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【課題】ドーピングガスの種類の制約を受けずに、キャリア濃度の均一化を図ることができる周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成長面の周縁部にドーピングガスを吹きつけながら結晶成長させることによって、結晶内のキャリア濃度が均一な周期表第13族金属窒化物半導体結晶を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】低転位密度の窒化物半導体を成長することが可能な窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体成長用基板を用いて作製される窒化物半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板のC面である主面に、前記主面に対して90°未満で傾斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部が格子状に配置して形成されており、前記主面からの前記凸部の高さが0.5μm以上3μm以下で、隣接する前記凸部間の距離が1μm
以上6μm以下であって、前記凸部の前記側面の表面粗さRMSが10nm以下である窒化物半導体成長用基板である。 (もっと読む)


【課題】複数の単結晶基板を有する炭化珪素基板であって、かつ単結晶基板間の隙間が十分に充填されているものを提供する。
【解決手段】複数の単結晶基板11a,12a,13aの各々に接合されたベース層30を有する複合基板が形成される。複数の単結晶基板11a,12a,13aは、ベース層30上において互いに離されていることによって、互いに隣り合う複数の単結晶基板11a,12a,13aの各々の端面によって構成された側壁と、ベース層で構成された底面とを有する溝部TRaを形成している。溝部TRaに対向するように、炭化珪素からなる原料部29が配置される。原料部29から昇華させた炭化珪素を底面上において再結晶させることによって、溝部TRaが充填される。 (もっと読む)


【課題】板厚の薄いガーネット基板に、膜厚の薄いビスマス(以下、Biと略記する)置換希土類−鉄ガーネット膜(以下、RIG膜と略記する)が選択された場合、得られるRIG膜表面に発生する放射状、直線状のクラックが抑制された短波長向けRIG膜の液相エピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】RIG膜の成分を溶かしたフラックス液面に、ガーネット基板を接触させてRIG膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法であって、ガーネット基板の板厚が200μm以上350μm以下、RIG膜の膜厚が100μm以上300μm以下であることを特徴とし、特に、ガーネット基板の板厚をT(μm)、RIG膜の膜厚をt(μm)としたとき、上記要件に加えて、下記(数1)を満たすことを特徴とする。
-2T+700(μm) ≦ t ≦ -4T+1500(μm) (数1) (もっと読む)


【課題】特性の均一性に優れた炭化珪素基板、炭化珪素インゴットおよびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素インゴットの製造方法は、(0001)面に対してオフ角が10°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板1を準備する工程と、ベース基板1の表面上に炭化珪素層を成長させる工程とを備える。炭化珪素層を成長させる工程では、炭化珪素層の成長方向側から見たときの幅方向における温度勾配を20℃/cm以上とする。このようにすれば、得られた炭化珪素インゴットはその成長最表面9について中央部を含むほぼ全面がファセット面5になっているため、外周端部のみを研削することで全面がファセット面5となった炭化珪素インゴットを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、窒化ガリウム膜製造方法に関し、より詳細には、成長する窒化ガリウム膜内の欠陥を減らすことができる窒化ガリウム膜製造方法に関する。
【解決手段】このために、本発明は、基板上に、外周面に周方向溝を有する窒化ガリウムナノロッド(GaN nano rod)を成長させる窒化ガリウムナノロッド成長ステップ;及び、前記窒化ガリウムナノロッド上に窒化ガリウム膜を成長させる窒化ガリウム膜成長ステップ;を含むことを特徴とする窒化ガリウム膜製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】複数のAlNタイル基板を用いて主表面におけるピットの発生が少ない大型のIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本III族窒化物結晶の成長方法は、平面充填ができる三角形および凸四角形のいずれかの形状である主表面10mを有するAlNタイル基板10を複数準備する工程と、AlNタイル基板10の頂点部が互いに向かい合う任意の点において互いに向かい合う頂点部の数が3以下であるように、複数のAlNタイル基板10を平面充填させて配置する工程と、配置された複数のAlNタイル基板10の主表面10m上にIII族窒化物結晶20を成長させる工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】非極性面または半極性面を主面とする大型で良質なIII族窒化物半導体結晶をより簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】極性面を主面とする下地基板10上に、極性面以外のファセット面11〜18を含む凸状ライン部21〜24を2500μm以上のピッチで複数本形成し、前記主面に垂直な方向にIII族窒化物半導体結晶を成長させる。 (もっと読む)


【課題】優れた特性のデバイスを安定して製造することが可能な炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板80は、炭化珪素の単結晶からなり、幅が100mm以上、マイクロパイプ密度が7cm-2以下、貫通螺旋転位密度が1×104cm-2以下、貫通刃状転位密度が1×104cm-2以下、基底面転位密度が1×104cm-2以下、積層欠陥密度が0.1cm-1以下、導電性不純物濃度が1×1018cm-2以上、残留不純物濃度が1×1016cm-2以下、Secondary Phase Inclusionsが1個・cm-3以下である。 (もっと読む)


【課題】結晶化プレートに設けられている結晶化ウェル内に生成されているタンパク質の生成度合いを観察する場合、強磁場から結晶化プレートを取り出す必要がなく、結晶ができていない場合でも、結晶成長が乱されず、しかも、観測の質を向上させることができる結晶化プレートの観察装置を提供することを目的とする。
【解決手段】リザーバと結晶生成部と柱状空間とを具備するリング体からなる結晶化プレートを超強磁場に配置した状態で、上記結晶生成部で生成される結晶を観察する結晶化プレートの観察装置であって、上記リング体の内周に形成されている柱状空間に設けられ、上記結晶生成部に光を当てる光源と、上記結晶生成部からの光の像を電気信号に変換する受光素子と、上記結晶生成部からの光を上記受光素子に向けて反射する反射手段であって、上記柱状空間に設けられる反射手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】高品質かつ高信頼性の素子を作製できるSiCエピタキシャルウエハ、およびそれを用いて得られるSiC半導体素子を提供すること
【解決手段】4°以下のオフ角を有するSiC基板2と、SiC基板2の主面4に形成され、その表面10に0.5nm以上の高さのステップバンチング9が形成されたSiCエピタキシャル層3とを含むSiCエピタキシャルウエハ1において、ステップバンチング9の線密度を40cm−1以下にする。 (もっと読む)


【課題】単結晶ダイヤモンドと多結晶ダイヤモンドの双方の利点を活かしながら、更に板状の構造を可能にするために、多結晶ダイヤモンドの研磨の困難性も回避し、研磨が容易なダイヤモンド複合体を提供すること。
【解決手段】少なくとも2種類の結晶性の異なる結晶からなる構造の複合体であり、その内の第一の結晶は高圧合成法により合成した単結晶ダイヤモンドか、あるいは気相合成法により合成した単結晶ダイヤモンドであり、第二の結晶は欠陥を面内に周期的なパターン形状で含む気相合成法により合成したダイヤモンドであり、該第一の結晶及び第二の結晶はいずれも、主面が平行になるように層状に形成されていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 (もっと読む)


【課題】二酸化炭素を効率よく還元することができる処理板及び処理方法を提供する。
【解決手段】二酸化炭素の処理板1は、基板2と、基板2上に形成され(111)面を表面とする酸化マグネシウムからなる処理膜3とを備える。処理膜3は二酸化炭素を吸着し、加熱により還元する属性を有している。基板2は、(111)面を主面とするチタン酸ストロンチウム、(0001)面を主面とするサファイア、又は(111)面を主面とするイットリア安定化ジルコニアのいずれか一つにより構成される。 (もっと読む)


【課題】大型で品質が良好なIII族窒化物結晶を簡便で効率良く短期間で製造すること。
【解決手段】窒化物結晶からなる複数の下地基板を配置する下地基板準備工程、該複数の下地基板上に気相法により窒化物結晶層を成長させて一体となったシードを得るシード作成工程、および、 該シード上にアモノサーマル法によりIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長工程を実施する。 (もっと読む)


【課題】主面の結晶欠陥が少ない単結晶ダイヤモンド、及び該単結晶ダイヤモンドを含むダイヤモンド複合体とその製造方法の提供。
【解決手段】少なくとも、板状の2つ以上の単結晶ダイヤモンドより構成されており、それぞれの単結晶ダイヤモンドが、それぞれの主面間に介在する接合層によって接合されてなることを特徴とするダイヤモンド複合体。前記ダイヤモンド複合体から接合層を境にして分離されたことを特徴とする単結晶ダイヤモンド。 (もっと読む)


【課題】マイクロパイプ密度が低く、かつ断面積の大きなマイクロパイプのない炭化珪素基板を提供する。
【解決手段】縁領域60は5ミリメートル幅のものである。有効領域70は、縁領域60に囲まれており、かつ100平方センチメートル以上の面積を有する。有効領域70には、断面積が1平方マイクロメートル超のマイクロパイプが存在していない。有効領域70は、有効領域の70%以上を占める複数の高品質領域71を含む。複数の高品質領域71の各々は、四角形の形状を有し、かつ1平方センチメートル以上の面積を有し、かつ1平方センチメートル当たり1個以下のマイクロパイプ密度を有する。 (もっと読む)


【課題】ダイヤモンド基板上に単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長させるに際し、エピタキシャル成長した単結晶ダイヤモンドにおいて基板のダイヤモンドの欠陥に由来する欠陥を極力低減すること。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド基板上の欠陥の位置に、幅と深さのアスペクト比(深さ/幅)2以上の溝又は穴を形成した単結晶ダイヤモンド基板上に、気相エピタキシャル成長法によって単結晶ダイヤモンド膜を形成してなり、前記溝又は穴の部分が空孔として結晶内部に残っていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 (もっと読む)


【課題】GaN層をサファイア下地基板から簡単に剥離できるようにしたGaN自立基板の製造方法の提供。
【解決手段】サファイア下地基板上にGaN層を気相成長させる工程と、前記GaN層から前記サファイア下地基板を、前記成長中の反りもしくは降温中の熱応力によって前記下地基板を破壊することで除去する工程と、を含む、GaN自立基板を製造する方法において、前記サファイア下地基板が、面方位が(11−20)面であるa面サファイア下地基板10であり、前記サファイア下地基板の表面もしくは裏面に前記サファイア下地基板全面を横断するように溝を形成し、前記溝が前記a面サファイア下地基板の劈開しやすい面方向に形成されているようにした。 (もっと読む)


【課題】結晶基板を安価に製造可能な手段を提供する。
【解決手段】本発明は、気相成長装置の基板保持具(10)に保持される下地基板(20)の結晶成長面(21)上に結晶膜(30)を成長させ、該結晶膜(30)から、2インチ、2.5インチ、3インチ、4インチ、5インチ、6インチ、50mm、75mm、100mm、125mm、150mmのうちのいずれか1つに略等しい直径Φを有する結晶基板(35)を製造する方法であって、前記基板保持具(10)は、前記下地基板(20)の結晶成長面(21)の一部を露出させる開口部(12)を備え、前記開口部(12)は、その輪郭に円弧状部(13)を含み、前記円弧状部(13)は、前記直径Φと略等しい直径を有することを特徴とする。 (もっと読む)


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