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Fターム[4G077EG29]の内容

結晶、結晶のための後処理 (61,211) | 結晶成長共通−装置、治具 (3,794) | 連続成長(製造)のための装置の構成 (74)

Fターム[4G077EG29]に分類される特許

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【課題】供給治具自体の破損が実質的に起こらなくて複数回使用することができるだけでなく、破損片混入による融液の固化および汚染、並びに単結晶成長の阻害が起こらない、更には、結晶原料落下による坩堝等の装置の損傷や融液の飛び跳ね、供給治具からの融液への汚染を防止して、高品質の単結晶を安定して育成することができるロッド状多結晶原料の供給治具を提供する。
【解決手段】ロッド状多結晶原料の端部を支持する底部材40、ロッド状多結晶原料の横方向の動きを規制する円筒状や円筒籠状などの筒状ガイド部材60、筒状ガイド部材と底部材を連結する連結部材50、および筒状ガイド部材の上部に取り付けられた吊下げ部材70を含む、原料を起立状態で坩堝に供給するためのロッド状多結晶原料供給治具。筒状ガイド部材がモリブデンなどの高融点材料、底部材および連結部材が原料と同じ元素の、単結晶シリコン或いは多結晶シリコンからなる。 (もっと読む)


【課題】Siインゴット結晶の製造に際し、融液内成長においてSiインゴット結晶を大きく成長させることができるとともに、歪みが十分低減され、かつ生産効率が良いSiインゴット結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Siインゴット結晶のルツボ融液内成長において、融液上部よりも下部の方が高温となる温度分布を有するSi融液の表面近傍でSi種結晶を用いて核形成させ、Si種結晶からSi融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を成長させる第1の工程と、成長したインゴット結晶の一部を融液内から融液と分離しない程度に引き上げる第2の工程と、融液内に残った結晶からSi融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を引き続き成長させる第3の工程とを含み、上記第2及び第3の工程を順次複数回繰り返してインゴット結晶を成長させる。 (もっと読む)


【課題】育成容器内で窒化物単結晶を育成するのに際して、単結晶成長に直接必要な時間以外の時間を削減し、単結晶を効率よく育成する単結晶育成装置を提供することである。
【解決手段】窒化物単結晶育成装置は、予熱ゾーン3、結晶育成ゾーン4および冷却ゾーン5を備えている主部、予熱ゾーン3の上流側に設けられた第一の圧力調整室2A、予熱ゾーンと第一の圧力調整室との間に設けられた第一の耐圧仕切り弁9A、冷却ゾーン5の下流側に設けられた第二の圧力調整室2B、冷却ゾーンと第二の圧力調整室との間に設けられた第二の耐圧仕切り弁9B、主部内を加熱するマルチゾーンヒーター、および第一の圧力調整室から主部を通って第二の圧力調整室まで育成容器を移送する移送機構を備えている。 (もっと読む)


【課題】ガリウム融液を滴下供給するためのガリウム供給管先端の閉塞を防止することができる窒化ガリウム結晶製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】反応容器3に収容したフラックスとなる液体Na4と液体Ga5を、窒素ガス7の存在下で窒化ガリウム結晶を製造する窒化ガリウム結晶製造装置1であって、液体ガリウム供給管6を内管とし、シールド用ガス供給管8を外管とする二重管構造体を、耐圧容器2の天井部の容器壁に貫通させて取り付け、窒化ガリウム結晶の成長に伴う液体Ga5の消費量に応じてガリウム供給管6より液体Ga5を反応容器へ滴下供給する。このとき、シールド用ガス供給管8を通してシールド用窒素ガス7を、ガリウム供給管6の供給口6a周囲へ常時供給して供給口6aを窒素ガス7で覆うことにより、供給口6aをナトリウム蒸気から遮断する。これにより、供給口6aの部分における窒化ガリウム結晶の生成を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】ガリウム供給管の閉塞を防止することができる窒化ガリウム結晶製造装置のガリウム供給方法及び装置を提供する。
【解決手段】液体Na4とガリウム貯留槽11から供給される液体Ga5を、窒素ガス8の存在下で加圧、加熱して窒化ガリウム結晶を製造する窒化ガリウム結晶製造装置1において、耐圧容器2に、容器壁を貫通し先端開口部を反応容器3に向けて配置した供給管6を設ける。供給管6の上流側に水平管7を設け、その上流側に、キャリアガスの窒素ガス8を常時供給するキャリアガス供給手段9を接続する。水平管7の途中個所の下端側位置に、ガリウム供給ライン12の下流側端部に設けた立ち上がり管12aの上端部を連通接続する。ガリウム供給ライン12の立ち上がり管12aより水平管7へ供給する液体Ga5を、水平管7内の窒素ガス8の流れにより吹き飛ばし、この吹き飛ばされた液体Ga5を気流搬送して供給管6より反応容器3へ供給する。 (もっと読む)



【課題】フラックスおよび原料を含む融液中で結晶を成長させるのに際して、結晶の成長レートを向上させ、高品質で大きな結晶を短時間で育成できるようにすることである。
【解決手段】融液27を収容し、過飽和状態に保持することによって、窒化物結晶14を成長させる育成容器2;融液6を加熱して未飽和状態で保持することによって、融液中に窒素を溶解させる第一の窒素溶解容器1;融液28を加熱して未飽和状態で保持することによって、融液中に窒素を溶解させる第二の窒素溶解容器3;育成容器2と第一の窒素溶解容器1とを連結し、育成容器内の融液と第一の窒素溶解容器内の融液とを連通させる第一の連結部4;および育成容器2と第二の窒素溶解容器3とを連結し、育成容器内の融液と第二の窒素溶解容器内の融液とを連通させる第二の連結部5を使用する。結晶育成時に、育成容器、第一の窒素溶解容器、第二の窒素溶解容器、第一の連結部および第二の連結部を動かす。 (もっと読む)



【課題】比較的低コストで高品質の単結晶シリコンリボンを製造できる新規な装置および/またはシステムを提供することにある。
【解決手段】単結晶シリコンリボンの形成装置を提供する。本発明のシリコンリボンの形成装置はるつぼを有し、このるつぼ内でシリコン融成物が形成される。融成物は、るつぼから実質的に垂直方向に流出して、凝固前にシリコン種結晶と接触できる。リボンへの凝固にしたがって、制御された条件下でリボンの更なる冷却が行われ、リボンは最終的に切断される。また、上記装置を使用して単結晶シリコンリボンを形成する方法も提供される。 (もっと読む)


【課題】種結晶へ粉末原料から昇華ガスを供給し続けることができるSiC単結晶の製造装置と製造方法を提供する。
【解決手段】第1の部屋(原料室11d)に配置した炭化珪素原料14から昇華ガスを供給し、第1の部屋に配置した炭化珪素原料14から昇華ガスの供給を開始してから一定時間後に第2の部屋(外側容器11の中空部分、蓋体13、内側容器12によって囲まれた空間)に配置した炭化珪素原料15から多量に昇華ガスを供給し、炭化珪素単結晶8を成長させる。このように、2つの部屋で昇華ガスを発生させ、先に第1の部屋に生じた昇華ガスで炭化珪素単結晶8を成長させ、一定時間後に第2の部屋に生じた昇華ガスで引き続き炭化珪素単結晶8を成長させているので、昇華ガスを供給し続けることができ、昇華ガスの供給低下に伴う炭化珪素単結晶8の成長低下を防止することができる。 (もっと読む)


【解決手段】 ボディ・リネージュを低減するVGF結晶成長プロセスおよびVB結晶成長プロセスを用いて結晶成長を行うシステムおよび方法を開示する。一実施形態例によると、原材料を含むアンプルを、加熱源を有する炉の内部に挿入する段階と、結晶化温度勾配を、結晶および/または炉に対して相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す垂直勾配冷却法を用いて結晶を成長させる段階と、アンプル/加熱源を互いに相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す動作を継続して行う垂直ブリッジマン法を用いて結晶を成長させる段階とを備える方法が提供される。 (もっと読む)


シリコン結晶化装置は、シリコンを収容する坩堝(11)と、前記坩堝に収容される前記シリコンを溶融させ、続いて前記溶融シリコンを凝固させるように設けられている加熱/熱放散機構(13〜15)と、前記坩堝内の前記溶融シリコンを、前記溶融シリコンの凝固過程で撹拌するように設けられている電磁撹拌装置(17)とを備える。制御機構(18)は、前記加熱/熱放散機構を制御して、前記溶融シリコンを指定凝固速度で凝固させ、前記電磁撹拌装置を制御して、前記溶融シリコンを前記溶融シリコンの前記指定凝固速度に応じて撹拌することにより、前記溶融シリコンの速度と前記指定凝固速度との比が、第1の閾値を上回るようになるように設けられている。
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【課題】長時間に亘り結晶成長速度が安定しており、良好な品質の窒化アルミニウム単結晶を生産性良好に製造することのできる窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】気相法による窒化アルミニウム単結晶24の製造方法であって、成長容器2と連通され、窒素ガス導入部17を具備した原料ガス発生容器11と、原料ガス発生容器11の上面に設けられたフィーダー13と、フィーダー13の上面に設けられ、原料21を連続的に供給する原料ホッパー12とを備え、酸化アルミニウム粉末とカーボン粉末とを混合させてなる原料21を、原料ガス発生容器11に供給し、原料ガス発生容器11を加熱することにより発生させたAlガスと、窒素ガス導入部17より原料ガス発生容器11へ供給された窒素とを、成長容器2内へ輸送し、成長容器2の成長部で連続的に窒化アルミニウム単結晶24を成長させる。 (もっと読む)


本発明は、有機不純物又は有機膜を実質的に含まない表面を有する新規の金ナノ結晶及びナノ結晶形状分布に関する。具体的には、これらの表面は、溶液中の金イオンから金ナノ粒子を成長させるために有機還元剤及び/又は界面活性剤を必要とする化学的還元プロセスを用いて形成された金ナノ粒子の表面と比較して「クリーン」である。本発明は、金系ナノ結晶を製造するための新規の電気化学的製造装置及び技術を含む。本発明はさらにその医薬組成物を含み、また、金ナノ結晶又はその懸濁液又はコロイドを、対応する金療法がすでに知られている疾患又は状態の治療又は予防のために使用すること、そしてより一般的に言えば、病理学的細胞活性から生じる状態、例えば炎症(慢性炎症を含む)状態、自己免疫状態、過敏反応及び/又は癌疾患又は状態のために使用することを含む。1実施態様の場合、この状態はMIF(マクロファージ遊走阻止因子)によって媒介される。
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【課題】本発明は、レーザー蒸着する場合のターゲットの無駄を少なくして成膜コストの低減を図るとともに、成膜領域の熱分布を均等にして安定した膜質の薄膜を成膜することができるレーザー蒸着装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、レーザー光をターゲットの表面に照射し、該ターゲットから叩き出され若しくは蒸発した蒸着粒子をヒーターボックス内において巻回部材に支持された長尺基材表面に堆積させるレーザー蒸着装置であって、巻回部材間に複数列に分けて支持される長尺基材の幅方向の設置範囲に対応する幅のターゲットが設置され、該ターゲットの裏面側に該ターゲットよりも幅広のバッキングプレートが設置され、該ターゲットの幅方向両側に耐熱金属製のダミープレートが設置され、ダミープレートのバッキングプレート側に酸化物膜が形成されてなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】溶液法によって大口径のSiC単結晶を連続的に成長させる方法を提供する。
【解決手段】Si融液中にCが溶け込んだSiC溶液102からSiC単結晶120を製造する方法であって、SiC溶液102を収容した黒鉛坩堝104の上部開口端112で、円板状のSiC種結晶114のa面を含む円周面をSiC溶液102に側方から接触させ、種結晶114の円周面にSiC単結晶120を成長させつつ、成長の速度に同期させて、円板状のSiC種結晶114を板面に垂直なc軸周りであるR方向に回転させると同時に回転の軸116を上部開口端112からT方向に遠ざけることにより成長するSiC結晶120を巻き取って、連続的に円板状のSiC単結晶120を成長させる。 (もっと読む)


【課題】シリコン単結晶に中性子を照射せずに済み、単結晶の引上げ速度の幅を比較的広くすることができ、更にシリコン単結晶の引上げ軸方向における抵抗率及び径方向の面内抵抗率のバラツキを低減する方法を提供する。
【解決手段】石英るつぼ13から、シリコン単結晶11内の格子間酸素濃度が6.0×1017atoms/cm3以下であり、シリコン単結晶11の径方向の面内抵抗率のバラツキが5%以下であるn型ドーパントを含有するシリコン単結晶11を引上げた後、石英るつぼ13内にシリコン原料52を供給して溶融させ、石英るつぼ13から新たにシリコン単結晶11を引上げることにより、複数本のシリコン単結晶11を育成する。 (もっと読む)


【課題】防波機構を融液液面と離面しないように設けることにより、液面に生じる揺れの程度を減ずる多結晶体または単結晶体の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】原料融液401、403を貯留する第1の耐熱性容器3と第2の耐熱性容器2とを備え、第2の耐熱性容器2中の原料融液401を第1の耐熱性容器3中に供給する製造装置であって、第1の耐熱性容器3中の原料融液403の液面と離面しないように第1の耐熱性容器3中に防波機構301を設ける。 (もっと読む)


【課題】原料融液から各種の単結晶体または多結晶体を製造する場合、原料融液を耐熱性容器中に供給する際に原料融液の液面に揺れが生じることを防止できる原料融液供給装置を提供する。
【解決手段】原料融液403を貯留する第1の耐熱性容器3と、第2の耐熱性容器2と、該第2の耐熱性容器2中の原料融液401を前記第1の耐熱性容器3中に供給するための供給管6とを備え、前記供給管6の排出口601が前記第1の耐熱性容器3中の原料融液403に接しており、前記第2の耐熱性容器2中の原料融液401が前記供給管6の内壁に沿って流れて前記第1の耐熱性容器3中に供給される。このとき、供給管中の原料融液402は供給管6の内壁に沿って流れることで緩やかな速度で移動し、緩やかな速度のまま第1の耐熱性容器中の原料融液403へ流入するため、原料融液403の液面に生じる揺れの程度を減少させることができる。 (もっと読む)


【課題】窒化アルミニウム単結晶の長尺化、大口径化を実現する窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】昇華法による窒化物単結晶の製造方法において、成長容器と連通している原料昇華容器と、原料昇華容器の上面に設けられたフィーダーと、フィーダーの上面に設けられ、原料を収納する原料ホッパーとを備え、フィーダーから原料昇華容器へ原料を連続的に供給する工程と、原料昇華容器内で原料を昇華させ、窒化物蒸気を発生させる工程と、窒化物蒸気を成長容器内へ輸送する工程と、を有し、成長容器の成長部で連続的に窒化物単結晶を成長させたこと。 (もっと読む)


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