説明

Fターム[4G077EE00]の内容

結晶、結晶のための後処理 (61,211) | 結晶成長共通−成長前の基板の処理、保護 (913)

Fターム[4G077EE00]の下位に属するFターム

Fターム[4G077EE00]に分類される特許

1 - 1 / 1


【課題】安価で良質な窒化アルミニウム結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ga−Al合金融液4に窒素ガスを導入し、Ga−Al合金融液4中の種結晶基板3上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる。窒化アルミニウム結晶の育成温度を1000℃以上1500℃以下の範囲とすることにより、GaNを金属Gaと窒素ガスに分解させる。 (もっと読む)


1 - 1 / 1