【課題】製造工程の複雑化を防止し、炭化珪素基板の制約がなく、かつ基底面転位（ＢＰＤ）をより確実に貫通刃状転位（ＴＥＤ）に転換できる炭化珪素ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１の一方面にＳｉイオンを注入し、又は電子線照射する第１工程と、炭化珪素基板１をアニール処理する第２工程と、炭化珪素基板１の一方面側をエピタキシャル成長させてエピタキシャル膜３を得を形成する第３工程とを備える。前記炭化珪素基板に注入されるイオンは、Ｓｉイオン、Ｃイオン、Ｈイオン、Ｈｅイオン、Ｐイオン、Ａｌイオン、Ｂイオン及びＮイオンからなる群から選択される少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体デバイス用の半導体積層構造を成長させるために改善されたバッファ層構造を有する基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板であって、Ｓｉ単結晶基板の（１１１）主面に形成された窒化ケイ素層を有し、この窒化ケイ素層上に順次積層されたＡｌ層とＡｌＮ結晶層またはＡｌＧａＮ結晶層とを有し、ＡｌＮ結晶層またはＡｌＧａＮ結晶層の表面は（０００１）の面方位とIII族元素極性の表面を有している。 （もっと読む）

【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を形成することができるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜の製造方法、及びその方法により形成されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶膜を含む結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶をβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上、又はβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上に形成されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、成長の間にβ−Ｇａ_２Ｏ_３結晶に一定周期で間欠的にＳｎを添加する工程を含む方法により、Ｓｎ添加β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜３を製造する。 （もっと読む）

【課題】基板のサイズを大きくしてもウェハの反りを低減できるエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】基板上に、前記基板と線膨張係数の異なるエピタキシャル多層膜が形成されたエピタキシャルウェハにおいて、前記エピタキシャル多層膜が、エピタキシャル成長時に溝部を隔てて独立して形成された複数の多層区分膜からなるものである。 （もっと読む）

【課題】下地基板を確実に支持して、安定して複数の薄板を形成する。
【解決手段】下地基板が取り付けられる被取付部１３０を有し、下地基板を着脱可能にかつ主面が融液中を潜るように下地基板を支持する支持機構と、主面上に薄板が形成されていない処理前下地基板を支持機構に取り付け、かつ、主面上に薄板が形成された処理後下地基板１００Ｂを支持機構から取り外す着脱機構１２０と、着脱機構１２０による処理後下地基板１００Ｂの取り外しと処理前下地基板の取り付けとの間に被取付部１３０を清掃する清掃機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶性の炭化アルミニウム層及び窒化ガリウム層を有する積層基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１としてサファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板の上に結晶性のＧａＮ層１０、結晶性のＡｌＣ層２０を順次積層して配置した
積層基板１００であって、炭化アルミニウムの結晶の成長条件としては、アルミニウムを含むガスとしてトリメチルアルミニウムと、炭素を含むガスとしてメタンを供給し、有機金属気相成長法により成長させる。成長温度としては７００℃以上が好ましく、さらには１１００℃以上が好ましい。 （もっと読む）

【課題】転位発生の防止と基板の反り低減を、中間層を構成する窒化物半導体層の積層数を少なくして実現できる窒化ガリウム系化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶からなる基板１と、前記基板上に形成された窒化物半導体からなる中間層２と、前記中間層上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体３からなる活性層で構成される窒化ガリウム系化合物半導体基板であって、前記中間層は、前記基板上に第一層２１と第二層２２がこの順で積層された初期バッファ層２００と、前記初期バッファ層上に第三層２３と第四層２４をこの順で複数回繰り返し積層し最後に第五層２５を積層してなる複合層２０２を複数積層した周期堆積層２０３からなる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド半導体の不純物の新しい混入状態を実現する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体は、ダイヤモンド１０とダイヤモンド１０内にドーピングされる不純物で構成される。不純物のドーピングにより、ダイヤモンド１０内に複数の高濃度ドープ領域２０が形成される。各高濃度ドープ領域２０は、ダイヤモンド１０内において空間的に局在化されており、そして、ダイヤモンド１０内において複数の高濃度ドープ領域２０が分散的に配置されている。不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域２０の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド基板上に、クラックが抑制され、かつ膜厚が厚い単結晶窒化物層を有する半導体積層構造を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板上に直接成長した窒化物層が多結晶となる上記課題を解決するため、本発明に係る半導体積層構造は、ダイヤモンド基板と、ダイヤモンド基板上の、Ｓｉを含む第１の層と、第１の層上の、単結晶窒化物で構成される第２の層とを備える。Ｓｉを含む第１の層をダイヤモンド基板と第２の層との間に設けることにより、第２の層の膜厚を大きくしても、第２の層を構成する窒化物を、クラックの抑制された単結晶とすることができる。したがって、当該半導体積層構造を利用することで、高いドレイン電流および出力電力密度を有する電界効果トランジスターを実現することが可能である。 （もっと読む）

【課題】大面積化が可能な非極性基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体基板の製造方法は、サファイア基板１０上に、ＧａＮ層１１と、Ａｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ（０＜Ｘ≦１）層１２とが交互に積層された半導体成長層２０を形成する工程と、半導体成長層２０を、半導体成長層２０の成長面と交差する方向に沿って分割することにより、ＧａＮ層１１からなる第１領域１１ａとＡｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ（０＜Ｘ≦１）層１２からなる第２領域１２ａとが縞状に配置された非極性面からなる主表面（切り出し面１００ａ）を有する半導体基板１００を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】特性を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ１ｃは、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層（０≦ｘ≦１）を含むＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ基板（０≦ｙ≦１）と、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層２０とを備える。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘは、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘよりも低い。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａの不純物濃度は、裏面１１ｂの不純物濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】オフ角度の小さな炭化珪素単結晶基板上に、高品質でドーピング密度の面内均一性に優れた炭化珪素エピタキシャル膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】オフ角度が１°以上６°以下の炭化珪素単結晶基板上に、ドーピング密度の面内均一性に優れた炭化珪素エピタキシャル膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法であり、上記エピタキシャル膜が、０．５μｍ以下のドープ層と０．１μｍ以下のノンドープ層とを繰り返し成長させており、そのエピタキシャル成長において、ドープ層を形成する場合には材料ガス中の珪素原子数に対する炭素原子数の比(C/Si比)を１．５以上２．０以下とし、その時にドーピングガスである窒素を導入してドープ層とする。ノンドープ層を形成する場合にはC/Si比を０．５以上１．５未満とする。 （もっと読む）

【課題】割れやクラックを生じることなく、複数枚の窒化物半導体自立基板を取得可能な構造を有する窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】厚さ２ｍｍ以上に同種の窒化物半導体層が積層され、且つ前記積層された同種の窒化物半導体層は、不純物濃度の低い窒化物半導体層１と不純物濃度の高い窒化物半導体層２とが交互に２周期以上積層されて構成されている窒化物半導体結晶１０を製造する。この後、積層形成された前記窒化物半導体結晶１０を、前記不純物濃度の低い窒化物半導体層１を切断位置にしてスライスする窒化物半導体自立基板。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の所定領域にアルミニウム拡散領域を設け、表面粗さを適正範囲に設定することにより、その上方に成長されるIII族窒化物半導体の結晶性を向上させることができる電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物電子デバイス用エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】シリコン基板２と、該シリコン基板上に形成した窒化アルミニウム単結晶核生成層と、該窒化アルミニウム単結晶層３上に形成した、少なくとも一組以上の超格子層４を含むバッファ構造体とを具える電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記シリコン基板の表層部には、前記窒化アルミニウム単結晶層と接する表面から基板厚さ方向に広がるアルミニウム拡散領域５が設けられ、前記シリコン基板の、前記窒化アルミニウム単結晶層と接する表面の表面粗さRaは、0.2〜１nmの範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤ変形現象を低減又は除去し、同時にゲルマニウムリッチナノワイヤを製造する実行容易な方法を提供する。
【解決手段】基板２は、第１シリコン層３と、第１及び第２固定領域と少なくとも１つの接続領域を含む３次元パターンを形成するシリコンゲルマニウム合金系材料からなるターゲット層１を備える。第１シリコン層３は引張応力がかかり、及び／又は、ターゲット層１は炭素原子を含む。第１シリコン層３は接続領域において除去される。接続領域のターゲット層１は、ナノワイヤ８を形成するために熱酸化される。第１シリコン層３の格子パラメータは、第１シリコン層３の除去後、サスペンデッドビームを構成する材料の格子パラメータと同一である。 （もっと読む）

【課題】導電性SiC単結晶基板上のIII族窒化物電子デバイスにおいて、縦方向耐圧を向上させることができる電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電性SiC単結晶基板２と、該SiC単結晶基板上に形成した絶縁層としてのバッファ３と、該バッファ上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した主積層体４とを具え、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記バッファは、B_a1Al_b1Ga_c1In_d1N(0≦a₁≦1,0＜b₁≦1,0≦c₁≦1,0≦d₁≦1,a₁+b₁+c₁+d₁=1)材料からなり、初期成長層５と、バンドギャップの異なる２層を交互に積層した超格子多層構造からなる。超格子積層体６、または、前記主積層体の前記バッファ側の部分の少なくとも一方は、Ｃ濃度が１×10¹⁸/cm³以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性層でのクラック発生が抑制され、かつ、転位密度の低減等の結晶性の向上を図りつつ、窒化物半導体の厚膜化に伴う反りも抑制された、製造効率に優れたバッファ構造を備えた窒化物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１と、厚さ２〜１０ｎｍのＡｌ_aＧａ_1-aＮ（０．９≦ａ≦１．０）単結晶層３１および厚さ１０〜３０ｎｍのＡｌ_bＧａ_1-bＮ（０≦ｂ≦０．１）単結晶層３２が交互に繰り返し積層された第１の多層バッファ領域３と、厚さ２〜１０ｎｍのＡｌ_cＧａ_1-cＮ（０．９≦ｃ≦１．０）単結晶層４１および厚さ２００〜５００ｎｍのＡｌ_dＧａ_1-dＮ（０≦ｄ≦０．１）単結晶層４２が交互に繰り返し積層された第２の多層バッファ領域４と、ＧａＮ単結晶層５と、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ＜１）単結晶層６とを備えた構成の窒化物半導体エピタキシャル基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】内部電界が小さくかつ平坦性の優れたエピタキシャル基板およびこれを用いたデバイスを提供する。
【解決手段】Ｒ面に対する基材１の表面の傾角を、基材１の表面がＣ面から遠ざかる場合に正の値をとり、基材１の表面がＣ面に近づく場合に負の値をとるように定義するとき、基材１の表面の傾角が−２５°以上−１５°以下であるサファイア単結晶基材１を準備し、サファイア単結晶基材１の上に、ＭＯＣＶＤ法によって、ａ軸方向がサファイア単結晶基材１のｒ軸方向に略平行であるＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１．０）からなる基板表面層を形成することにより、エピタキシャル基板を得る。 （もっと読む）

【課題】表層に到達する転位の密度を、簡便かつ効果的に低減することができるＧａＮ系化合物半導体基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の主面上に形成される緩衝層２０と、緩衝層２０上に形成されるＧａＮ系半導体単結晶の活性層３０とを備え、基板１０の主面に平行な任意の方向に屈曲する屈曲転位が活性層３０内における緩衝層２０と活性層３０との界面近傍に存在することを特徴とするＧａＮ系半導体基板。 （もっと読む）

【課題】転位が抑制されて特性に優れ、製造が容易で安価なＩＩＩ族窒化物基板を提供する。
【解決手段】基板２上に多層膜層３を形成するＩＩＩ族窒化物基板１であって、多層膜層３は、ＩＩＩ族窒化物からなる膜層を複数重ねる複数膜層５と、この複数膜層５の表面に形成するＩＩＩ族窒化物層６を備え、複数膜層５は、表面に凹凸を有する膜を複数積層してなる第１の層５ａと、この第１の層５ａの表面に形成し、表面が平坦な膜を複数積層してなる第２の層５ｂを備える。 （もっと読む）