【課題】モリブデンルツボ内のサファイア融液への難溶解物の混入を防止する。
【解決手段】
ＣＺ法によるサファイア単結晶の製造方法であって、サファイア原料を減圧の不活性雰囲気で熱処理することによって脱ガス処理する脱ガス工程と、サファイア原料をモリブデンルツボ１４内で融解することによってサファイア融液２１を得る融解工程と、サファイア融液２１に浸漬した種結晶を引き上げることによってサファイア単結晶２０を得る引き上げ工程とを備える。脱ガス工程では、サファイア原料の表面が５００℃以上１０００℃以下となるように加熱し、且つ、チャンバー１１より排出される排気ガス中の酸素濃度が０．１ｐｐｍ以下になるまで脱ガス処理を続ける。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセスにおいて、電気特性を阻害しないシリコン単結晶ウエーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により石英ルツボ１２ｂ中のシリコン融液から引き上げられ、炭素がドープされたシリコン単結晶から製造されたシリコン単結晶ウエーハであって、炭素濃度の面内分布の最大値（Ｃｍａｘ）と最小値（Ｃｍｉｎ）の比（Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎ）が１．００以上１．０７以下であり、炭素濃度が１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の範囲内のものである。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の成長の途中においてもメルトバックを行うことができるＳｉＣ単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０の周囲に配置された加熱装置２２により坩堝１０中にて内部から表面に向けて温度低下する温度勾配を有するように加熱されたＳｉ−Ｃ溶液２４に、種結晶保持軸１２に保持されたＳｉＣ種結晶１４を接触させて、種結晶１４を基点としてＳｉＣ単結晶を成長させる、溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法であって、ＳｉＣ単結晶の成長中に、Ｓｉ−Ｃ溶液２４の内部から表面の領域の温度勾配を一定温度または温度上昇する温度勾配に変更して、種結晶１４と種結晶１４を基点として成長したＳｉＣ単結晶とを含む単結晶をメルトバックすることを含む、ＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に、不規則な反りが発生しない大口径サファイア単結晶基板を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、サブグレインや気泡のない直胴部の直径が１５０ｍｍ以上のｃ軸方位サファイア単結晶体を育成し、これを水平方向に切断・基板加工することにより、平面方向の応力分布が同心円状を呈した６インチ以上の大口径サファイア単結晶基板を得る。この基板は窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に発生する基板の反りが規則的な碗型であり、窒化物系化合物の膜厚や膜組成を容易に均一に制御できるため、ＬＥＤの歩留まり向上に優れた効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】 結晶軸方向で結晶品質の変化を抑制する。
【解決手段】窒素がドープされたシリコン融液１２から引上げられ、横断面の少なくとも中央に空孔型点欠陥が発生する領域を有し、ボトム側インゴットの外径がトップ側インゴットの外径より大きいシリコン単結晶インゴット。 （もっと読む）

【課題】一般に入手可能な鉱化剤を用いながら、酸素濃度が低くて高純度の窒化物結晶を低コストで効率良く安全に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】結晶成長用の反応容器１内または反応容器１に繋がる閉回路内で、鉱化剤を昇華させた後に析出させる鉱化剤昇華精製工程と、反応容器１内にて、溶媒と精製した鉱化剤の存在下で、ソルボサーマル法によって反応容器１内に入れられた窒化物の結晶成長原料８から窒化物結晶を成長させる結晶成長工程を行う。 （もっと読む）

【課題】簡素な製造工程及び設備によって、単一分極化された高品質なニオブ酸リチウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直ブリッジマン法により単一分極化されたニオブ酸リチウム単結晶を製造する方法であって、育成炉１０の内部空間１１ａにルツボ２２を配置し、ルツボ２２内に、ニオブ酸リチウムの単一分極化済みの種結晶ａ、及び原料ｂを収容し、育成炉１０の温度制御により、育成炉１０内にニオブ酸リチウムの融点以上となる高温部と該高温部よりも下方へ向かって徐々に温度が低くなり前記融点以下となる温度勾配部を形成し、前記高温部から前記温度勾配部へ向かってルツボ２２を所定の速度で下降することで、原料ｂに対しルツボ外から電界を加えることなく、原料ｂを単結晶化するとともに単一分極化するようにした。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れ、異なる直径の単結晶を容易に育成することができる単結晶製造装置等を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置１は、底部２１の周囲から立ち上がる筒状の壁部２２と、壁部２２上に設けられ、中央部に開口２３ａを有する円板状の蓋部２３とから構成され、アルミナ融液３００を保持するるつぼ２０と、るつぼ２０を壁部２２から加熱する上部ヒータ３０と、るつぼ２０の下方に設けられ、るつぼ２０を底部２１から加熱する下部ヒータ３５と、アルミナ融液３００からサファイアインゴット２００を引き上げる引き上げ棒４０と、上部ヒータ３０に電力を供給する上部ヒータ電源９０と、下部ヒータ３５に電力を供給する下部ヒータ電源９５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体単結晶の直径変動を低減し、その直径制御の操作量である引上げ速度の変動を抑制し、設定通りの半導体単結晶を引上げて、高品質な半導体単結晶を製造する。
【解決手段】半導体原料をヒータ１８により融解してるつぼ１３に半導体融液１４を貯留し、予め設定された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら半導体単結晶１１を引上げる。ヒータ１８の温度プロファイルの設定に寄与する過去の半導体単結晶１１の引上げデータをデータベースに蓄積し、この過去の半導体単結晶１１の引上げデータから次に引上げる半導体単結晶１１のヒータ１８の温度プロファイルを特定の評価機能に基づいて評価する。この特定の評価機能に基づいて次に引上げる半導体単結晶１１のヒータ１８の温度プロファイルを引上げ前に修正し、この修正された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら半導体単結晶１１を引上げる。 （もっと読む）

【課題】 高耐圧が要求されるパワーデバイス等に適した、酸素をほとんど含まない大口径のシリコン単結晶を製造するのに好適なシリコン単結晶の製造方法と、シリコン単結晶ウェーハを提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウェーハであって、該シリコン単結晶ウェーハは、酸素濃度が１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ＡＳＴＭ７９）以下で、かつ抵抗率面内分布が１０％以内であることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ及びシリコン単結晶の製造方法であって、チョクラルスキー法によって原料融液からシリコン単結晶を引き上げる際に、少なくとも、前記原料融液を保持するルツボに、シリコンより融点が高く組成に酸素原子を含まない材質で構成されたルツボを用い、かつ前記原料融液の対流を抑制するための磁場を印加することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉインゴット結晶の製造に際し、融液内成長においてSiインゴット結晶を大きく成長させることができるとともに、歪みが十分低減され、かつ生産効率が良いＳｉインゴット結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉインゴット結晶のルツボ融液内成長において、融液上部よりも下部の方が高温となる温度分布を有するＳｉ融液の表面近傍でＳｉ種結晶を用いて核形成させ、Ｓｉ種結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を成長させる第１の工程と、成長したインゴット結晶の一部を融液内から融液と分離しない程度に引き上げる第２の工程と、融液内に残った結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を引き続き成長させる第３の工程とを含み、上記第２及び第３の工程を順次複数回繰り返してインゴット結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶インゴット成長時の温度制御を良好に行って結晶品質のバラツキを抑制し、高品質の単結晶インゴットを生産性良く成長させることができるヒーター出力制御方法及び単結晶製造装置を提供することを目的とする
【解決手段】予め、基準とした単結晶製造装置における前記絞り部形成時の成長速度と前記コーン部形成時間の間の相関式を求め、他の単結晶製造装置で単結晶インゴットを成長させる際に、絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間を測定し、該測定した絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間から、前記相関式を基に制御信号を補正して、該補正した制御信号によって、当該他の単結晶製造装置の前記ヒーターの出力を制御するヒーター出力制御方法。 （もっと読む）

【課題】工業的に安価な方法で、結晶成長速度を十分な速度で安定的にかつ継続的に保つことが可能な第１３族窒化物結晶の製造法を提供する。
【解決手段】少なくともＮａと第１３族元素と窒素元素とを含む液相中で第１３族窒化物結晶を成長させる第１３族窒化物結晶の製造方法において、前記液相の表面と接しかつ少なくとも前記液相の表面から上部２０ｍｍの高さまでを満たす気相が存在し、前記液相表面部分の温度Ｔ１（Ｋ）と、前記液相表面から鉛直方向に２０ｍｍ離れた気相部分の温度Ｔ２（Ｋ）とが、式（１）を満たすようにして結晶を成長させる第１３族窒化物結晶の製造方法。
０＜（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１＜ ０．０１５ ・・・（１） （もっと読む）

【課題】高酸素濃度のシリコン単結晶の無欠陥領域から切り出されたシリコンウェーハであっても、ライフタイムを向上させることができ、かつ、半導体デバイス形成時における熱処理においてスリップの発生が抑制されたシリコンウェーハを生産性が低下することなく得ることができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりｖ／Ｇ値を制御して育成されたシリコン単結晶インゴットの無欠陥領域から切り出された酸素濃度が１．２×１０^１８個／ｃｍ^３以上１．８×１０^１８個／ｃｍ^３以下であるシリコンウェーハに対して、窒素ガスを含まない非酸化性雰囲気中、１３００℃以上１３８０℃以下の第１の最高到達温度の範囲内で１秒以上１５秒以下保持した後、更に、窒素ガスを含まない酸化性雰囲気中、１３００℃以上１３８０℃以下の第２の最高到達温度の範囲内で１秒以上１５秒以下保持する急速昇降温熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、強度の高い多結晶インゴットを得ることのできる多結晶材料の鋳造方法を提供することにある。また、本発明は、スライス工程において、低い割れの発生率で製造でき、且つ上記のセル工程、モジュール工程での割れの発生率も低い多結晶ウェーハを提供することも目的とする。
【解決手段】本発明の多結晶材料の鋳造方法は、電磁鋳造法において、融液の冷却速度を制御することを特徴とする。また、本発明の多結晶ウェーハは、縁取り部の強度(ビッカース硬度)が中心部対比で高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液表面の、特に種結晶着液前の温度を高精度に測定可能な測定方法及び放射温度計を提供し、また、種結晶の着液前の温度を高精度に測定して無転位のシリコン単結晶を安定して製造できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン融液３に種結晶１６を着液する前に、放射温度計１を用いてシリコン融液３からの波長が８００〜１３５０ｎｍの範囲内の放射光を選択して強度を測定することによってシリコン融液表面の温度を測定しながらシリコン融液の温度を調整し、測定したシリコン融液表面の温度が所定の温度となった時にシリコン融液に種結晶１６を着液することを特徴とするチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】溶液法において三次元成長および凸状成長を抑制して、平坦性の高いＳｉＣ単結晶を成長させる装置および方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ溶液を収容する容器、
該容器内の該ＳｉＣ溶液を適温に維持する温度制御手段、
ＳｉＣ種結晶をその結晶成長面の裏面全体に面接触した状態で保持する保持手段として作用し、且つ、該ＳｉＣ種結晶を冷却する冷却手段として作用する下端部を有する保持軸、および
該結晶成長面にＳｉＣ単結晶が継続的に成長するように、該結晶成長面を該ＳｉＣ溶液に接触させた状態に維持するための該保持軸の位置制御手段、
を備えたＳｉＣ単結晶の製造装置であって、
該保持軸の下端部は、該面接触した該結晶成長面の面内温度分布を均一化するための均熱手段を有することを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。 （もっと読む）

【課題】 収容液体を効率よく撹拌する。
【解決手段】 耐圧容器２内にて、反応容器３に収容したフラックスとなる液体Ｎａ５と液体Ｇａ６の混合液体４を、窒素ガス８の存在下で加圧及び加熱して窒化ガリウム結晶を製造する窒化ガリウム結晶製造装置１における反応容器３の下部外周に、ヒータ１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを設ける。反応容器３の中央部の上方に、ガリウム供給管１０の吐出口１３を配置する。ヒータ１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄによる反応容器３の下部外周に位置する混合液体４の局部加熱により、混合液体４に、反応容器３の内底部の中央部に配置した種結晶基板１１の真上となる反応容器３中央部でダウンフローとなる熱対流を発生させると共に、そのダウンフローを、ガリウム供給管１０より滴下供給する液体Ｇａ６による反応容器３中央部に位置する混合液体４の局部冷却により促進して、混合液体４を撹拌させる。 （もっと読む）

【課題】大口径化しても、スリップ不良の発生を抑制できるＧａＡｓウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＣ法によりＧａＡｓ単結晶を成長する成長工程と、成長工程で得られたＧａＡｓ単結晶をスライスしてＧａＡｓウェハを作製するウェハ作製工程とを有するＧａＡｓウェハの製造方法において、成長工程では、ＧａＡｓ単結晶と原料融液との固液界面の形状が原料融液側に凸状となっており、原料融液と前記液体封止剤との界面から原料融液中のＧａＡｓ単結晶の先端部までの長さＴ１と、ＧａＡｓ単結晶の外径Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が、０.２５≦Ｔ１／Ｔ２≦０.４５であり、ウェハ作製工程で得られたＧａＡｓウェハは、ユニバーサル硬度がウェハ面内で一様に４０００Ｎ／ｍｍ^２以上４８５０Ｎ／ｍｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】導電性材料からなる第一の環状の部材１３ａと光透過性材料からなる第二の環状の部材１３ｂとの積層体からアフターヒータ１３を構成して第二の環状の部材１３ｂを第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリング１５には引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓としての縦スリット１５ａを配置し、アウターリング１５を引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 （もっと読む）