試験前後の表面形状の差から鉱物又は金属の結晶成長速度もしくは溶解速度を求めるものである。 (もっと読む)


【課題】 金属酸化物からなる板状単結晶体、それを用いた金属酸化物薄膜、それらの製造方法、および、それらを用いた抵抗変化型素子を提供すること。
【解決手段】 本発明による板状単結晶体は、MOまたはM(ここで、Mは、Co、Fe、Ni、ZnおよびCuからなる群から少なくとも1つ選択される金属元素である)で表される金属酸化物からなり、その形状は、六角形状であり、そのアスペクト比は、10〜500であり、平面方向の面は、(111)結晶面である。 (もっと読む)


【課題】MBE成膜装置において、フェイスアップ状態で被処理体の表面に化合物半導体よりなる薄膜を形成することができる原料供給装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体の製造に用いる原料を供給する原料供給装置62において、鉛直方向に延びて外周面が液体を流下させることができるような表面である液体流下面90になされた原料保持体64と、原料保持体の高さ方向の途中に設けられて原料の液体である原料液体を貯留すると共に濡れ性によって原料液体を液体流下面90に沿って流下させる原料液体貯留部66と、原料保持体内に設けられて、原料液体貯留部を原料が濡れ性を発揮するように加熱すると共に原料保持体の先端部を原料液体の蒸発温度まで加熱する加熱手段68とを備える。 (もっと読む)


【課題】
低抵抗、高密度窒化ガリウム系成形物、直流スパッタリングを可能とする窒化ガリウム系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
窒化ガリウムと金属ガリウムが成形物中で別の相として存在しており、かつ前記成形物全体におけるGa/(Ga+N)のモル比が55%以上80%以下であることを特徴とする金属ガリウム浸透窒化ガリウム成形物。 (もっと読む)


【課題】炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材11は、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のX線回折により、(111)結晶面、(200)結晶面、(220)結晶面及び(311)結晶面の少なくとも一つに対応した1次回折ピークが観察される。少なくとも一つの1次回折ピークから算出される平均結晶子径が、700Å以下である。 (もっと読む)


【課題】炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材11は、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のX線回折により、(111)結晶面に対応した回折ピークが観察される。表層のX線回折により観察される(111)結晶面のうち、配向角度が67.5°以上であるものの占める割合が80%未満である。 (もっと読む)


【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長に要するコストの低減が可能な単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長用のシード材とフィード材のユニットを提供する。
【解決手段】フィード材11及びシード材12のそれぞれは、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。フィード材11及びシード材12のそれぞれの表層のX線回折により、(111)結晶面、(200)結晶面、(220)結晶面及び(311)結晶面の少なくとも一つに対応した1次回折ピークが観察される。フィード材11の少なくとも一つの1次回折ピークから算出される平均結晶子径が、シード材12の少なくとも一つの1次回折ピークから算出される平均結晶子径よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長に要するコストを低減することが可能なシード材とフィード材とのユニットを提供する。
【解決手段】フィード材11及びシード材12のそれぞれは、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有し、かつ、表層のX線回折により(111)結晶面に対応した回折ピークが観察されるものである。表層のX線回折により観察される(111)結晶面のうち、配向角度が67.5°以上であるものの占める割合が、シード材12よりもフィード材11の方が小さい。 (もっと読む)


【課題】安価な炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材12は、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の励起波長を532nmとするラマン分光解析によって、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素に由来のピークとして、T0ピーク及びL0ピーク以外のピークが観察される。 (もっと読む)


【課題】結晶化度が高く、形状、質量のばらつきが小さい結晶半導体粒子を合理的に製造し、安価に供給できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体粒子の表面に、該半導体粒子と同種の半導体からなる微粉末を付着させ、加熱用容器内に配置して、半導体の融点未満の温度で予備的に加熱して、前記微粉
末を酸化もしくは窒化するとともに、半導体粒子表面に酸化物あるいは窒化物を主成分とする被膜を形成する。この半導体粒子を、該半導体の融点以上の温度に加熱して溶融し、球状の溶融体を形成し、これを冷却し、凝固させて結晶半導体粒子を製造する。 (もっと読む)


【課題】平坦性、結晶性および配向性に優れ、厚さ方向の熱伝導率が高く放熱性に優れたエピタキシャル成長用基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭素基板の少なくとも一方の主表面に、算術平均表面粗さRaが0.05μm以下で、表面粗さの最大値Ryが0.5μm以下であり、X線回折法による(0002)面のロッキングカーブの半値幅が1.5度以下であり、ラマンスペクトルにおけるGバンドのピーク強度に対するDバンドのピーク強度の比が0.01以下である高結晶グラファイト層を形成してなることを特徴とするエピタキシャル成長用基板である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第III−V族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。
【解決手段】これらの方法および装置は、第III族−N(窒素)化合物半導体ウェハーを製造するために、特にGaNウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも48時間にわたり、第III族元素が少なくとも50g/時の質量流で提供される。気状第III族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。 (もっと読む)


【課題】亜鉛が有する物性を生かした用途への適用可能な、純亜鉛を多く含んだ亜鉛柱状構造体を提供することを課題とする。本発明により、従来存在する酸化亜鉛の微細構造体の用途とは異なった適用可能性が広がる。具体的には、超伝導体への応用、高感度熱電素子展開、半導体前駆体としてのエレクトロニクス、光エレクトロニクス、フォトニクスへの用途が考えられる。
【解決手段】平均長さが5μm以上、300μm以下であり、アスペクト比が5以上、300以下である亜鉛柱状構造体であって、亜鉛柱状構造体における純亜鉛の含有量が10重量%以上、100重量%以下である亜鉛柱状構造体。 (もっと読む)


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