【課題】費用が安く純度の高いα−アルミナを得るための手段を提供する。
【解決手段】α−アルミナ焼成体を生産する方法のフロー１は、ベーマイトに加水するステップ１０１、混練するステップ１０２、脱気するステップ１０３、押出成形するステップ１０４、および焼くステップ１０５を備えている。前記ステップ１０３およびステップ１０４において、ベーマイトを脱気し、高圧で押出成形することによりベーマイト内部の気体を排除することができるので、ステップ１０５において、１回の焼成のみでサファイア単結晶の原料として要求される高い嵩密度を備えたα−アルミナ焼成体を生産することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｂｉ−２２１２結晶粉末等を短時間、且つ容易に作製可能な方法を創案すると共に、Ｂｉ−２２１２結晶等の配向性が良好な超伝導線材を短時間、且つ容易に作製可能な方法を創案することを技術的課題とする。
【解決手段】本発明の超伝導結晶粉末の製造方法は、超伝導結晶物を用意する工程と、前記超伝導結晶物を破断する工程と、前記超伝導結晶物の破断面に粘着シートを貼り付ける工程と、前記粘着シートを前記超伝導結晶物から剥がす工程と、前記粘着シートから超伝導結晶粉末を採取する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発熱体からの汚染を防止し、さらに支持シャフトの温度上昇を抑制することで、支持シャフト材及び支持シャフトとハウジングとの間にあるシール材からの汚染を防止し、かつシール材の劣化を防ぎ、もって高品質な単結晶シリコンを製造する。
【解決手段】ハウジングの壁を貫通する回転可能な支持シャフト１１の先端に、誘導加熱コイルによって誘導加熱可能な導電材を有する発熱リングが設けられるとともに、支持シャフト１１に、これを回転させることにより、発熱リングを種結晶ホルダーと多結晶ホルダーとの間で誘導加熱コイルに接近させた加熱位置と、この加熱位置から離間した待機位置との間で往復移動させる操作手段が設けられ、ハウジングの壁と支持シャフト１１との貫通部に、これらの気密を保持するシール材２１Ａが設けられ、支持シャフト１１の内部には、冷却媒体を流通させる冷却流路１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】下地基板を熱膨張率が異なる材料に固定することなく、昇華法によるホモエピタキシャル成長を行なう新規の結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の結晶の製造方法は、結晶成長容器１内に、結晶の原料からなる原料体２と、原料体２の上面２ａ上に原料体２に接触するように単結晶種基板３とを配置する配置工程（Ｓｔ１）と、結晶成長容器１内を昇温し、原料体２の原料の一部を昇華させて原料ガスとし、原料ガスを単結晶種基板３の上面３ａ上に析出させて結晶４を成長させる結晶成長工程（Ｓｔ２）と、を備え、単結晶種基板３と結晶４とは同一化学組成の材料からなる。 （もっと読む）

【課題】光通信、光集積回路基板に利用可能な光路長の温度依存性が小さい材料を提供する。
【解決手段】ＳｒＴｉＯ_３にＹＡｌＯ_３を添加した（Ｓｒ_１−Ｘ，Ｙ_Ｘ）（Ｔｉ_１−Ｘ，Ａｌ_Ｘ）Ｏ_３複合酸化物材料は、０＜Ｘ＜０．５０の範囲において光路長温度係数（ＯＰＤ、ここでＯＰＤ＝１／Ｓ・ｄＳ／ｄＴ＝ＣＴＥ ＋ １／ｎ・ｄｎ／ｄＴであって、Ｓが光路長、ＣＴＥが線熱膨張係数、ｎが屈折率、ｄｎ／ｄＴが屈折率の温度係数である）が制御可能であり、特に０．０４＜Ｘ＜０．５０の範囲においてはその絶対値が６ｐｐｍ／℃以下と光路長の温度依存性が極めて小さく、光通信用フィルター、光集積回路基板などに利用可能である。 （もっと読む）

【課題】 高屈折率低分散の光学特性を有し、かつ着色を改善したＬａＡｌＯ３結晶を含む光学材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ３ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下のＦｅを含有し、前記Ｆｅが２価のＦｅイオンからなり、３価のＦｅイオンを含まないペロブスカイト型ＬａＡｌＯ３結晶を含む光学材料。前記ペロブスカイト型ＬａＡｌＯ３結晶のＥＳＲスペクトルにおいて、ｇ値が２．０２に相当する箇所に信号ピークが無い。平均粒径が１μｍ以上１０μｍ以下のＬａＡｌＯ３粒子を型に充填し、不活性ガス雰囲気もしくは真空中で、１６００以上１８００℃以下の温度で焼成する工程を有する光学材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光学特性が材料中で連続的に変化している透光性多結晶材料を製造する。
【解決手段】磁場内に置くと力を受ける単結晶粒子群を含むスラリーを磁束密度が空間に対して変化している磁場内で固定化してから焼結する。例えば、Ｅｒを添加したＹＡＧの単結晶粒子群と希土類を添加しないＹＡＧの単結晶粒子群を含むスラリーを、磁場強度が不均一に分布している磁場内で固定化すると、強磁場の位置では、Ｅｒを添加したＹＡＧがリッチで結晶方向が揃っているレーザ発振領域となり、弱磁場の位置では、希土類が添加されていないＹＡＧがリッチで光を透光する領域となる。レーザ発振するコアと、コアの周辺にあって励起光をコアに導くガイドを併せ持った多結晶材料を同時に製造できる。 （もっと読む）

【課題】
低抵抗、高密度窒化ガリウム系成形物、直流スパッタリングを可能とする窒化ガリウム系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
窒化ガリウムと金属ガリウムが成形物中で別の相として存在しており、かつ前記成形物全体におけるＧａ／（Ｇａ＋Ｎ）のモル比が５５％以上８０％以下であることを特徴とする金属ガリウム浸透窒化ガリウム成形物。 （もっと読む）

【課題】高い生産効率でサファイア単結晶を製造することができるサファイア単結晶製造用αアルミナ焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】相対密度が６０％以上であり、閉気孔率が１０％以下であり、純度が９９．９９質量％以上であり、Ｓｉ、Ｎａ、Ｃａ、Ｆｅ、ＣｕおよびＭｇの含有量がそれぞれ１０ｐｐｍ以下であり、体積が１ｃｍ³以上であるサファイア単結晶製造用αアルミナ焼結体の製造方法であって、αアルミナ１００重量部とαアルミナ前駆物質１重量部以上２０重量部以下を混合して混合物を得、得られた混合物を成形し、焼成して得られる。 （もっと読む）

【課題】より高純度な炭化珪素単結晶を得ることができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】この発明に係る炭化珪素単結晶の製造方法は、炭化珪素多結晶インゴット形成用の坩堝１内で、珪素と炭素を原料２とする昇華再結晶法によって炭化珪素多結晶インゴット７を形成する工程と、種結晶取り付け部８ｃに種結晶基板１１が取り付けられた炭化珪素単結晶形成用の坩堝８内で、昇華再結晶法によって炭化珪素多結晶インゴット７を昇華させて炭化珪素単結晶インゴット１２を形成する工程と、を備えた （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を抑制し、均一性の高い単結晶を製造することができる結晶成長方法を提供する
【解決手段】成長結晶１９の組成と同一組成の原料棒２１を、炉内に設置されたるつぼ１１内の原料溶融体１８の表面に接触させ、原料棒２１と原料溶融体１８との熱接触状態を維持する。単位時間あたりの成長結晶１９の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、原料棒２１から補充原料を原料溶融体１８に供給する。原料棒２１は、粒径を調整した結晶粒の集合体であり、原料棒２１から成長結晶１９への原料溶融体内の対流により、結晶粒が成長結晶１９に到達するまでに溶融するように、結晶粒の粒径が決定されている。 （もっと読む）

【課題】単結晶に割れ等の損傷を起こすことなく、種結晶の成長面の全ての領域から、多結晶のない良質な炭化ケイ素単結晶を成長させる。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶の製造方法は、炭化ケイ素を含む昇華用原料２１および種結晶２７を坩堝７内に対向して配置し、昇華用原料２１を加熱して生じる昇華ガスＧによって種結晶２７上に炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶４１の製造方法であって、炭化ケイ素を含む粉体を加圧成形したのち仮焼して、所定の硬度を有する昇華用原料２１を作製するステップと、昇華用原料２１を坩堝７内の上部に配置し、種結晶２７を坩堝７内の底部６に載置するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末からなる小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、質量バラツキが小さい多数の小塊を相互に確実に離間させた状態で加熱用基板上に形成する。これにより、半導体粒子の高品質化と生産性向上が可能となる。
【解決手段】相互に間隔を設けて型板の表側に形成された所定形状の多数の凹部内に半導体粉末を充填し、その型板の表側に加熱用基板の平面部を重ね合わせる。その状態を維持しつつ表裏を反転させる。次いで、加熱用基板上に配置されている型板を上方に引きあげて、凹部に充填された半導体粉末を加熱用基板上に転写する。上記の凹部の横断面積は開口部に近いほど大きいことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板の平面形状を容易に調整することができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の炭化珪素層１１ｃの第１の裏面Ｂ１および第２の炭化珪素層１２の第２の裏面Ｂ２の各々とベース部３０の第１の主面Ｑ１とが対向するように、ベース部３０と第１および第２の炭化珪素層１１ｃ、１２とが配置される際に、第１および第２の炭化珪素層１１ｃ、１２の少なくともいずれかが平面視において第１の主面Ｑ１の外側へ突出部ＰＴとして部分的に突出する。第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々と第１の主面Ｑ１とが加熱によって接合される。この加熱によって突出部ＰＴの少なくとも一部が炭化されることで炭化部７０が形成される。突出部ＰＴが除去される際に炭化部７０が加工される。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコンインゴット用の原料になるシリコン粉末成形体を製造する水分離・成形装置およびそれを用いたシリコン粉末成形方法を提供すること。
【解決手段】 水分離・成形装置１は、加圧容器であるダイ４、圧力付与装置の一部である上パンチ２、そして下パンチ３とベース５を一体とした下側の加圧容器などが備えられている。そしてダイ４には、上方に上パンチ２に配置される。上パンチ２は、先端部に有機樹脂製のＯリング６ａを持つ。下パンチ３には有機樹脂製のＯリング６ｂが取付けられる。下パンチ３の上面には濾過シート１３が上に置かれている。下パンチ３及びベース５には、４個の排水路９が形成され、そして排水口１０に繋がっている。そして排水口１０は吸水装置に接続されている。吸水装置７は、吸水管１２、吸引濾過瓶１２そして油回転型真空ポンプ８で構成されている。 （もっと読む）

【課題】電気磁気効果（マルチフェロイック）デバイス、強誘電デバイス、ピエゾデバイス等に用いることのできるBiFeO₃の大型単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】上下２つの結晶駆動軸の一方に支持されたBiFeO₃の高密度な原料棒３と、他方の結晶駆動軸に支持された種結晶棒４と、両棒の間に載置されたフラックス（溶融剤）５を用い、溶融帯域法（フローティングゾーン法）によりフラックス５を加熱して溶融帯域７を形成し、酸素、不活性ガス、又は、それらの混合ガスの雰囲気下で単結晶を育成してBiFeO₃単結晶棒を作製する。 （もっと読む）

【課題】既存の育成炉を改造することなく用いて、融液に種結晶を接触させて結晶成長させるバッチ生産方式により、より大きいサイズの酸化ガリウム単結晶を効率良く量産できる酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウムを含む原料の密度を高密度化する高密度化工程と、高密度化処理された原料を坩堝内にて溶融し、１バッチ分の融液２を得る溶融工程と、融液２に種結晶１０を接触させることにより、融液２から酸化ガリウム単結晶１３を結晶成長させる結晶成長工程と、を少なくとも経て、酸化ガリウム単結晶１３を製造する酸化ガリウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】溶融ルツボに装入する際に落下し、または溶融時にルツボ内壁に衝突しても、ルツボを損傷しないように加工した多結晶シリコンを提供する。
【解決手段】多結晶シリコン１０は、円形または角形を有する棒状、柱状、板状の多結晶シリコン塊について、その端部、稜部ないし角部の少なくとも一つ、好ましくはその大部分ないし全部を面取りすることによって外形の鋭角部分が除去される。面取り部分１１は多結晶シリコン１０の端部、稜部および角部などの鋭角部分であり、この面取り部分１１は直線状でも湾曲状でもよい。多結晶シリコン外形の鋭角部分を面取りすることによって接触時の衝撃を緩和することができる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素の単結晶原料の製造と、炭化ケイ素単結晶の成長とを、１台の装置を用いて連続して行うことができ、得られた単結晶原料や炭化ケイ素単結晶に不純物が混入する虞も無い炭化ケイ素単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粉体または前駆体１１を貯留する容器１２と、炭化ケイ素粉体または前駆体１１を加熱する高周波コイル１４とを備え、炭化ケイ素粉体または前駆体１１から炭化ケイ素の単結晶原料を生成する単結晶原料部３と、炭化ケイ素種結晶２３を固定する種結晶支持部２１と、種結晶支持部２１を加熱する高周波コイル２２とを備えた炭化ケイ素単結晶製造装置１において、まず、炭化ケイ素粉体または前駆体１１を焼成して比表面積が制御された炭化ケイ素からなる単結晶原料を得た後、前記単結晶原料を昇華させ、炭化ケイ素種結晶２３上に炭化ケイ素単結晶を成長させる。 （もっと読む）