【課題】単結晶成長表面と原料表面との温度差をより一層増加可能で、長時間に亘る成長でも、成長速度が落ちることなく結晶成長を行うことが可能な化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】成長容器１内の一端側に種結晶９を、他端側に原料６を配置し、原料６を昇華させて単結晶５を製造する製造装置１００であって、加熱炉４と、成長容器１の周囲に配置され加熱炉４内を低温区画１７と高温区画１８に仕切る熱遮蔽部材１２と、高温区画内１８にあって成長容器１の他端側の周囲に配置される原料加熱手段３と、成長容器１を支持した状態で移動可能な支持部２とを備え、支持部２は単結晶５を成長させるときに、単結晶成長部１５が低温区画１７に存在し、原料部１６が高温区画１８に存在するように、低温区画１７側に成長容器１を移動可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶成長面内の温度分布のバラつきを低減し、良好な結晶性を有する単結晶を提供可能な単結晶の製造装置、および単結晶の製造方法の提供。
【解決手段】本発明の単結晶の製造装置２０は、単結晶の原料６を配置する原料配置部４ａ及び種結晶５を原料６に対して対向配置する種結晶配置部７ａを有する成長容器１０と、成長容器１０を加熱する加熱手段８とを備え、成長容器１０は、その内部空間Ｓにおける縦断面の形状が矩形状であり、前記矩形状の縦断面における長辺と短辺のアスペクト比（長辺寸法／短辺寸法）が２よりも大きく、種結晶配置部７ａは、成長容器１０の内部空間Ｓを前記長辺方向に３等分に区画したとき、中央の区画に配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置構成がシンプルであり、メンテナンス性にも優れ、しかも高品質なアルミニウム系III族窒化物単結晶を高生産性で製造することができるハイドライド気相エピタキシー装置を提供する。
【解決手段】III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応させて目的とするアルミニウム系III族窒化物単結晶を成長させる反応ゾーンを有する反応器本体２０と、III族ハロゲン化物ガスを作り出すためにIII族元素の単体４６とハロゲン原料ガスとを加熱下で反応させてIII族ハロゲン化物ガスを発生させるIII族源ガス発生部４０と、III族源ガス発生部で製造されたIII族ハロゲン化物ガスを、反応器本体の反応ゾーン２２へ供給するIII族ハロゲン化物ガス導入管５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】製造する単結晶の直径及び方位毎の適切な操業発振周波数を決定することにより、良好な抵抗率バラツキの単結晶を安定して製造する単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】高周波発振器から高周波電圧が供給される誘導加熱コイルで原料結晶を部分的に加熱溶融して浮遊帯域を形成し、該浮遊帯域を移動させて単結晶を製造するＦＺ法（フローティングゾーン法又は浮遊帯溶融法）による単結晶製造方法であって、予め、前記製造する単結晶と同一直径及び同一方位を有する単結晶に関して、供給する高周波電圧の発振周波数を変化させた場合の発振周波数毎の抵抗率バラツキを調べ、該発振周波数と抵抗率バラツキの関係に応じて前記製造する単結晶の直径及び方位毎の操業発振周波数を決定し、該決定した操業発振周波数に合わせて前記高周波発振器の調整を行い、該調整した高周波発振器を使用して単結晶を製造することを特徴とする単結晶製造方法。 （もっと読む）

【課題】排出経路の詰まりを更に抑制し、かつ、ＳｉＣ単結晶の成長表面の保温や形状制御を行い易くすることができるＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器７と成長結晶引上保温ガイド１０との間に隙間を設け、この隙間を通じて原料ガス３のうちの未反応ガスが外側に排出されるようにする。つまり、台座９の外周を通過して真空容器６の上方から未反応ガスを排出する形態ではなく、台座９の下方においてＳｉＣ単結晶２０の径方向外側に向かって未反応ガスを排出する形態とする。このため、台座９の外周を通過する場合と比較して、排出経路の幅を広くすることが可能になり、排出経路の詰まりを更に抑制することが可能になる。また、台座９の外周の排出経路の詰まりを見込む必要がないため、第２加熱装置１４の制御に基づいてＳｉＣ単結晶２０の成長表面の保温や形状制御を行うことが容易となる。 （もっと読む）

【課題】成長する単結晶に熱を供給するためのリング形状の抵抗ヒータを提供する。
【解決手段】抵抗ヒータは、上部リング１と下部リング２とを含み、上部リング１と下部リング２とは、これらのリングを通って導電される電流の流れ方向がこれらのリングにおいて反対であるように、下部リング２のリングギャップに隣接するループ部により電気的に導電的に接続される。上記抵抗ヒータはさらに、上部リング１と下部リング２とをある距離にて一緒に保持する接続要素１８と、上部リング１および下部リング２を通って電流を導電するための電流リード１１，１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶を安定して成長させることができる分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】原料を放出する開口１１ａを有する坩堝１１と、坩堝１１の外周及び開口１１ａの縁を覆う遮蔽部材１８と、遮蔽部材１８を冷却する冷却部材２１と、坩堝１１に対向するように基板を保持する基板保持部材と、が設けられている。遮蔽部材１８には、鉛直上方から坩堝１１を覆う被覆部１９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】MoO3等の揮発性の高い材料を用いた場合であっても、均一な組成の分布を有する単結晶を安定的に得ることを可能とする単結晶の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝１１の内部に前記原材料融液８の原材料７を充填すると共に、前記原材料融液８に先端部が浸漬可能な突起を有する蓋１７により前記坩堝１１の開口１１ｂを閉鎖し、前記原材料７を加熱溶融して前記原材料融液８を得ると共に前記原材料融液８の前記坩堝１１内における液面の位置を検出し、前記蓋１１を加熱すると共に、蓋移動手段２１によって前記蓋１１と前記液面との間隔を所定値とし、前記貫通孔１１ａから漏出した前記原材料融液８に前記シードを接触させて前記シードを前記所定の引下げ軸に沿って引下げる工程を有し、前記間隔は前記引き下げる工程に置いて前記所定値を維持されることを特徴とする単結晶製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガイドに多結晶が付着することを抑制することができるＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器９には、中空部９ｂを構成する側部９ｄに当該反応容器９の中心軸に沿った導入通路９ｃを形成する。ガイド１０には、内部が空洞とされて空洞部１０ｃを構成すると共に空洞部１０ｃを導入通路９ｃと連通する連通孔１０ｄを形成し、筒部１０ａの内周壁面に空洞部１０ｃと中空部９ｂとを連通する第１出口孔１０ｅを形成する。そして、導入通路９ｃおよび空洞部１０ｃを介して第１出口孔１０ｅから不活性ガス１６またはエッチングガスを中空部９ｂに導入する。 （もっと読む）

【課題】水冷チャンバ内の冷却に要する時間を短縮し、生産効率を向上させること。
【解決手段】上方に向けて開口すると共に、内部に原料多結晶シリコンＭが貯留される坩堝２と、坩堝内に貯留された原料多結晶シリコンを加熱するヒータ部３と、坩堝及びヒータ部が径方向の内側に配置された保温筒部４と、坩堝、ヒータ部及び保温筒部を内部に収容する水冷チャンバ５と、を備え、チョクラルスキー法によって原料多結晶シリコンから単結晶シリコンを製造する装置であって、保温筒部の少なくとも一部を保温筒部の軸Ｏ方向に沿って移動させる移動機構１２を備えている単結晶シリコン製造装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法（フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法）により大口径の単結晶を製造する場合であっても、誘導加熱コイルのスリットにおいて生じる放電を効果的に防止できる絶縁部材及び該絶縁部材がスリットに挿入された誘導加熱コイルを有し、高い単結晶化率で安定して高品質の単結晶を製造することのできる単結晶製造装置並びに該単結晶製造装置を用いた単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＺ法による単結晶製造装置に具備される誘導加熱コイル７の両コイル端部１３を互いに分離するスリット１４に挿入され、該スリット１４において生じる放電を防止するための絶縁部材１６であって、少なくとも、該絶縁部材１６の、前記スリット１４に挿入された際に前記コイル端部１３と対向する表面上に、１以上の溝１７が形成されたものであることを特徴とする絶縁部材。 （もっと読む）

【課題】製造される単結晶の中心部と外周部における温度差を小さくし、単結晶成長時における固液界面深さを小さくすることで有転位化の発生を抑止できる複巻誘導加熱コイル及び該複巻誘導加熱コイルを有する単結晶製造装置並びに該単結晶製造装置が用いられる単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＺ法において、原料結晶棒を加熱して浮遊帯域を形成するために用いられる複巻誘導加熱コイル７であって、外側に位置するコイル１４の方が、内側に位置するコイル１３よりも電気抵抗率が小さいものを有することを特徴とする複巻誘導加熱コイル７。 （もっと読む）

【課題】アルミナ等の高融点物質の、精製、及び緻密で均一なブロックの製造方法を提供する。
【解決手段】ブロック１１には、所定の直径、及び円筒形等の形態を持たせることが可能である。基板１２はプラズマトーチ８の下に置かれ、アルミナ粒子又は他の高融点物質は、プラズマトーチ８によって加熱溶融される。これは、垂直軸に沿う回転、水平軸に沿う前後運動、及び垂直軸に沿う引き下ろし運動を包含する三つの独立した方向に動いている基板１２上に堆積する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、単結晶製造装置及び単結晶製造方法に係り、誘導加熱コイルのコイル上面側とコイル下面側とで最適な磁界を形成することにある。
【解決手段】上面側コイル２４ａと下面側コイル２４ｂとにより構成され、シリコン単結晶３２を成長させるべくシリコン原料棒１２を加熱溶融する誘導加熱コイル２４と、上面側コイル２４ａ及び下面側コイル２４ｂに、それぞれ独立した高周波電流を供給する電流供給手段と、を設ける。そして、誘導加熱コイル２４の上面側コイル２４ａ及び下面側コイル２４ｂにそれぞれ独立した高周波電流を供給することにより、シリコン原料棒１２を加熱溶融してシリコン単結晶３２を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法によるシリコン単結晶引き上げ装置において、生じる可燃性の粉塵を処理可能な排気システム及び粉塵の処理方法を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置に接続された排気管路と、前記排気管路を通して前記引き上げ装置に供給された不活性ガスを吸引する真空ポンプと、前記真空ポンプの手前で前記排気管路に配置され、前記真空ポンプによって排気されるガスを手前で処理するフィルタと、を備えた単結晶引き上げ装置の排気システムであって、前記フィルタは雰囲気ガスの成分に応じて加熱可能なヒータを備えることを特徴とする。これにより、未燃焼の可燃性の粉塵を十分に処理することができる。 （もっと読む）

【課題】融液表面における固化や有転位化を生じさせることなく冷却筒の冷却能力を向上させ、無欠陥の単結晶製造時における引上げ速度を高速度とし、それによって単結晶の生産性及び歩留まりを向上させ、かつ消費電力を抑制することができる単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、原料融液４を収容するルツボ２、前記原料融液４を加熱するヒーター３、冷却媒体によって強制冷却される冷却筒１６及びこれらを収容する冷却チャンバー１２ａを有する単結晶製造装置１であって、前記原料融液４と引上げ中の単結晶５との界面近傍において、前記引上げ中の単結晶５を囲繞するように、断熱材を有する遮熱部材１５が配置され、該遮熱部材１５の上方に、前記引上げ中の単結晶５を囲繞するように前記冷却筒１６が配置され、該冷却筒１６を囲繞するように、前記冷却筒外周との間に空隙を設けて冷却筒外周断熱材１４が配置された単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】 副誘導加熱コイルの絶縁部材が主誘導加熱コイルの溝に入り込み、両コイルの絶縁が弱くなるか又は無くなり火花放電の発生、また副誘導加熱コイルとの接触における誘導加熱コイルの電流回路の異常による誘導加熱コイルと浮遊帯域への火花放電が発生するという問題が生じた。
【解決手段】 半導体棒の浮遊帯域周辺を囲繞するように配置され、コイル１巻きごとの間に溝を有する主誘導加熱コイルと、浮遊帯域を囲繞する内径空間を跨ぐように弧状部位を形成した副誘導加熱コイルとを有し、両コイルが内径空間の中心に向かって相対的に前後動することにより、浮遊帯域の内径空間が可変するように構成された半導体単結晶製造装置において、両コイルの間に絶縁部材が設けられ、該絶縁部材は板状であるかまたは２以上具備されることによって、常に全ての絶縁部材が溝の位置に同時にくることが無いように設けられたものであることを特徴とする半導体単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することができる窒化アルミニウム単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】成長容器２内にガス導入部２ｆを経て窒素ガスを導入するとともに成長容器２内のガスをガス排出部２ｅを経て排出させながら、成長容器２内に収容した窒化アルミニウムからなる原料１を昇華させ、成長容器２内の種結晶１０から結晶１２を成長させて窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法において、ガス排出部２ｅの温度を、結晶１２の先端部の温度よりも高くすることを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶製造装置を大型化せずに単結晶の製造効率を向上させることができる単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】ルツボ８内に収容した昇華性の原料６の表面６ａ上に熱伝導体１１Ａを配置する熱伝導体配置工程と、ルツボ８及び熱伝導体１１Ａを加熱して原料６を昇華させ、熱伝導体１１Ａを下降させながら、昇華した原料６のガスを、ルツボ８を密閉する蓋体９に固定した種結晶１０に付着させて再結晶させ、単結晶１５を成長させる成長工程とを含む単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】冷却水路の酸化を抑制可能なＦＺ（浮遊帯域溶融）法によるシリコン単結晶製造装置、シリコン単結晶の製造方法及び誘導加熱コイルの加工方法を提供する。
【解決手段】ＦＺ法によるシリコン単結晶の成長を行う反応炉と、反応炉内に収容され、シリコン単結晶の原料となる原料シリコン素材を保持する原料保持具と、反応炉内に収容され、原料シリコン素材を部分的に加熱して溶融帯を形成し、溶融帯を凝固させてシリコン単結晶の成長を行う誘導加熱コイル４と、を備え、誘導加熱コイル４は、誘導加熱コイル４を冷却する冷却水が流通し、冷却水による酸化を防止する被膜４５が形成された冷却水路４４を誘導加熱コイル４の内部に有する。 （もっと読む）