【課題】窒化ガリウム層を備える黒鉛材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛材１は、膨張黒鉛シート２と、膨張黒鉛シート２の上に配された、結晶性窒化ガリウム層３とを備える。黒鉛材１の製造方法は、膨張黒鉛シート２を準備する工程と、膨張黒鉛シート２の上に、結晶性窒化ガリウム層３を形成する工程と、を備える。結晶性窒化ガリウム層３は、有機金属気相成長法により、膨張黒鉛シート２の上に窒化ガリウムの結晶をエピタキシャル成長させてなる。 （もっと読む）

【課題】 結晶基板の利用率の低下を抑制しつつ、単結晶基板の特徴を目視で判別可能な単結晶基板、及び、その単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】
主面１０を有する単結晶基板１Ａであって、主面１０には、垂直方向ｚに凹み、垂直方向ｚから視て、直線状に延びる少なくとも１つ以上の直線凹部５０が設けられ、少なくとも１つ以上の直線凹部５０に含まれる第１直線凹部５０ａの延在方向ｅ１は、単結晶基板１Ａの結晶方位ａ３と一致する。 （もっと読む）

【課題】特性の均一性に優れた炭化珪素インゴットおよび当該炭化珪素インゴットをスライスすることより得られる炭化珪素基板、ならびにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素インゴットの製造方法は、（０００１）面に対してオフ角が１°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板１を準備する工程と、ベース基板１の表面４上に炭化珪素層を成長させる工程とを備える。炭化珪素層を成長させる工程では、炭化珪素層の成長方向側から見たときの幅方向における温度勾配を１０℃／ｃｍ以下とする。このようにすれば、得られた炭化珪素インゴットはその成長最表面９について中央部を含むほぼ全面がファセット面５になっているため、外周端部のみを研削することで全面がファセット面５となった炭化珪素インゴットを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】非極性面及び／又は半極性面を主面とする下地基板上でのエピタキシャル成長によって得られる周期表第１３族金属窒化物半導体結晶において、吸光係数が小さく、デバイスに好適に用いることができ、さらに結晶内のドーパント濃度が制御された高品質な半導体結晶を提供すること、並びにかかる半導体結晶を製造することができる製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
不純物に起因した酸素ドーピングを抑制し、Ｏ濃度よりもＳｉ濃度を高めることによって、ドーパント濃度の精密な制御がなされていて、さらに吸光係数が小さくデバイスに好適な高品質な周期表第１３族金属窒化物半導体結晶を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】中空欠陥や介在物の少ないＳｉＣ単結晶及びその製造方法、このようなＳｉＣ単結晶から製造されるＳｉＣウェハ及び半導体デバイス、並びに、中空欠陥や介在物の少ないＳｉＣ単結晶の製造に適したＳｉＣ単結晶製造用原料を提供すること。
【解決手段】｛０００１｝面に略垂直な面を成長面とする種結晶を用いて、前記成長面上にＳｉＣを成長させることにより得られる単結晶からなり、前記単結晶の成長方向に略平行に伸びる中空欠陥の密度が６００個／ｃｍ²以下であるＳｉＣ単結晶、並びに、これを用いたＳｉＣウェハ及び半導体デバイス。このようなＳｉＣ単結晶は、ＳｉＣ粉末の質量の２％以上を予備昇華させることにより得られるＳｉＣ単結晶製造用原料を用いて、ａ面成長基板上に単結晶を成長させることにより得られる。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法で成長させたアズグロウン状態の窒化物単結晶の結晶品質をそのままの状態で評価できるようにすること。
【解決手段】反応容器内で成長温度を５００℃以上にして窒化物単結晶を成長させた後に、成長温度から降温しながら窒化物単結晶に対して表面処理を施し、表面処理が施された窒化物単結晶の表面を評価する。 （もっと読む）

【課題】低転位密度の窒化物半導体を成長することが可能な窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体成長用基板を用いて作製される窒化物半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板のＣ面である主面に、前記主面に対して９０°未満で傾斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部が格子状に配置して形成されており、前記主面からの前記凸部の高さが０.５μｍ以上３μｍ以下で、隣接する前記凸部間の距離が１μｍ
以上６μｍ以下であって、前記凸部の前記側面の表面粗さＲＭＳが１０ｎｍ以下である窒化物半導体成長用基板である。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板と窒化物半導体層の間の電気抵抗が低い結晶積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態において、酸素が六角格子配置された面を主面とするＧａ_２Ｏ_３基板２上に、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶を温度Ｔ１で成長させてバッファ層３を形成する工程と、バッファ層３上にＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶を成長させて窒化物半導体層４を形成する工程と、を含む結晶積層構造体１の製造方法を提供する。この製造方法は、バッファ層３を形成するより前に、温度Ｔ１よりも高い温度でＧａ_２Ｏ_３基板２の表面を窒化する工程を含まない。 （もっと読む）

【課題】特性の均一性に優れた炭化珪素基板、炭化珪素インゴットおよびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素インゴットの製造方法は、（０００１）面に対してオフ角が１０°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板１を準備する工程と、ベース基板１の表面上に炭化珪素層を成長させる工程とを備える。炭化珪素層を成長させる工程では、炭化珪素層の成長方向側から見たときの幅方向における温度勾配を２０℃／ｃｍ以上とする。このようにすれば、得られた炭化珪素インゴットはその成長最表面９について中央部を含むほぼ全面がファセット面５になっているため、外周端部のみを研削することで全面がファセット面５となった炭化珪素インゴットを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】大型で良質なＩＩＩ族窒化物半導体結晶を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】Ｖ族原料およびＩＩＩ族原料の存在下でＣ面以外を主面とするＩＩＩ族窒化物シード１上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶層３を成長させる際に、成長温度を１０２０℃未満にして行う低温成長工程２を実施する。 （もっと読む）

【課題】｛０００１｝面を除いて任意に特定される｛ｈｋｉｌ｝面に対して面方位のばらつきが小さな主面を有するＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、｛０００１｝面を除いて任意に特定される｛ｈｋｉｌ｝面に対して結晶片１０の主面１０ｍ内に１ｍｍピッチで配置された各点における面方位のずれが０．５°以下である複数の結晶片１０を調製し、｛ｈｋｉｌ｝面に対して複数の結晶片１０の主面１０ｍの全面１０ａ内に１ｍｍピッチで配置された各点における面方位のずれが０．５°以下になるようにかつ結晶片１０の主面１０ｍの少なくとも一部が露出するように複数の結晶片１０を配置して、複数の結晶片１０の主面１０ｍの露出部分上に、第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させるものである。 （もっと読む）

【目的】
ＧａＮ系化合物半導体成長層に生じる歪が低減されるとともに、当該結晶成長層にダメージを与えることなくＳｉ基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なＧａＮ系化合物半導体の成長方法及び成長層付き基板を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ基板上にコラム状結晶層を成長する工程と、上記コラム状結晶層上に島状成長又は網目状成長の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）結晶層であるバッファ層を成長する工程と、上記バッファ層上にＧａＮ系化合物結晶を成長する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】非極性面または半極性面を主面とする大型で良質なIII族窒化物半導体結晶をより簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】極性面を主面とする下地基板１０上に、極性面以外のファセット面１１〜１８を含む凸状ライン部２１〜２４を２５００μｍ以上のピッチで複数本形成し、前記主面に垂直な方向にIII族窒化物半導体結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】優れた特性のデバイスを安定して製造することが可能な炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板８０は、炭化珪素の単結晶からなり、幅が１００ｍｍ以上、マイクロパイプ密度が７ｃｍ^-2以下、貫通螺旋転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下、貫通刃状転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下、基底面転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下、積層欠陥密度が０．１ｃｍ^-1以下、導電性不純物濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-2以上、残留不純物濃度が１×１０¹⁶ｃｍ^-2以下、Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｐｈａｓｅ Ｉｎｃｌｕｓｉｏｎｓが１個・ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】不純物濃度の均一性および結晶性に優れたｎ型ダイヤモンド半導体層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、（１００）面から＜０１１＞±１０度方向に１０度以上４０度以下の範囲で傾斜する面を備えるダイヤモンド基板と、上記面上に形成され、リン（Ｐ）を含有するｎ型ダイヤモンド半導体層と、を備える。実施の形態の半導体装置の製造方法は、（１００）面から＜０１１＞±１０度方向に１０度以上４０度以下の範囲で傾斜する面を備えるダイヤモンド基板を準備し、上記面上に、エピタキシャル成長により、リン（Ｐ）を含有するｎ型ダイヤモンド半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高品質かつ高信頼性の素子を作製できるＳｉＣエピタキシャルウエハ、およびそれを用いて得られるＳｉＣ半導体素子を提供すること
【解決手段】４°以下のオフ角を有するＳｉＣ基板２と、ＳｉＣ基板２の主面４に形成され、その表面１０に０．５ｎｍ以上の高さのステップバンチング９が形成されたＳｉＣエピタキシャル層３とを含むＳｉＣエピタキシャルウエハ１において、ステップバンチング９の線密度を４０ｃｍ^−１以下にする。 （もっと読む）

【課題】、III 族金属窒化物単結晶の生産性が高く、製造が比較的に容易であり、種結晶膜のメルトバックを抑制できるようにすることである。
【解決手段】 成膜面２ｂと加工凹部８とが設けられている基板本体１に対して、成膜面２ｂおよび加工凹部８を被覆するようにIII 族金属窒化物単結晶の下地膜４Ａ、４Ｂ、５を成膜する。下地膜が、成膜面上の種結晶膜と、側壁面および加工凹部の底面を被覆する多結晶膜とを有する。次いで、下地膜上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶６を育成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板として利用可能な、直径が４インチ超のＳｉＣ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化珪素結晶の製造方法は、成長容器内に、種基板および炭化珪素結晶の原料を配置する工程と、昇華法により、種基板の表面に直径が４インチを超える炭化珪素結晶を成長させる工程と、を備える。上記成長させる工程において、成長容器内の圧力が所定の圧力から所定の変動割合で変動する。 （もっと読む）