【課題】効率的に生体高分子を結晶化させる結晶化促進方法を提供する。
【解決手段】
タンパク質を含む生体高分子の結晶化装置による生体高分子の結晶化促進方法である。結晶化装置は、生体高分子の結晶化溶液と、結晶化溶液に直接平行に接するように面状に形成された透明導電体電極と、透明導電体電極に挟持され、結晶化溶液を保持するための電気絶縁部材と、前方小角散乱又は後方小角散乱を検出する散乱光検出部と、散乱光検出部により検出された信号を分析する制御解析部とを備える。この上で、透明導電体電極により、結晶化溶液に対してほぼ一様な電場を印加する。次に、散乱光検出部により、結晶化溶液に光を照射して結晶化溶液からの前方小角散乱光又は後方小角散乱光を測定する。そして、制御解析部により、前方小角散乱光又は後方小角散乱光の強度に基づいて、結晶化溶液の状態を分析する。 （もっと読む）

【課題】種晶の入れ替えにかかる時間を顕著に短縮し、生産性を向上し、更に繰り返し的な冷却及び再加熱による変形及び寿命減少を防止すること。
【解決手段】本発明のサファイア単結晶成長装置は、アルミナを収納しアルミナが溶融される第１チャンバーであって上面に挿入口が形成されている第１チャンバーと、第１チャンバーの挿入口と連通するように第１チャンバーの上部に設けられた第２チャンバーと、第２チャンバーを通過して第１チャンバー内に下降するか、または第１チャンバーから上昇する種晶ロッドであって終端に種晶が設けられた種晶ロッドと、第２チャンバーの下端に設けられ挿入口を開閉するチャンバー遮断部とを含み、種晶の入れ替えのために種晶ロッドの終端が上昇し第２チャンバーの内部に収納されれば、チャンバー遮断部は、挿入口を閉鎖することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱電変換材料の単結晶を製造するに際し、結晶成長を継続させることができる熱電変換材料結晶成長装置を提供する。
【解決手段】結晶成長装置は、熱電変換材料を溶融させた溶液１１が配置されるるつぼ１０と、棒状の一端側の先端２１における結晶支持点２２に熱電変換材料の種結晶６０が固定される結晶支持棒２０と、種結晶６０に成長する熱電変換材料の単結晶６１を結晶支持棒２０を介して冷却することにより溶液１１の温度に対して単結晶６１の結晶成長面６２の温度を低下させる冷却手段４０と、を備えている。そして、種結晶６０を溶液１１に浸し、冷却手段４０によって単結晶６１の結晶成長面６２の熱を結晶支持棒２０に引き出すことで結晶成長面６２の温度と溶液１１の温度との温度差を確保する。 （もっと読む）

【課題】比較的温和な条件下で窒化物結晶を生成させることが可能な窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物結晶製造装置１において行われる窒化物結晶の製造方法は、溶融塩１１１中に窒化物イオン（Ｎ^３−）１２２を供給するステップ（ａ）と、溶融塩１１１中に窒化対象元素含有イオン１３２を供給するステップ（ｂ）と、窒化物イオン１２２と窒化対象元素含有イオン１３２とを溶融塩１１１中で互いに接触させて溶融塩１１１中に窒化物結晶を生成させるステップ（ｃ）とを備える。 （もっと読む）

半導体材料薄片製造用の成形装置は成形型枠及び担体バンドを有する。成形型枠は、溶融半導体材料を保持するよう側壁を有する構成とし、側壁のうちの出口側壁は、半導体材料薄片の産出位置に配置する。出口側壁には、出口スリットを設ける。成形装置は、さらに、出口スリットの位置で、溶融半導体材料に対して局部的な相対的に増大した、外力を加えて、前記出口スリットで溶融半導体材料に対する外圧を局部的に増大させる局部的力印加手段を備える。 （もっと読む）

【課題】酸素または水素雰囲気中でのレーザーアブレーションにより金属などの異種基板に対して良好なダイヤモンド膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】酸素または水素雰囲気中で、グラファイト、アモルファスカーボン、グラッシーカーボン、またはダイヤモンドからなる炭素ターゲットに、５０ｎｓ以下のパルス幅でレーザー光を照射し、レーザーアブレーションによって前記ターゲットから炭素粒子を飛散させて基板上に堆積させ、パルス毎に堆積粒子の過飽和状態を形成して前記基板上にダイヤモンド膜を形成する方法において、前記基板に負バイアスを印加した状態で前記レーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液の湯漏れ監視及び種結晶の着液検出を行うと共に、長時間の引き上げに耐え得る石英ガラスルツボの強化並びにシリコン単結晶の不純物濃度の低減を図る方法を提供する。
【解決手段】ワイヤーの先端に取り付けられた種結晶を石英ガラスルツボ内のシリコン融液に着液させると共に、ルツボ側をマイナス極、ワイヤー側をプラス極とする電圧Ｖ１を印加しながらその電圧の変化を監視することで種結晶の着液状態を検出する工程Ｓ１３、Ｓ１４と、その後の温度調整期間Ｓ１５において、ルツボ側をプラス極、ワイヤー側をマイナス極とする電圧Ｖ２を印加することで石英ガラスルツボの内表面を失透させる工程と、温度調整期間Ｓ１５の終了後、ルツボ側をマイナス極、ワイヤー側をプラス極とする電圧Ｖ３を印加しながら種結晶を徐々に引き上げることによりシリコン単結晶を成長させる工程Ｓ１６〜Ｓ２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引き上げ過程において、石英坩堝の内壁表面に適切な結晶化層（失透）を発生させると同時に単結晶中のＬｉ濃度を制御することにより、単結晶育成時の有転位化を防止し、ウェーハに切り出した後の熱酸化処理で酸化膜厚のばらつきを抑制でき、長時間に亘る単結晶引き上げの操業に際しても単結晶歩留まりと生産性を向上させることを、低コストの定電圧電源装置を用いて行う方法を提供する。
【解決手段】原料融液３から単結晶４を引き上げた後、ヒーター２の電源１０を落とさずに残りの原料融液３に多結晶原料を追加投入して融解した後、次の単結晶４を引き上げ、これを繰り返して複数の単結晶４の引き上げを行う方法において、最初の単結晶４の引き上げを行い、その後最初の原料溶融開始から所定時間が経過してから、石英坩堝１ａの外壁と単結晶４を引き上げる引上ワイヤー又は引上シャフト５に直流電圧を印加する。 （もっと読む）

複数のシリコン芯を製造する高周波コイル引き孔の配置であって、高周波コイル技術分野に属し、本発明が分流槽の位置配置を変化し、且つ前記「Ｃ」形の分流槽と補助電流引導孔によって補助され、又は２つの引き孔がその間に分流槽によって接続されてバーベル状均部に形成され、分流槽外端の引き孔が放射状に形成され、電流が流れる時に、分流槽又は分流槽と補助電流引導孔の分流作用下で、ほぼ均一に前記各引き孔に回って流れ、分流槽の補助下での電流が更に均一に各引き孔の周囲に分布できるため、電流が引き孔の周囲に均一に分布する目的を達成し、不良品の数も低減する。
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【課題】サブマイクロオーダーやナノサイズを有している無機酸化物中空粒子、特には、球形金属酸化物単結晶中空サブマイクロ粒子や球形金属酸化物単結晶中空ナノ粒子を、簡単な方法で合成し且つ回収する方法を提供する。
【解決手段】真空容器中に、金属酸化物源である金属の第一電極と放電空間を囲む絶縁板、そして、該絶縁板の外面に第二電極を備え、且つ、該真空容器中への気体導入部を備えているスパッタリング装置において、前記第一電極と前記第二電極間に変動電圧を与え、前記気体導入部より酸素を0.１％以上含む気体を導入して、プラズマ中で、第一電極のスパッタリング及び飛散第一電極金属原子と酸素との酸化反応を同一放電空間で行うことにより球形金属酸化物単結晶中空粒子を生成せしめる。放電プラズマやガス流を制御することによって均質な粒径分布や空洞径／粒径の比の制御が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 液相法によって所要機能を有するペロブスカイト酸化物薄膜を製造する方法、及びペロブスカイト酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】 成膜対象のペロブスカイト酸化物を主成分とし、平均直径が略５ｎｍ以上略１５ｎｍ以下の適宜直径のナノ結晶粒子を所定溶媒中に分散させた分散液を調製し（ステップＳ１）、この分散液中に、対象電極としての所定材料の基板と対向電極とを浸漬させ、両電極間に所定の電圧を印加することによって前記基板の表面に前記ナノ結晶粒子を、乾燥時の厚さが数十ｎｍ〜数百ｎｍとなるように堆積させる（ステップＳ２）。そして、この基板を略４００℃以上略８００℃以下の適宜温度で焼成する（ステップＳ３）。 （もっと読む）

【課題】結晶基板の結晶状態を維持し且つ欠陥のない単結晶のナノワイヤを成長させることが可能なナノワイヤ作製方法を提供する。
【解決手段】フリースタンディングナノワイヤの成長を可能とする比較的狭い範囲の成長条件からあえてずらした成長条件でナノワイヤを成長させることにより、フリースタンディングナノワイヤに必要なサイドファセットの形成を不安定にし、結晶基板の表面と平行に且つ当該表面に沿ったナノワイヤの成長を可能とする。また、ナノワイヤの成長途中で、例えばドーパントを切り替えることにより、ｎ型ＩｎＰナノワイヤ３ｎとｐ型ＩｎＰナノワイヤ３ｐを連設することができる。更に、平行な複数のナノワイヤを交差させて網状の半導体膜を得ることもできる。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の成長過程において、石英坩堝の内壁表面に適切な結晶化層すなわち失透を発生させると同時に、シリコン単結晶中にＬｉ等のアルカリ金属が取り込まれるのを防止することにより、単結晶歩留まりと生産性を向上させることができると共に、ウェーハに切り出した後の熱酸化処理における酸化膜の異常成長を抑制できるシリコン単結晶の成長方法および引き上げ装置を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、石英坩堝１ａ内で溶融したシリコン原料の溶融液３から単結晶４を引き上げて成長させる方法において、前記石英坩堝１ａの外壁側が正極、前記単結晶４を引き上げる引上軸５とは別途設置され、前記シリコン原料の溶融液に浸漬された電極１１側が負極となるように直流電圧を印加し、前記電極から電流を流しながら、前記引上軸５により単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の金属汚染の要因となる引き上げ装置の金属不純物の発生状況を確実に把握できるシリコン単結晶の金属汚染評価方法を提供する。
【解決手段】引き上げ軸７とルツボ２との間に電圧の印加が可能な引き上げ装置を用いてＣＺ法によりシリコン単結晶９を育成する際、シリコン単結晶９の非製品部である直胴部９ｂの下端部またはテイル部９ｃを育成する過程で、引き上げ軸７を負極としルツボ２を正極として電圧印加を行う。この電圧印加を伴って育成された直胴部９ｂの下端部またはテイル部９ｃからサンプルウェーハ１５を採取し、このサンプルウェーハ１５の金属汚染を評価する。サンプルウェーハ１５は、金属不純物の濃度が高く、金属汚染の評価を十分に行うことができる。このような金属汚染評価を、順次育成するシリコン単結晶９ごとに行う。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン原料として使用されないシリコン原料を精製して、単結晶シリコン製造用結晶原料又は単結晶シリコンインゴット（シリコン単結晶）を製造する方法を提供する。
【解決手段】（ａ）において、シリコン原料１３をルツボ１ａ内で溶融した後、この溶融液１１からＣＺ法によりシリコンインゴット５ａを育成する際に、育成されるシリコンインゴット５ａとシリコン溶融液１１間に電圧を印加し、単結晶シリコン製造用結晶原料５ａを製造する。また、（ｂ）においては、シリコン原料１３を溶融して育成した原料用シリコンインゴット５ｂを溶解した後、このシリコン溶融液からＣＺ法により単結晶シリコンインゴット１４を引上げる際に、育成される単結晶シリコンインゴット１４とシリコン溶融液間に電圧を印加する。シリコンインゴット５ａ，１４を正極（＋極）とし、＋５０Ｖ以下の電圧を印加するのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】酸化物等の介在物や不純物元素が鋳塊内に混入することなく高品質な鋳塊が得られるとともに、引き抜き速度を上昇させて生産効率を大幅に向上させることが可能な連続鋳造方法、連続鋳造装置及びこれにより得られる鋳塊を提供する。
【解決手段】溶湯１を一方向凝固させて得られた鋳塊２を連続的に製出する連続鋳造装置１０であって、溶湯１を保持する溶湯保持部２０と、水平方向一方側端部が溶湯保持部２０の下方に位置させられた鋳型３０と、を備え、鋳型３０は、水平方向他方側に向かうにしたがい漸次下方に向かうように水平面に対して傾斜して延在する底面部３１を有し、底面部３１に冷却手段３５が設けられており、溶湯保持部２０から供給された溶湯１を冷却手段３５によって一方向凝固させ、得られた鋳塊２を鋳型３０の底面部３１に沿って連続的に引き抜くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所望のバンドギャップエネルギーを容易に実現できるアモルファスカーボン製造装置及びアモルファスカーボン製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボンＣを成長させるための基材Ｂをチャンバ１１内に収容し、そのチャンバ１１内に原料ガスＧを供給し、供給した原料ガスＧのプラズマＰを生成し、生成されたプラズマＰの基材Ｂに到達する際の速度を制御してアモルファスカーボンＣの製造を行う。これにより、プラズマＰの到達速度に対応させてカーボンの結晶化及び選択的エッチング効果を生じさせることができる。このため、カーボンのｓｐ２／ｓｐ３結合比を調整することができ、所望のバンドギャップを有するアモルファスカーボンＣを容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】坩堝に収容された、単結晶原料が溶解している融液に、種結晶基板を接触させ、基板上に単結晶を成長させる液相エピタキシー法によるバルク単結晶の成長における欠陥発生を、オフ角を利用せずに抑制する方法を提供する。
【解決手段】単結晶が成長面［例、（０００１）面］に対して鏡映対称性を有していない結晶構造を持つ、ＳｉＣやＡｌＮ等のＩＶ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である場合に、基板保持具４と坩堝６に電源３から通電して、単結晶の成長面と基板２の単結晶成長面とは反対側の面との間にパルス電圧を印加しながら単結晶を成長させる。坩堝６と結晶保持具４は導電性の材質とし、結晶保持具４の先端部の周囲には、この保持具４と融液１との電気的接触を防止するための絶縁材５を配置する。 （もっと読む）

【課題】単結晶育成時の有転位化を防止し、単結晶歩留まりと生産性を向上させることができると共に、ウェーハに切り出した後の熱酸化処理で、酸化膜厚のばらつきを抑制できるシリコン単結晶の成長方法および引き上げ装置を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、石英坩堝１１ａ内で溶融したシリコン原料の溶融液から単結晶１４を引き上げて成長させる方法において、石英坩堝１１ａの外壁側が正極、シリコン単結晶１４を引き上げる引上ワイヤーまたは引上シャフト１５側が負極となるよう直流電圧を印加し、単結晶引き上げ中を通してシリコン単結晶１４に流れる電流を一定にして単結晶１４を成長させることにより、石英坩堝１１ａの内壁表面に適切な結晶化層すなわち失透を発生させると同時に、シリコン単結晶１４中のＬｉ濃度を制御可能にするシリコン単結晶の成長方法とその引き上げ装置。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線回折を用いて撮影した時の解像度が高い良質な結晶を得ることができるタンパク質の結晶化方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係るタンパク質の結晶化方法は、タンパク質溶液に、タンパク質の結晶化に必要な試薬を添加してサンプル溶液を生成し、該サンプル溶液に、析出した結晶のＸ線回折の解像度が高くなる電圧を印加しながらタンパク質の結晶を析出させることを特徴とする。 （もっと読む）