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Fターム[4G077EJ05]の内容

結晶、結晶のための後処理 (61,211) | 結晶成長共通−特定の成長環境の付加 (410) | 振動を付加するもの (16)

Fターム[4G077EJ05]に分類される特許

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【課題】フラックス法を用いた結晶成長装置において、実用的な大きさの結晶の均一性その他の品質を確保しつつ、結晶成長装置を小型化・簡略化する。
【解決手段】結晶の原料原子を含む液体を収容する容器と、前記液体と接する液体接触面に、弾性波を進行波として伝搬させる弾性波伝搬手段と、を有する結晶成長装置を提供する。前記液体接触面として、前記容器の内面が例示できる。前記弾性波伝搬手段が、前記容器に接して配置された圧電体を有してもよく、前記圧電体に交番電界を印加することにより、前記液体接触面に前記弾性波を伝搬させることができる。前記圧電体を複数有してもよく、前記複数の圧電体のそれぞれに印加する交番電界の位相を調整することで、前記弾性波を進行波として伝搬させることができる。 (もっと読む)


【課題】優れた特性のデバイスを安定して製造することが可能な炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板80は、炭化珪素の単結晶からなり、幅が100mm以上、マイクロパイプ密度が7cm-2以下、貫通螺旋転位密度が1×104cm-2以下、貫通刃状転位密度が1×104cm-2以下、基底面転位密度が1×104cm-2以下、積層欠陥密度が0.1cm-1以下、導電性不純物濃度が1×1018cm-2以上、残留不純物濃度が1×1016cm-2以下、Secondary Phase Inclusionsが1個・cm-3以下である。 (もっと読む)


【課題】確度の高い蛋白質結晶化条件に効率よく到達して蛋白質結晶を作製することができる蛋白質溶液の処理装置および蛋白質結晶の作製方法を提供する。
【解決手段】刺激付与工程(STA)において、蛋白質溶液を含む混合液3を収納した複数の容器2のうちの特定の容器2内の混合液3への結晶化促進のための刺激付与を開始した後、他の容器2内の混合液3への刺激付与を所定の時間間隔を置いて順次開始し、特定の容器2について結晶化に関連して生じる変化が検出されたならば、全ての容器2内の混合液3への刺激付与を停止し、刺激付与時間の異なる混合液3を結晶化条件選別のためのサンプルとして準備する。これらのサンプルを保管工程(STB)において所定条件下で保管し、混合液3中に生成された結晶核を成長させて、観察工程(STC)にて結晶化促進度合いを観察することにより、結晶化促進のための至適な刺激付与時間を見いだすことができる。 (もっと読む)


【課題】 シリコン単結晶の引上げ育成中に有転位化した場合にその単結晶を高効率に再溶融し、シリコン単結晶を高生産性で低コストに製造する。
【解決手段】 シリコン融液12が充填された石英ルツボ13、サイドヒータ15およびボトムヒータ16、シリコン単結晶18に対してサイドヒータ15からの輻射熱を遮蔽する輻射シールド19、電磁石20,21等を備えたMCZ法によるシリコン単結晶の製造方法において、引上げ育成中のシリコン単結晶18が有転位化した場合に、単結晶引上げ条件よりも輻射シールド19下端とシリコン融液12面のギャップXを大きくし、無磁場の状態にして有転位化したシリコン単結晶18を降下させシリコン融液12に溶融する。その後、磁場を印加するとともに上記ギャップXを単結晶引上げ条件に戻しシリコン単結晶の再引上げを行う。 (もっと読む)


【課題】炭酸塩からなる異方性構造を有するナノ構造体を効率良く提供し、所望の異方性構造に容易に制御できるナノ構造体の合成方法およびその合成装置を提供する。
【解決手段】本発明の合成装置は、溶液反応漕1および反応漕1の上部に配置したレーザー発生部2、原料固定部3,反応漕2の上部もしくは側面部に配置した光発生部4、溶液攪拌装置5、ガス導入管6、超音波発生部7および合成系全体を遮光する暗箱8を備える。本発明は、レーザー若しくは超音波を用いた極限エネルギー状態の形成に加え、連続的な光照射を併用する。これにより、低コストで簡素な合成装置を利用しながら、原料、雰囲気、プロセス因子等を制御するだけで炭酸塩からなる異方性ナノ構造体を合成することできる。 (もっと読む)


【課題】例えば直径1mmの非常に小さな球状の半導体デバイスを製造するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】システムは、原料20を融解するために使用されるチャンバ40内へ原料20の所定量を供給する供給システムを備える。その後、融解した原料44は、所定量の融解した原料(液滴)を計量し、それらが冷却され球状のシリコンデバイスに凝固するドロップチューブへ液滴を放出する滴下装置50に供給される。システムは、ドロップチューブから凝固した球状のデバイスを収容するシリコンパウダーの容器であって、シリコンパウダーを撹拌する攪拌機構を含むシリコンパウダーの容器を備える。システムはまた、デバイスが容器内へ収容された後に凝固した球状のデバイスからパウダーを分離する分離器を備える。 (もっと読む)


【課題】結晶粒子を、安定した一様な形状および粒径で高効率に製造することができる結晶粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶粒子の製造方法が、(1)鉛直方向に対して傾斜方向に貫通したノズル孔6を有するノズル部3が底部に設けられた坩堝1中において、結晶材料を溶融させて結晶材料の融液4を作製する工程と、(2)ノズル孔6から融液4を排出して粒状にする工程と、(3)粒状の融液4aを、落下中に冷却して凝固させる工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】大きな塊状単結晶が収率良く、安価かつ安定的に得られる周期表13族元素の窒化物の塊状単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】アンモニアを溶媒とするアモノサーマル法による結晶成長を行う方法において、出発原料として、相対的に平均粒径の異なる2種の結晶を使用し、種結晶を配置した育成部および/または出発原料を供給した原料充填部に超音波を印可しながら結晶成長を行う。また、反応容器内の結晶成長時の温度差にともなって生じる溶媒の対流の集束点近傍に、析出物捕集ネットを設ける、輸送流中の微結晶あるいは析出物を捕捉するとともに、この捕集ネット上に選択的に微結晶を析出させる。 (もっと読む)


【課題】溶融落下法によって粒状結晶を製造する際に、落下途中に結晶材料の融液の液滴が合体するのを大幅に抑制して、粒径の揃った多数の粒状結晶を製造できる粒状結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】粒状結晶6の製造方法は、坩堝1の中の結晶材料を溶融して融液を作製する工程と、坩堝1のノズル1aに3次元運動を行わせる工程と、ノズル1aから融液を液滴4として排出する工程と、液滴4を落下させる工程と、液滴4を落下中に凝固させる工程と、を含む構成である。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い多結晶もしくは単結晶の粒状シリコンを効率良く生産することが可能な粒状シリコンの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン原料を溶解する溶解炉1、種結晶用の微粉制御機構2と、落下管3と、回収装置4で構成される粒状シリコンの製造装置において、シリコン原料体を溶融ルツボにおいて加熱して溶融し、所定の圧力を前記溶融ルツボ内のシリコン融液上面にかけながら、前記溶融したシリコン原料体を前記溶融ルツボの底部に設けられたノズル穴より吐出させ、前記吐出させた溶融シリコンを、種結晶用の微粉が落下することなく一定の空間に滞留するようにした落下管3内を溶融状態のままで降下させ、微粉を核として結晶成長させるとともに、粒状に凝固させ、回収装置4で回収する。 (もっと読む)


【課題】 融液から余分な飛沫の発生を抑制するとともに、安定して粒径の揃った粒状半導体を得ることができるとともに、高い結晶性を持った粒状半導体を得ることができる粒状半導体の製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝3のノズル部2からシリコンの融液1を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液1を落下中に冷却して凝固させることによって粒状シリコンを製造する粒状シリコンの製造装置であって、坩堝3を振動させる加振手段7と、坩堝3内を加圧して融液4を排出する加圧手段と、排出された融液1を観察する観察手段9と、観察された融液1の落下状態を調節するために加振手段7を制御する制御手段とを具備している粒状シリコンの製造装置である。 (もっと読む)


【課題】 所望の粒子径かつ均一粒子径の粒状半導体を高い生産性でもって再現性よく製造する製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝1のノズル部1aからシリコンの融液を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液を落下中に冷却して凝固させることによって粒状シリコンを製造する粒状シリコンの製造装置において、坩堝1を振動させる加振手段と、坩堝1内を加圧して融液を排出する加圧手段と、排出された融液を観察する観察手段4と、観察された融液の液滴の粒子径を所定の粒子径と比較して、液滴の粒子径が所定の粒子径よりも大きいときには加振手段による振動の振動数を上げ、液滴の粒子径が所定の粒子径よりも小さいときには加振手段による振動の振動数を下げるように制御する制御手段とを具備する。 (もっと読む)


【課題】チョクラルスキー法によりシリコン単結晶インゴットを製造する場合に、ピンホールの少ないシリコン単結晶インゴットを安定して製造する方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】ルツボ軸に振動を与える加振機18を具備したシリコン単結晶インゴットの製造装置10において、石英ルツボ14中の多結晶シリコンを融解してシリコン融液21とする工程とシリコン融液に種結晶を接触させた後引き上げることによってシリコン単結晶インゴット13を育成する工程との間に、石英ルツボ14を支持するルツボ軸16に振動を与える工程を有する。 (もっと読む)


透明で転位密度が少なく均一厚みで高品位であり、かつバルク状の大きなIII族元素窒化物の単結晶を収率良く製造可能な製造方法を提供する。 アルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群から選択される少なくとも一つの金属元素と、ガリウム(Ga)、アルミニウム(Al)およびインジウム(In)からなる群から選択された少なくとも一つのIII族元素とを入れた反応容器を加熱して前記金属元素のフラックスを形成し、前記反応容器に窒素含有ガスを導入して、前記フラックス中でIII族元素と窒素とを反応させてIII族元素窒化物の単結晶を成長させるIII族元素窒化物単結晶の製造方法において、前記単結晶の成長を、前記反応容器を揺動させること等により、前記フラックスを攪拌した状態で行う。
(もっと読む)


【課題】 安定して高効率に結晶化させることができると同時に、高い結晶性を持った粒状結晶を得ることができる粒状結晶の製造装置を提供すること。
【解決手段】 坩堝3を振動させる加振装置9が振動を伝達する連結管6を伝達して坩堝3の上部に接続されており、連結管6は、坩堝3が加熱される温度で変形しない耐熱材料からなるとともに、その太さを坩堝3の太さより小さくした粒状結晶の製造装置である。連結管6が高温においても高強度で、しかも連結管6からの熱放散が少なく、結晶材料の融液4への不純物の混入も抑制することができる。これにより、得られる粒状結晶の粒径を揃ったものとできるとともに、品質を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】
長さがより短い極短フラーレンナノウィスカー(FNW)と、これを簡便に効率よく製造することのできる新しい方法を提供する。
【解決手段】
フラーレン溶液とアルコールとを混合してフラーレンナノウィスカーを生成させる際に、混合を超音波印加において行う。 (もっと読む)


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