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Fターム[4G077EF01]の内容

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【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材1と、基材1に中間層2、3を介して接合されたDLCパターン層4bとで構成され、基材1が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層2、3が、基材1及びDLCパターン層4bとの接合性を提供し、かつ、DLCパターン層4bに比べ、エッチングレートが小さい層であり、DLCパターン層4bに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 (もっと読む)


【課題】大型で良質なIII族窒化物半導体結晶を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】V族原料およびIII族原料の存在下でC面以外を主面とするIII族窒化物シード1上にIII族窒化物半導体結晶層3を成長させる際に、成長温度を1020℃未満にして行う低温成長工程2を実施する。 (もっと読む)


【課題】高電圧駆動素子の為にSiCやGaNの基板の簡素化が重要な課題となっている。
Si基板上のシリコン酸化膜の上に単結晶のSiC膜やGaN膜に形成したMOSFETなどの素子をアニールする手法を開示する。
【解決手段】光学ランプからの光をレンズで集光する手段、或いはレーザ光など高温度を発生させる手段によりSiCなど化合物半導体の表層部はSi基板の融点を越えるような高温度として、Si基板部はその融点よりも十分低い温度となるような冷却部を設けてSi基板を保持するステージを設けたことを特徴とするアニーリング装置。 (もっと読む)


【課題】 低オフ角のSiC基板上においても、エピタキシャル層表面の三角欠陥およびステップバンチングの発生を抑制できるSiCエピタキシャル基板の製造方法およびそれによって得られるSiCエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長シーケンスが、SiC基板21上に、第1の温度で第1のエピタキシャル層22を成長させるステップと、前記第1の温度よりも低温の第2の温度で第2のエピタキシャル層23を成長させるステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体発光素子の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の実施例による半導体発光素子の製造方法は、半導体成長用基板上に第1導電性半導体層、活性層及び第2導電性半導体層を順に成長させて発光部を形成する段階と、上記第2導電性半導体層上に上記発光部と結合されるように支持部を形成する段階と、上記発光部から上記半導体成長用基板を分離する段階と、上記分離された半導体成長用基板の表面に残存する半導体層が除去されるように上記半導体成長用基板にエッチングガスを適用する段階とを含む。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスに好適に用いられるIII族窒化物基板を低価格で効率よく製造することを可能とするIII族窒化物層の成長方法およびIII族窒化物基板を提供する。
【解決手段】本III族窒化物層の成長方法は、配向した六方構造を有するグラファイト基板10を準備する工程と、グラファイト基板10上に少なくとも1層のIII族窒化物層20を成長させる工程と、を含む。また、本III族窒化物基板は、少なくともc軸方向に配向する複数の結晶で構成される。 (もっと読む)


【課題】製造工程の複雑化を防止し、炭化珪素基板の制約がなく、かつ基底面転位をより確実に貫通刃状転位に転換できる炭化珪素ウェハの製造方法及び前記炭化珪素ウェハを用いた炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気又は真空において、1700℃〜2200℃で炭化珪素基板1を加熱処理することで、炭化珪素基板1の基底面転位20の先端部を貫通刃状転位30に転換し、当該炭化珪素基板1上に、炭化珪素のエピタキシャル成長を行うことで、基底面転位20が低減したエピタキシャル膜2を結晶成長させる。 (もっと読む)


【課題】ZnO基板上へZnO系半導体結晶を1000℃よりも高い高温で成長可能なホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】ZnO基板40上に亜鉛含有ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入して、ZnO基板40上にZnO系半導体層46を結晶成長する工程を有し、亜鉛含有ガスの分圧は、1×10-4気圧以下、結晶成長温度は1000℃以上、VI族元素とII族元素の供給比VI/IIは1以上〜100以下であるホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 (もっと読む)


【課題】m方向に向かうミスカットが少なくとも0.35度であるc面表面を用いて、Ga面c面(Al、Ga、In)N基板上に(Al、Ga、In)N薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】前記平滑な(Al、Ga、In)N薄膜624上に、発光素子を形成する。前記平滑な表面上に作製された素子は、向上した性能を示す。 (もっと読む)


【課題】基板上に懸架されている電極層を利用して大面積基板上に高品質のGaNを成長させるGaN薄膜の製造方法、前記方法で製作されたGaN薄膜構造物及び前記GaN薄膜構造物を含む半導体素子を提供する。
【解決手段】基板上に犠牲層を形成する段階;犠牲層上に第1バッファ層を形成する段階;第1バッファ層上に電極層を形成する段階;電極層上に第2バッファ層を形成する段階;犠牲層を部分的にエッチングすることで、前記第1バッファ層を支持する少なくとも2つの支持部材を形成し、基板と第1バッファ層との間に少なくとも一つの空気キャビティを形成する段階;第2バッファ層上にGaN薄膜層を形成する段階;を含む半導体素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に複数の空隙を含む第一カーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に第一エピタキシャル層を成長させて、前記第一カーボンナノチューブ層を包ませる第三ステップと、前記第一エピタキシャル層の表面に複数の空隙を含む第二カーボンナノチューブ層を配置し、前記第二カーボンナノチューブ層が配置された表面は、前記第一エピタキシャル層のエピタキシャル成長面である第四ステップと、前記第一エピタキシャル層のエピタキシャル成長面に第二エピタキシャル層を成長させて、前記第二カーボンナノチューブ層を包ませる第五ステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】種結晶表面へのガリウムの析出を防止し、それを原因とする多結晶部の発生を抑止した化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料及び液体封止剤を入れたるつぼを加熱して原料及び液体封止剤を融解し、融解した原料融液に接触させた種結晶を引き上げることにより、化合物半導体単結晶を成長させる液体封止チョクラルスキー法を用いた化合物半導体単結晶の製造方法において、表面に金属保護膜を形成した種結晶を用いるものである。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル層の形成時のオートドープを確実に抑制することで、エピタキシャルウェーハの抵抗率均一性を向上させ、周縁部まで効率的にデバイスの形成が可能なエピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】一面10a側に第一のエピタキシャル層11を形成したシリコン単結晶基板10は、次に、堆積物除去工程を行う。この堆積物除去工程では、シリコン単結晶基板10の面取り部10cを、例えば鏡面研磨することによって、第一の成長工程S1で生じた堆積物Pを除去する。 (もっと読む)


【課題】支持基板と半導体層とを分離するために照射される光について、支持基板と半導体層との間に形成される中間層の光熱変換層で吸収されない光が半導体層に透過するのを防止する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、光熱変換層21と第1の透明層23とを含む中間層20を有する積層支持基板1の作製工程と、積層貼り合わせ基板2の作製工程と、エピ成長用積層支持基板3の作製工程と、デバイス用積層支持基板4の作製工程と、デバイス用積層支持基板4の光熱変換層21で吸収され第1の透明層23で全反射されるように光照射することによるデバイス用積層ウエハ5の作製工程と、透明半導体積層ウエハ6を含む半導体デバイス7の作製工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル成長温度を低下させても、結晶欠陥が少ない高品質の立方晶炭化ケイ素膜を高速にて成長させることが可能な立方晶炭化ケイ素膜の製造方法及び立方晶炭化ケイ素膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の立方晶炭化ケイ素膜の製造方法は、シリコン基板の上に炭素を含むガスを導入し、このシリコン基板を立方晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長温度まで急速加熱してシリコン基板の表面を炭化することにより立方晶炭化ケイ素膜を形成する第1の工程、この立方晶炭化ケイ素膜を立方晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長温度に保持しつつ、この立方晶炭化ケイ素膜の上に、炭素を含むガス及びケイ素を含むガスを導入し、この立方晶炭化ケイ素膜をさらにエピタキシャル成長させる第2の工程、を有する。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥が少なく、かつ平坦性に優れた高品質の立方晶炭化珪素膜を容易に得ることができる立方晶炭化珪素膜の製造方法を提供する。
【解決手段】Si基板1の表面を炭化させて下地層2を形成し、次いで、Si基板1の下地層2上に原料ガスg2を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層3をエピタキシャル成長させ、次いで、この立方晶炭化珪素層3の表面3aをクリーニングして異物を除去し、次いで、この立方晶炭化珪素層3上に再度、原料ガスg2を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層4をエピタキシャル成長させる。 (もっと読む)


【課題】直径100mm以上の大口径であっても結晶欠陥部分が少なく、化合物半導体層のエピタキシャル形成に適した高品質かつ低コストのサファイア単結晶基板、および、かかる基板上に化合物半導体層を成膜した高品質の半導体発光素子を安定的に提供する。
【解決手段】III族化合物半導体層を有する半導体発光素子の製造方法であって、サファイア単結晶のインゴットからウエーハを切り出す基板切り出し工程S200と、切り出したウエーハについてラング法によるX線トポグラフィ測定を行い、(11−20)面のX線回折像が得られるX線の入射角度ωに対し、±0.15°の範囲内を判断基準とする湾曲補正値Δωにより補正したX線によりX線回折像が得られる結晶欠陥部分を含むウエーハを選別する選別工程S500と、選別されたウエーハの被成膜面上にIII族化合物半導体層を成膜する半導体層成膜工程S800と、を有する。 (もっと読む)


【課題】結晶を複数片に分離する際の断面の歪の導入を低減し、窒化物半導体結晶の利用効率を上げることが可能な窒化物半導体結晶構造及び窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶10から板状の結晶片を分離し、分離した前記板状の結晶片から窒化物半導体自立基板を作製するための窒化物半導体結晶構造において、レーザー光の照射による加熱分解で前記板状の結晶片に分離すべく、前記窒化物半導体結晶10内に、該窒化物半導体結晶10の成長時にバンドギャップの異なる組成の光吸収層2を単層または複数層形成したものである。 (もっと読む)


【課題】層がその上に作製される基板に対して実質的に垂直な側面を有するAlN層を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板(2)の表面(2’)に対して実質的に垂直な側面を有するAlN層を作製する方法において、基板(2)上にAlN成長層(4,4’)を形成する段階と、少なくとも前記成長層上にAlN層(31)を堆積する段階と、その少なくとも1つの縁部が、前記基板(2)の表面(2’)または前記成長層(4)の表面(4’)に実質的に垂直な平面において少なくとも1つの縁部(10,12,14)または前記成長層(4,4’)の側面(10a,10b)と整列されるように、AlN層を覆ってマスク層(40,40’)を形成する段階と、を有する方法が開示される。 (もっと読む)


【課題】加工しろが小さく一様な加工が容易なGaN基板およびその製造方法、かかるGaN基板を用いたGaN層接合基板および半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本GaN基板20は、第1領域20jと、第1領域20jに比べてGa/N組成比が高い第2領域20iとを含み、第2領域20iは、一方の主面20mから所定の深さDを中心に深さD−ΔDから深さD+ΔDまで広がり、深さDにおけるGa/N組成比と第1領域20jの深さD+4ΔD以上の深さにおけるGa/N組成比との差が、深さD+ΔDにおけるGa/N組成比と第1領域20jの深さD+4ΔD以上の深さにおけるGa/N組成比との差の3倍であり、第2領域20iのGa/N組成比が、第1領域20jの深さD+4ΔD以上の深さにおけるGa/N組成比に対して1.05以上である。 (もっと読む)


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