【課題】窒化ガリウム（ＧａＮ）の結晶成長を促進するフラックスとして機能するナトリウムを低コストで精製し供給する装置及び方法を提供する。
【解決手段】原料である固体ナトリウムｓｌを収容すると共に、液体ナトリウムｍｌについて通過自在かつ前記固体ナトリウムｓｌに不可避的に含まれるナトリウム化合物については通過を阻止して除去するろ過機能を有するろ過容器１と、固体ナトリウムｓｌが溶融し、かつ、前記ナトリウム化合物が溶融しない温度に固体ナトリウムｓｌを加熱する加熱保温部１５と、ろ過機能に基づいてろ過容器１から流れ出た液体ナトリウムｍｌを坩堝Ｂに供給する供給手段と、ろ過容器１、加熱保温部１５及び供給手段を非酸化性雰囲気に保持するチャンバ１６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】モリブデンルツボ内のサファイア融液への難溶解物の混入を防止する。
【解決手段】
ＣＺ法によるサファイア単結晶の製造方法であって、モリブデンルツボ１４をチャンバー１１内の還元性雰囲気中で熱処理し、表面の酸化膜を除去する空焼き工程と、モリブデンルツボ１４にサファイア原料を投入し、これを融解することによってサファイア融液２１を得る融解工程と、サファイア融液２１に浸漬した種結晶を引き上げることによってサファイア単結晶２０を得る引き上げ工程とを備える。還元性雰囲気は、水素濃度が１０ｐｐｍ以上５ｖｏｌ％以下の水素雰囲気とする。 （もっと読む）

【課題】中空欠陥や介在物の少ないＳｉＣ単結晶及びその製造方法、このようなＳｉＣ単結晶から製造されるＳｉＣウェハ及び半導体デバイス、並びに、中空欠陥や介在物の少ないＳｉＣ単結晶の製造に適したＳｉＣ単結晶製造用原料を提供すること。
【解決手段】｛０００１｝面に略垂直な面を成長面とする種結晶を用いて、前記成長面上にＳｉＣを成長させることにより得られる単結晶からなり、前記単結晶の成長方向に略平行に伸びる中空欠陥の密度が６００個／ｃｍ²以下であるＳｉＣ単結晶、並びに、これを用いたＳｉＣウェハ及び半導体デバイス。このようなＳｉＣ単結晶は、ＳｉＣ粉末の質量の２％以上を予備昇華させることにより得られるＳｉＣ単結晶製造用原料を用いて、ａ面成長基板上に単結晶を成長させることにより得られる。 （もっと読む）

【課題】炭素同位体^１２Ｃを用いて硬度を高くすることが可能となる単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドは、炭素同位体^１２Ｃの濃度が９９．９質量％以上である炭素と、炭素以外の複数の不可避不純物とで構成される。不可避不純物は、窒素と、硼素と、水素と、ニッケルとを含み、複数の不可避不純物のうち窒素、硼素、水素の合計含有量を０．０１質量％以下とする。単結晶ダイヤモンドを製造するには、まず炭素同位体^１２Ｃの濃度が９９．９質量％以上であり脱窒素処理が施された炭化水素ガスを、真空チャンバ内において、例えば１２００℃以上２３００℃以下の温度で、基材上で熱分解することで得られた炭素原料を準備し、該炭素原料を用いてダイヤモンドを合成し、該ダイヤモンドから種結晶を切り出す。この種結晶を、溶媒および炭素源とともにセル内に収容した状態で、高温高圧合成法にて種結晶から単結晶ダイヤモンドを成長させる。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に、不規則な反りが発生しない大口径サファイア単結晶基板を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、サブグレインや気泡のない直胴部の直径が１５０ｍｍ以上のｃ軸方位サファイア単結晶体を育成し、これを水平方向に切断・基板加工することにより、平面方向の応力分布が同心円状を呈した６インチ以上の大口径サファイア単結晶基板を得る。この基板は窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に発生する基板の反りが規則的な碗型であり、窒化物系化合物の膜厚や膜組成を容易に均一に制御できるため、ＬＥＤの歩留まり向上に優れた効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率の優れた多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、^１２Ｃあるいは^１３Ｃのいずれかの炭素同位体で実質的に構成された炭素と、炭素以外の複数の不純物とで構成され、複数の不純物の濃度がそれぞれ０．０１質量％以下であり、結晶粒径が５００ｎｍ以下である。上記ナノ多結晶ダイヤモンド１は、^１２Ｃあるいは^１３Ｃの炭素同位体の純度が９９．９質量％以上である炭化水素ガスを熱分解して得られる黒鉛に、高圧プレス装置内で熱処理を施してダイヤモンドに変換することで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】より容易に製造することができ、炭化珪素を高純度で含む炭化珪素粉末および炭化珪素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素結晶成長用の炭化珪素粉末であって、シリコン小片と炭素粉末との混合物を加熱した後に粉砕することによって形成されており、実質的に炭化珪素で構成されている炭化珪素粉末とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高いスループット及びより良い収率を達成することができる方法を提供する。
【解決手段】高純度の半導体グレードの顆粒状シリコン、及びそのような顆粒状シリコンを製造する方法を開示する。第１の化学気相蒸着（ＣＶＤ）反応装置内で、シリコン・シードにシリコンをデポジットさせ、それによってシードをより大きな二次シードに成長させて、商業的品質の顆粒状シリコンを製造することができる。第２の化学気相蒸着反応装置内で、二次シードに追加のシリコンをデポジットさせる。この明細書に記載する方法を用いて、常套の方法よりも高いスループット及びより良い収率を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料用シリコンについて、アルミニウムおよび鉄の洗浄効果に優れた洗浄方法とその多結晶シリコン塊、洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体材料用シリコンを用意する工程と、逆浸透精製処理と、イオン交換精製処理とを行った純水を用意する工程と、前記純水を用いて半導体材料用シリコンを洗浄する工程と、前記洗浄によって、純水洗浄後のシリコン表面に残留するアルミニウムおよび鉄が低減された半導体材料用シリコンを得る工程と、を含む洗浄方法および洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】 高屈折率低分散の光学特性を有し、かつ着色を改善したＬａＡｌＯ３結晶を含む光学材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ３ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下のＦｅを含有し、前記Ｆｅが２価のＦｅイオンからなり、３価のＦｅイオンを含まないペロブスカイト型ＬａＡｌＯ３結晶を含む光学材料。前記ペロブスカイト型ＬａＡｌＯ３結晶のＥＳＲスペクトルにおいて、ｇ値が２．０２に相当する箇所に信号ピークが無い。平均粒径が１μｍ以上１０μｍ以下のＬａＡｌＯ３粒子を型に充填し、不活性ガス雰囲気もしくは真空中で、１６００以上１８００℃以下の温度で焼成する工程を有する光学材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを収納した容器を洗浄槽との間で円滑かつ確実に搬送することができ、作業効率を向上させて安定した品質を維持できる多結晶シリコン洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンＳを容器３に収納した状態で洗浄槽２１〜２７に浸漬して洗浄する多結晶シリコンの洗浄装置１であって、洗浄槽２１〜２７の内底部に容器３を載置状態に保持するガイド枠５を有しており、ガイド枠５には上方から容器３の導入を案内する複数のガイド板５２が上方に向かうにしたがってガイド枠５の保持中心から離間する方向に傾斜して設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】波長２４０〜３００ｎｍの領域における紫外光の透過性に優れた窒化アルミニウム単結晶、該単結晶からなる層を有する積層体、該積層体を製造する方法、および該積層体から紫外光の透過性に優れる窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
酸素原子、及び炭素原子を含む窒化アルミニウム単結晶であって、酸素原子の濃度を［Ｏ］ｃｍ^−３、炭素原子の濃度を［Ｃ］ｃｍ^−３としたときに、下記式（１）の条件を満足することを特徴とする窒化アルミニウム単結晶。
［Ｏ］−［Ｃ］ ＞ ０ （１） （もっと読む）

【課題】切削工具、耐磨工具等の機械的用途、及び半導体材料、電子部品、光学部品等の機能品用途に適したダイヤモンド単結晶及びその製造方法の提供。
【解決手段】結晶全体にわたり、波数１３３２ｃｍ^−１（波長７．５μｍ）のピーク吸収係数が０．０５ｃｍ^−１以上１０ｃｍ^−１以下である化学気相合成法により得られたダイヤモンド単結晶であり、この単結晶は化学気相合成時の気相における元素の組成比率を、水素原子に対する炭素原子濃度が２％以上１０％以下かつ、炭素原子に対する窒素原子濃度が０．１％以上６％以下かつ、炭素原子に対する酸素原子濃度が０．１％以上５％以下とすることによって得られる。 （もっと読む）

【課題】
低抵抗、高密度窒化ガリウム系成形物、直流スパッタリングを可能とする窒化ガリウム系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
窒化ガリウムと金属ガリウムが成形物中で別の相として存在しており、かつ前記成形物全体におけるＧａ／（Ｇａ＋Ｎ）のモル比が５５％以上８０％以下であることを特徴とする金属ガリウム浸透窒化ガリウム成形物。 （もっと読む）

【課題】高い生産効率でサファイア単結晶を製造することができるサファイア単結晶製造用αアルミナ焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】相対密度が６０％以上であり、閉気孔率が１０％以下であり、純度が９９．９９質量％以上であり、Ｓｉ、Ｎａ、Ｃａ、Ｆｅ、ＣｕおよびＭｇの含有量がそれぞれ１０ｐｐｍ以下であり、体積が１ｃｍ³以上であるサファイア単結晶製造用αアルミナ焼結体の製造方法であって、αアルミナ１００重量部とαアルミナ前駆物質１重量部以上２０重量部以下を混合して混合物を得、得られた混合物を成形し、焼成して得られる。 （もっと読む）

【課題】紫外線放射に対して高い耐放射線性を有するフッ化物結晶、特にフッ化カルシウム結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属フッ化物又はアルカリ土類金属フッ化物を含有する結晶粉末６を供給して結晶原料塊を形成するステップと、結晶原料塊を結晶成長ユニット内で溶融するステップと、溶融した結晶原料塊を冷却により凝固させるステップと、を含む方法。複合フルオロ酸のアンモニウム塩７及び脂肪族アルコール８を前記結晶粉末６又は前記結晶原料塊に添加して、酸化物系不純物を減らす。この方法により製造したフッ化物結晶、及び該フッ化物結晶から形成した光学コンポーネント。 （もっと読む）

【課題】フッ化カルシウム単結晶体のレーザー耐性を向上させるために、その原料となるフッ化カルシウムのレーザー耐性を向上させる精製方法を提供する。
【解決手段】気密化可能な精製炉を用い、原料フッ化カルシウムを溶融させた後、降温することにより凝固させるフッ化カルシウム単結晶体育成用の原料フッ化カルシウムの精製方法において、少なくとも降温開始時から凝固点以下、１２００℃以上の所定の温度に到達するまでの間は、炉内を真空排気された状態とし、かつ該所定の温度に到達した後に精製炉内にフッ素系ガスを導入するとともに、少なくとも、１０００℃から５００℃までの間は、降温速度を５０℃／ｈｒよりも遅くする。前記の原料フッ化カルシウムの精製方法により、レーザー誘起吸収（ＬＩＡ）は、２００〜８００ｎｍの波長領域において、ピークトップが０．００２以下に大幅に低減し、レーザー照射後のカラーセンターの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、昇華再結晶法による単結晶成長において、高くかつ安定した昇華速度を示す炭化ケイ素粉体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒径が１００℃以上７００μｍ以下であり、かつ比表面積が０．０５ｍ^２／ｇ以上０．３０ｍ^２／ｇ以下である炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体。粒子径が５μｍ以上２００μｍ以下の一次粒子が焼結した粒子形態であることが好ましい。平均粒径が２０μｍ以下の炭化ケイ素粉体を、温度１９００℃以上２４００℃以下、圧力７０ＭＰａ以下、非酸化性雰囲気下の条件で加圧焼結させ、密度１．２９ｇ／ｃｍ^３以上の焼結体を得る工程、得られた焼結体の粉砕による粒度調整工程、酸処理による不純物除去工程、を含む炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはＦＴＩＲ又はその両方を用いて行うことを可能とするための、フロートゾーン法によるシリコン中の不純物濃度の希薄化を利用した測定方を提供する。
【解決手段】調査されるべきシリコンからゾーン引き上げによって単結晶ロッドを作成し、この単結晶ロッドを、少なくとも１回の希薄化工程で、規定の炭素濃度及びドーパント濃度を有する単結晶もしくは多結晶のシリコン製のスリーブ中に導入し、そして該ロッド及びスリーブからゾーン引き上げによって希薄化されたシリコン製の単結晶ロッドを作成し、その希薄化された単結晶ロッドをもとに、調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはＦＴＩＲ又はその両方を用いて行う、シリコン中の不純物の測定方法によって解決される。 （もっと読む）