【課題】反応容器の変形を抑制しながら、高品質な窒化物結晶を製造すること。
【解決手段】反応容器に原料と第一溶媒とを充填して密閉した後、該反応容器を耐圧性容器内に設置し、さらに該耐圧性容器の内壁と該反応容器の外壁の間の空隙に第二溶媒を充填して前記耐圧性容器を密閉した後、該反応容器中で超臨界および／または超亜臨界状態において結晶成長を行う窒化物結晶の製造方法において、前記反応容器の内部短軸長（ＩＤ［Ｃ］）と、前記耐圧性容器の内部短軸長（ＩＤ［Ａ］）との比（ＩＤ［Ｃ］／ＩＤ［Ａ］）を０．６０〜０．９８とするか、前記反応容器内の自由容積（ＩＶ）と、前記耐圧性容器の内壁と前記反応容器の外壁の間の空隙における自由容積（ＯＶ）との比（ＩＶ／ＯＶ）を０．２０〜４０とする。 （もっと読む）

【課題】種晶の入れ替えにかかる時間を顕著に短縮し、生産性を向上し、更に繰り返し的な冷却及び再加熱による変形及び寿命減少を防止すること。
【解決手段】本発明のサファイア単結晶成長装置は、アルミナを収納しアルミナが溶融される第１チャンバーであって上面に挿入口が形成されている第１チャンバーと、第１チャンバーの挿入口と連通するように第１チャンバーの上部に設けられた第２チャンバーと、第２チャンバーを通過して第１チャンバー内に下降するか、または第１チャンバーから上昇する種晶ロッドであって終端に種晶が設けられた種晶ロッドと、第２チャンバーの下端に設けられ挿入口を開閉するチャンバー遮断部とを含み、種晶の入れ替えのために種晶ロッドの終端が上昇し第２チャンバーの内部に収納されれば、チャンバー遮断部は、挿入口を閉鎖することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理物収容部から被処理物を投入可能な状態のままで被処理物通路の出口端を移動させることが容易で作業性の良い被処理物投入装置用のパイプユニットを提供する。
【解決手段】被処理物を収容する被処理物収容部と、被処理物が気密状態で通過して出口端１２ａから処理装置に投入可能な被処理物通路１２と、前記被処理物収容部から前記被処理物通路１２へと被処理物を気密状態で取り出し可能な被処理物取出機構と、前記被処理物通路１２の処理装置側と被処理物収容部側とを遮断可能な閉鎖部１４と、前記被処理物通路１２のうちで前記閉鎖部１４よりも被処理物収容部側の位置にて、前記被処理物通路を分離及び接合可能なジョイント部１５とが設けられた被処理物投入装置に用いられ、前記被処理物通路１２の一部を構成するもので、被処理物の入口となるパイプ入口端と、同出口となるもので、前記被処理物通路の出口端と一致するパイプ出口端とを有し、前記パイプ入口端の位置を固定したままで伸縮可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。
【解決手段】
具体的には、この方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応器内の隔離弁取付具上の不要な材料の形成を実質的に防止することに関する。特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ₃及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】育成容器内で窒化物単結晶を育成するのに際して、単結晶成長に直接必要な時間以外の時間を削減し、単結晶を効率よく育成する単結晶育成装置を提供することである。
【解決手段】窒化物単結晶育成装置は、予熱ゾーン３、結晶育成ゾーン４および冷却ゾーン５を備えている主部、予熱ゾーン３の上流側に設けられた第一の圧力調整室２Ａ、予熱ゾーンと第一の圧力調整室との間に設けられた第一の耐圧仕切り弁９Ａ、冷却ゾーン５の下流側に設けられた第二の圧力調整室２Ｂ、冷却ゾーンと第二の圧力調整室との間に設けられた第二の耐圧仕切り弁９Ｂ、主部内を加熱するマルチゾーンヒーター、および第一の圧力調整室から主部を通って第二の圧力調整室まで育成容器を移送する移送機構を備えている。 （もっと読む）

【課題】フラックスおよび原料を含む融液中で結晶を成長させるのに際して、結晶の成長レートを向上させ、高品質で大きな結晶を短時間で育成できるようにすることである。
【解決手段】融液２７を収容し、過飽和状態に保持することによって、窒化物結晶１４を成長させる育成容器２；融液６を加熱して未飽和状態で保持することによって、融液中に窒素を溶解させる第一の窒素溶解容器１；融液２８を加熱して未飽和状態で保持することによって、融液中に窒素を溶解させる第二の窒素溶解容器３；育成容器２と第一の窒素溶解容器１とを連結し、育成容器内の融液と第一の窒素溶解容器内の融液とを連通させる第一の連結部４；および育成容器２と第二の窒素溶解容器３とを連結し、育成容器内の融液と第二の窒素溶解容器内の融液とを連通させる第二の連結部５を使用する。結晶育成時に、育成容器、第一の窒素溶解容器、第二の窒素溶解容器、第一の連結部および第二の連結部を動かす。 （もっと読む）

【解決手段】 成長させたゲルマニウム結晶のマイクロピット空隙密度を低減する特徴を持つ結晶成長用のシステムおよび方法を開示する。一実施例によると、加熱源を有する炉に原材料を持つアンプルを挿入する段階と、原材料／るつぼと相対的に結晶化温度勾配を移動させて原材料を融解させる垂直成長プロセスを用いて結晶を成長させる段階と、結晶成長が所定の長さに到達すると、原材料を成長させて単結晶質の結晶を形成する段階とを備え、マイクロピット密度が低くなった単結晶インゴットを繰り返し提供する方法が提供される。 （もっと読む）

本発明は、サファイア単結晶成長方法とその装置に関し、より詳細には矩形の長い坩堝を使って、ｃ−軸方向に長い種晶を使うに当たり、短い時間内に高品質の長い単結晶を獲得できるサファイア単結晶成長方法とその装置に関する。本発明に係るサファイア単結晶成長方法及びその装置を利用すると、矩形の坩堝を利用しても坩堝内部の水平方向の温度を均一に維持できて、高品質の単結晶を獲得できるだけでなく、単結晶成長において失敗率を低くする効果がある。
（もっと読む）

【課題】高純度のＡｌＮ単結晶を成長させることができるとともにＡｌＮ単結晶の成長ごとの成長速度のばらつきを低減することができるＡｌＮ単結晶の成長方法およびその方法により得られたＡｌＮ単結晶を提供する。
【解決手段】成長室３の内部に設置したＡｌＮ多結晶原料１１を加熱して昇華させ、成長室３の内部の種結晶１２の表面上にＡｌＮ単結晶を成長させるＡｌＮ単結晶の成長方法において、成長室３の内部のＡｌＮ多結晶原料１１の温度におけるＡｌＮの化学量論組成の窒素分圧よりも成長室の外部の窒素分圧を高くし、成長室３の内部と外部のガスの交換を可能とする開口部４を成長室３に設けるとともに、遷移金属および炭素からなる群から選択された少なくとも１種を含むガスを生成するガス生成室を成長室３とは別に設けてガス生成室を成長室３に連結させ、ガス生成室からのガスを成長室３に導入しながらＡｌＮ単結晶を成長させる。 （もっと読む）

モールドシートに亘って圧力差が適用され、半導体ウエハ（例えばシリコン）がその上に形成される。圧力差の緩和がウエハを取り外すことを可能にする。モールドシートは、メルトよりも冷たい。熱は、形成ウエハの厚み方向のみに拡散される。液固界面はモールドシートにほぼ平行である。凝固体の温度は幅方向に亘ってほぼ均一であり、その結果、低ストレス及び転位密度並びに高品質の結晶性を提供する。モールドシートは、それを通過するガス粒を可能にする必要がある。水平、垂直又はその中間のいずれかのメルト頂部への全領域接触、モールドシートへのメルトの部分領域横断、並びに、モールドのメルトへのディッピングによって、メルトがシートに導入されうる。多くの手段によって粒サイズを制御可能である。 （もっと読む）

【課題】改良された予備加熱機構を用いてシリコン原料を予備加熱した後、誘導加熱によってシリコン原料を溶解させる。
【解決手段】シリコン原料２を収容する溶解容器１１と、シリコン原料２を取り囲む筒状の予備加熱機構１４と、予備加熱機構１４の周囲に巻回された誘導コイル１２と、誘導コイル１２に交流電流を供給する電源回路１３と、予備加熱機構の着脱を行う着脱機構１５とを備えている。そして、予備加熱機構１４を取り付けた状態で誘導コイル１２に交流電流を流すことによりシリコン原料２を予備加熱した後、予備加熱機構１４を取り外した状態で誘導コイル１２に交流電流を流すことにより、予備加熱されたシリコン原料２を誘導加熱する。これにより、シリコン原料２を誘導加熱する前に効率よく予備加熱を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】溶液法によりＳｉＣ単結晶を製造する際に、結晶多形の生成を防止乃至は抑制することが可能であるＳｉＣ単結晶の製造装置およびＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】溶液成長炉内のＳｉを含む融液３の液面にＳｉＣ種結晶８を接触させてＳｉＣ結晶成長を行うＳｉＣ単結晶の製造装置１において、ＳｉＣ種結晶基板８をＳｉを含む融液３に接触させる直前まで、ＳｉＣ種結晶基板８が融液３の蒸気に触れないための保護機構２を設けてなるＳｉＣ単結晶の製造装置１、およびＳｉＣ種結晶基板８をＳｉを含む融液３に接触させる直前まで、ＳｉＣ種結晶基板８が融液３の蒸気に触れさせないように保護することによって、溶液成長炉内のＳｉを含む融液３の液面にＳｉＣ種結晶８を接触させてＳｉＣ結晶成長を行うＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】小型でありながら、昇華性ドーパントを収容する試料管の位置を容易に修正可能な昇降手段を有するシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引き上げるシリコン単結晶引上装置であって、引上炉２と、引上炉に外付けされ昇華性ドーパント２３を収容する試料室２０と、引上炉の内部と試料室２０の内部とを熱的に遮断する遮蔽手段２４と、試料室２０の内部と引上炉の内部との間を昇降可能な試料管２１と、試料管２１が摺動可能なガイドレール２５ｂ（２５ｃ、２５ｄ）及びガイドレール２５ｂに沿って試料管２１を昇降させるワイヤ機構２５ａを備える昇降手段２５と、を含む。 （もっと読む）

【課題】試料管と供給管とを接続する接続手段の密閉性を高め、昇華性ドーパントが接続手段から漏れることを防止するシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引上装置は、引上炉２と、昇華性ドーパント２３を収容する試料室２０と、試料室２０の内部と引上炉の内部との間を昇降可能な試料管２１と、試料管２１を昇降させる昇降手段２５と、引上炉の内部に設けられ、昇華性ドーパント２３を融液に供給する供給管２２と、試料管２１と供給管２２とを接合する接合手段と、を含む。接合手段は、試料管２１の一端から突出する凸部２１１と、供給管２２の一端に設けられ凸部２１１が嵌合可能に形成された凹部２２１と、からなり、凸部２１１と凹部２２１との接触面が曲面となるように形成されるボールジョイント構造により構成され、試料管２１と供給管２２との間には、流路が形成される。 （もっと読む）

【課題】連続チャージＣＺ法（チョクラルスキー法）を用いたシリコン単結晶の育成方法において、転位のない長尺の単結晶を育成することができる方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、単結晶引き上げ用の石英坩堝２でシリコン単結晶１１を育成しながら、シリコン原料融解用の石英坩堝２１で固体シリコン原料を融解し、このシリコン融液３０を単結晶引き上げ用の石英坩堝２に供給するシリコン単結晶の育成方法において、シリコン原料融解用の石英坩堝２１に収容するシリコン融液３０にバリウム化合物を添加、または、シリコン原料融解用の石英坩堝２１から単結晶引き上げ用の石英坩堝２にシリコン融液を導く石英管２７、およびシリコン原料融解用の石英坩堝２１のうちの少なくとも一方の内表面にバリウム化合物を塗布する。 （もっと読む）

【課題】相対的に小さい石英坩堝を用いて大口径のシリコン単結晶の引き上げが可能なシリコン単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造装置において、シリコン単結晶４を引き上げる、シリコン融液３を収容する石英坩堝１と、石英坩堝１の外部に配置され、石英坩堝１中にシリコン融液２３を供給する融液供給部２０とを備えるものとする。そして、石英坩堝１の直径を９１４ｍｍ以上１１１８ｍｍ以下とし、シリコン単結晶の直径を４５０ｍｍとする。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の直胴部の前半部までが形成される時間の長短によることなく、昇華性ドーパントが確実に添加された、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶を成長することができるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により融液５からシリコン単結晶６を引上げるシリコン単結晶引上装置１であって、引上炉２と、引上炉２に外付けされており昇華性ドーパントを収容する試料室２０と、引上炉２と試料室２０とを熱的に遮断する遮蔽機構２４と、遮蔽機構２４の遮断を解除した後に昇華性ドーパントを融液５に供給する供給手段と、を含む。 （もっと読む）

【課題】優れた配向性および表面平坦性を確保しつつ、成膜速度を上昇させることが可能なＣｅＯ_２薄膜の製造方法、ＣｅＯ_２薄膜およびＣｅＯ_２薄膜の製造装置を提供する。
【解決手段】ＣｅＯ_２薄膜の製造方法は、配向性金属基板を準備する基板準備工程と、配向性金属基板上にＣｅＯ_２膜を形成する成膜工程とを備えている。そして、成膜工程におけるＣｅＯ_２膜の成膜速度は３０ｎｍ／分以上であり、成膜工程における、配向性金属基板の温度は７５０℃以上１１００℃以下である。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの半導体の結晶体を製造する結晶製造装置の主坩堝に、融液原料を継続的に安定して供給可能な固体原料融解装置を提供する。
【解決手段】固体原料供給手段１０と、検出手段１４と、制御手段１５と、副坩堝２１と、加熱手段２３と、融液導入手段２５とを含んで構成される融解装置１において、検出手段１４が、副坩堝２１に貯留される融液原料３の表面に未融解状態の固体原料２が浮遊していることを検出する。そして、制御手段１５が検出手段１４から出力される検出結果に基づいて、融液表面に所定量より多い固体原料が浮遊していることを判断すると、固体原料供給手段１０の副坩堝２１に対する固体原料２の供給動作を停止させる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム化合物半導体層及び窒素化合物半導体層の両方の形成に際してＡｌの混入を低減可能な、化合物半導体を成長する方法を提供する。
【解決手段】ＭＢＥ用の原料供給装置５１では、Ｎラジカルガン５３は原料チャンバ５５に保持されており、原料チャンバ５５はＮラジカルガン５３のためのプラズマ生成用の空間を提供する。原料チャンバ５５は排気システム５９にゲートバルブ６１を介して接続されている。原料チャンバ５５は、ゲートバルブ５７を介して成長用チャンバ１３ｃに接続され、原料供給装置５１はゲートバルブ５７を通して窒素原料を成長用チャンバ１３ｃに供給できる。ゲートバルブ６５の開閉は、窒素以外の原料源の動作と独立している。化合物半導体を成長する方法において、窒素ラジカルビームを提供するための期間に、ゲートバルブ５７を開きまた窒素ラジカルビームを提供しない期間に、ゲートバルブ５７を閉じる。 （もっと読む）