【課題】デバイス化の工程で割れが発生することを抑制することが可能なIII族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のIII族窒化物エピタキシャル基板１０は、Ｓｉ基板１１と、該Ｓｉ基板１１と接する初期層１４と、該初期層１４上に形成され、Ａｌ組成比が０．５超え１以下のＡｌＧａＮからなる第１層１５Ａ１（１５Ｂ１）およびＡｌ組成比が０超え０．５以下のＡｌＧａＮからなる第２層１５Ａ２（１５Ｂ２）を順次有する積層体を複数組有する超格子積層体１５と、を有し、前記第２層のＡｌ組成比が、前記基板から離れるほど漸減することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの基板上に形成した高品質な結晶を有するウェーハ、結晶成長方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板と、ベース層と、下地層と、中間層と、機能部と、を備えたウェーハが提供される。前記ベース層は、前記基板の主面上に設けられシリコン化合物を含む。前記下地層は、前記ベース層の上に設けられＧａＮを含む。前記中間層は、前記下地層の上に設けられＡｌＮを含む層を含む。前記機能部は、前記中間層の上に設けられ窒化物半導体を含む。前記下地層の前記ベース層の側の第１領域におけるシリコン原子の濃度は、前記下地層のうちの前記中間層の側の第２領域におけるシリコン原子の濃度よりも高い。前記下地層は、前記第１領域に設けられた複数の空隙を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の所定領域にアルミニウム拡散領域を設け、表面粗さを適正範囲に設定することにより、その上方に成長されるIII族窒化物半導体の結晶性を向上させることができる電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物電子デバイス用エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】シリコン基板２と、該シリコン基板上に形成した窒化アルミニウム単結晶核生成層と、該窒化アルミニウム単結晶層３上に形成した、少なくとも一組以上の超格子層４を含むバッファ構造体とを具える電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記シリコン基板の表層部には、前記窒化アルミニウム単結晶層と接する表面から基板厚さ方向に広がるアルミニウム拡散領域５が設けられ、前記シリコン基板の、前記窒化アルミニウム単結晶層と接する表面の表面粗さRaは、0.2〜１nmの範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高誘電率のセラミックス粒子と低誘電率のポリマーで構成されるフィルムキャパシタにおいて、セラミックス粒子の代わりに、比誘電率が1桁以上も高いと予測できる新規な構造の人工超格子ナノ粒子を提供する。
【解決手段】２種類以上の化学組成の異なる酸化物を溶液中で、化学組成の異なる粒子上にエピタキシャルに成長させることにより、球状の核の同心円上に化学組成の異なる酸化物の２種類以上を交互に積層し、球状とした人工超格子ナノ粒子であり、前記酸化物はチタン酸バリウム、またはチタン酸ストロンチウムを含み、前記酸化物のチタン源として、ジイソプロポキシドジアセチルアセトナート（Ti(iPrO)2(AcAc)2、TPA）を用いる。 （もっと読む）

【課題】常温で磁性と強誘電性とを同時に示す超格子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも２種類の強誘電性酸化物薄膜が積層されてなり、各層の前記酸化物薄膜が奇数枚の原子層からなる常温磁性強誘電性超格子とする。 （もっと読む）

【課題】表面平坦性の優れたＡｌＧａＮ結晶層を作製する方法を提供する。
【解決手段】Ｃ面サファイア単結晶基材１ａの上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮからなる表面層１ｂをエピタキシャル形成した後、該積層体を１３００℃以上の温度で加熱することで、面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板を得る。該テンプレート基板上に、ＭＯＣＶＤ法によって、１０００℃よりも高い形成温度で、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）なる組成式で表されるIII族窒化物からなる第１単位層２ａとＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ≦１かつｙ≠ｘ）なる組成式で表されるIII族窒化物からなる第２単位層２ｂとを交互に繰り返し積層することによって、超格子構造を有するようにＡｌＧａＮ層２を形成する。これにより、表面が実質的に原子レベルで平坦なＡｌＧａＮ層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に、無極性面である（１１−２０）面の窒化物半導体膜が厚さ１μｍ以上で形成され、発光デバイスにも好適に用いることができる窒化物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１０）基板上に、ＳｉＣ（１１０）またはＢＰ（１１０）のいずれか１種以上からなるバッファー層およびＡｌＮ（１１−２０）バッファー層を介して、ＧａＮ（１１−２０）、ＡｌＮ（１１−２０）またはＩｎＮ（１１−２０）からなる単結晶膜、あるいはまた、ＧａＮ（１１−２０）およびＡｌＮ（１１−２０）の超格子構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】導電窒化タンタル膜を制御可能に形成する方法を提供すること。
【解決手段】タンタルソース物質、水素のプラズマ励起種、及び窒素ソース物質の交互的パルスを順に、反応空間内で基板と接触させるステップを含む。水素のプラズマ励起種はタンタルの酸化状態を低減し、それによって、基板上に実質的に導電性の窒化タンタル膜を形成する。いくつかの実施の形態では、水素のプラズマ励起種は、形成された金属の膜の中のハロゲン化残留物と反応し、該残留物を除去する。 （もっと読む）

【課題】情報保存容量の超高密度化及び長期的な情報保存が可能な強誘電体保存媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】相異なる分極特性を有する酸化物の単位原子層を積層して、積層（垂直）方向への特定イオンの規則的な配列を通して人工格子の単位構造（スーパーセル）の結晶構造及び対称性を調節することによって異方性（anisotropic）の大きなスーパーセルを形成する。スーパーセル自体が単一分極を有する一つのブロックとして垂直方向に上下２方向にのみ電気分極が発現されるようにし、かかる特徴を有するスーパーセルブロックからなる酸化物人工格子を製造する。酸化物人工格子が１８０°ドメイン構造のみを有するようにすることで、異方性の大きな単一の分域（ドメイン）をナノスケールに形成することができ、情報保存容量の超高密度化及び長期的な情報保存が可能となる。 （もっと読む）

【課題】優れた界面特性と均一性が具現できる超格子半導体構造の製造方法を提供する。
【解決手段】この超格子半導体構造は、工程チャンバ１７０内のサセプター１３０上に基板１０１を搭載する段階Ｓ１と；上記工程チャンバ内の上記サセプター上に互いに異なる領域に第１ソースと第２ソースガスＡ、Ｂを同時に供給し、互いに分離された第１ソースガス領域１３４と第２ソースガス領域１３６を形成する段階Ｓ３と；上記サセプターの回転によって上記基板が公転する間に、上記基板が上記第１ソースガス領域と上記第２ソースガス領域を通過する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に低温緩衝層を介してＧａＮ系III族窒化物半導体層を形成しようとしても、画一的な配向性を有するＧａＮ系半導体層を充分に安定してもたらすことができない問題点を解決する窒化ガリウム系半導体積層構造体、その製造方法、及びそれを用いた化合物半導体素子、発光素子を提案する。
【解決手段】本発明では、サファイア基板１００上に設ける、基板１００と接合する領域に単結晶層を備えた低温緩衝層１０１にあって、その単結晶層を、サファイアのａ軸に[２．−１．−１．０．]方位を平行にして画一的な方向に配向したＡｌをＧａに比べて富裕に含む六方晶のＡｌ_XＧａ_YＮ（０．５＜Ｘ≦１、Ｘ＋Ｙ＝１）単結晶から構成する、ことを特徴としている。 （もっと読む）