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Fターム[4G077EJ08]の内容

Fターム[4G077EJ08]に分類される特許

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【課題】ウエハ径70mm以上の大口径で、厚さ240μm以下まで薄板化した場合でも、反り量が40μm以下となるGaP単結晶ウエハを収率よく提供する。
【解決手段】加工して得られるGaP単結晶ウエハのウエハ径Lに対する、結晶育成に用いるルツボの内径Lcの比Lc/Lwを、1.7以上1.9以下とし、引き上げ方向の結晶長1mmあたりにおける、育成中のGaP単結晶と融液の間の固液界面形状の凸度の変化量を±1.3mm以内に規制することにより、反り量が40μm以下であるGaP単結晶ウエハを90%以上の収率で得ることを可能とする。 (もっと読む)


【課題】高いキャリア濃度を有し、かつ、高い結晶性を有するGaAs単結晶の製造方法およびGaAs単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】種結晶10、不純物となるSi原料12およびGaAs原料14、固体の二酸化ケイ素(石英板)、ならびに酸化ホウ素原料18をるつぼ4内に収容した状態で縦型ボート法を行い、GaAs単結晶20を成長させる。成長前の加熱により石英板が融解し、原料溶融時点では既にGaAs融液15と液体B2O319との界面近傍に、極めてSiO2濃度の高い層(SiO2高濃度層17)が形成されるため、原料融解時から結晶成長時にわたって、ホウ素濃度を低く抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】 ウェハー面内の特性の均一性や安定性、寿命に優れた化合物半導体デバイスを得るための、ドーパント濃度のウェハー面内および厚さ方向の均一性に優れた、低転位密度の燐化インジウム基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶の成長方向が〈100〉方位になるように、結晶胴部に対する所定の断面積比を有する種結晶を成長容器下端に設置し、さらに燐化インジウム原料とドーパント及び酸化ホウ素を収容した成長容器を結晶成長炉に設置して、燐化インジウムの融点以上の温度に昇温して、酸化ホウ素と燐化インジウム原料及びドーパントを加熱溶融したのち、成長容器の温度を降下させることにより、ドーパント濃度のウェハー面内および厚み方向の均一性が良好な、低転位密度の燐化インジウム単結晶を得る。 (もっと読む)


【課題】単位面積あたりのエッチピット密度(EPD)で評価した結晶性の値が低く良好な結晶性を有するSiドープGaAs単結晶インゴット、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】GaAs化合物原料を別の合成炉で合成し、当該原料中にSiドーパントを挟み込んで、Siドーパントを収納したGaAs化合物原料31Bとした。当該Siドーパントを挟み込む位置は、当該GaAs化合物原料を溶融したとき、その平均温度より低くなる位置とした。単結晶成長装置のるつぼに種結晶を挿入した後に、Siドーパントを収納したGaAs化合物原料31B、液体封止剤32をるつぼに投入し、単結晶成長装置1にセットして加熱溶融後、当該液体封止剤を攪拌しながら、縦型温度傾斜法により融液を固化、結晶成長させてSiドープGaAs単結晶インゴット33を得る。 (もっと読む)


【課題】本発明は、低コストで実用化することが可能な人工コランダム結晶およびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、種結晶を含有し、{113}面、{012}面、{104}面、{110}面、{101}面、{116}面、{211}面、{122}面、{214}面、{100}面、{125}面、{223}面、{131}面、および{312}面からなる群から選択される少なくとも1つの結晶面を有することを特徴とする人工コランダム結晶を提供することにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】単結晶の抵抗値を再現性よく制御でき、歩留まりが向上する化合物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】一酸化炭素を含む不活性ガス雰囲気中で、ルツボ内に収容した化合物半導体結晶の原料および封止材を、原料の融点以上に加熱して融解させると共に原料融液の温度を最高到達温度に保って原料融液上に融解した封止材の層を形成し、しかるのち、その封止材の層と原料融液の界面の温度を融点以下に下げ、かつ原料融液に種結晶を接触させると共にこれを引き上げて単結晶を得る化合物半導体結晶の製造方法において、最高到達温度及び/又は封止材の含有水分量を制御して、原料融液に含ませる炭素濃度を調整し、これにより、単結晶の炭素濃度を調整して単結晶の抵抗値を制御する。 (もっと読む)


【課題】多結晶化を抑制してIII−V族化合物結晶を製造する、III−V族化合物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】III−V族化合物結晶の製造方法は、以下の工程を備えている。るつぼ6内に、原料9、10と封止剤12とドーパント11とを配置する。原料9、10を溶融して融液を生成し、融液を固化させることにより、III−V族化合物結晶を成長させる。配置する工程では、封止剤12の軟化点よりも融点の低い元素を含み、かつ封止剤12の軟化点よりも高い融点を有する化合物をドーパント11として配置する。 (もっと読む)


【課題】成長結晶表面に酸化ゲルマニウムが付着するのを防ぎ、低転位密度または無転位でゲルマニウムの単結晶を成長させることができるゲルマニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】石英るつぼ製、グラッシーカーボン製、またはグラファイトるつぼ製のるつぼ10の内部で、ゲルマニウム融液1aの表面の一部または全体を酸化ホウ素(B2O3)融液2aで覆った後、チョクラルスキー法(CZ法)によりゲルマニウム単結晶4を引き上げて結晶成長させる。炉内は、高真空またはアルゴンガス雰囲気である。 (もっと読む)


【課題】半導体結晶の成長方向における不純物濃度またはキャリア濃度の分布をより均一にした半導体結晶および半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体結晶中における最低不純物濃度C1minとC1min≦C1≦1.5C1minの関係を満たす不純物濃度C1である結晶部分が、固化率0.1〜0.8の範囲内における結晶部分の4/7以上を占める半導体結晶とその半導体結晶の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】垂直グラジェントフリージング(VGF)法および垂直ブリッジマン(VB)法により、結晶成長方向の炭素濃度が一定な半絶縁性GaAs単結晶の製造する方法および装置を提供する。
【解決手段】石英アンプル1内に、GaAs原料5およびB236を入れたるつぼ3と、蒸気圧制御用のAs7と、Ga23、As23よりなる群から選ばれた1または2以上の化合物、あるいは、一酸化炭素、二酸化炭素よりなる群から選ばれた1または2以上の化合物よりなる酸素供給源8を封入し、石英アンプル中のCOガス濃度を制御しながら結晶成長を行なう。 (もっと読む)


【課題】低コストで製造することができる大型で良質な半導体結晶を提供する。
【解決手段】化合物からなる半導体結晶50であって、直径が6インチ以上であり、平均転位密度が1×104cm-2以下である。半導体結晶50はGaAsであるか、または、CdTe、InAsおよびGaSbからなる群から選ばれるいずれか1つであって、単結晶である。半導体結晶50のボロン濃度は、3×1016cm-3以下である。さらに、インゴットの固化率0.1〜0.8の領域にわたるカーボン濃度は、0.5×1015cm-3〜1.5×1015cm-3である。 (もっと読む)


【課題】単結晶表面からのV族元素の局所的な解離及びIII族元素の液垂れを抑制する方法を提供する。
【解決手段】不活性ガスを充填した耐圧容器1内に収容したるつぼ4に原料5と液体封止剤6とを収納して加熱し、種結晶7を原料融液9に接触させつつ種結晶7とるつぼ4とを相対的に移動させて単結晶10を成長させるLECによる化合物半導体単結晶の製造方法において、液体封止剤6の上方に引き上げられた単結晶10の外径が目標とする外径に到達した時の液体封止剤6の厚さをh(mm)、るつぼ4の内径をD1(mm)、目標とする外径をD2(mm)としたときに、0.19≦h/{(D1−D2)/2}≦0.52の範囲になるようにした。 (もっと読む)


【課題】半導体結晶中のカーボン濃度の再現性が良好で、高濃度の酸化炭素ガスを発生させることが容易で、かつ炉外部から一酸化炭素ガスを供給する必要のないIII−V族化合物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】るつぼ1内に、GaAs原料4および酸化ホウ素5が充填され、るつぼ1内で蒸発した酸化ホウ素5に起因したガス状物質と反応するように固体カーボン6が配置され、GaAs原料4が加熱溶融された後に固化されて、カーボンが添加されたGaAs単結晶が形成される。GaAs原料4にはるつぼ1内に充填される前に予めカーボンが添加されている。 (もっと読む)


【課題】液体封止材を用いた単結晶引上法(LEC法)において、再現性よく結晶のラメラ発生を防止することを可能とした化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】PBN製のるつぼ3に、GaAs多結晶、液体封止材として三酸化硼素を装入し、ヒータ4により加熱してB2O3、GaAs多結晶原料および封止材を溶解させ、種結晶S先端と原料融液Lの接触面の温度を調整することにより結晶増径速度が20mm/h以内となるように種付け・増径をおこなう。増径後は結晶成長速度を6〜12mm/hにして結晶径75mm以上のGaAs単結晶を成長させる。 (もっと読む)


【課題】 処理後のウエハの不良品発生率を低減することが可能な半絶縁性GaAsウエハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 直径Φが4インチ以上の半絶縁性GaAsウエハであって、ウエハの半径Rに対してウエハ中心から(2/3)・Rの半径を有する円の部分を中心部とし、前記ウエハ面内の中心部以外の部分である外周部の平均転位密度が、前記中心部の平均転位密度より大きい。 (もっと読む)


【課題】ドープしたFeの析出が抑制されたInP基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るInP基板の製造方法は、FeドープしたInP融液22を封止剤26で封止しつつInPインゴットをVB法により作製して、InP基板を作製するInP基板の製造方法であって、封止剤26として、含有水分が200重量ppm以下の酸化ホウ素(B23)を用いることを特徴とする。このInP基板の製造方法においては、含有水分量を200重量ppm以下にして、In空孔を占有するH原子の数を低減している。そのため、InP基板にドープされたFeの原子が、In原子に置換されやすくなるため、Feの析出が抑制される。 (もっと読む)


【課題】液体封止引き上げ法(LEC法)において、結晶増径部への液体封止剤の付着残留を防止し、結晶のクラック発生を防ぐ化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガスを充填した耐圧容器内に収容され加熱されたルツボ4に、原料融液と液体封止剤を収納し、原料融液に種結晶を接触させ、この種結晶を引き上げることで単結晶を成長させるLEC法による化合物半導体単結晶の製造方法において、前記液体封止剤の上面温度を調整することにより、あるいは、前記液体封止剤の含有水分量を調整することにより、前記液体封止剤上面と前記単結晶表面との界面における前記液体封止剤の粘度を13.0Pa・s以下とする。 (もっと読む)


【課題】VGF法およびVB法により、結晶成長方向の炭素濃度が一定な半絶縁性GaAs単結晶の製造する方法を提供する。
【解決手段】石英アンプル内に、GaAs原料5およびB236を入れたるつぼ3と、蒸気圧制御用のAs7と、Ga23、As23よりなる群から選ばれた1または2以上の化合物、あるいは、一酸化炭素、二酸化炭素よりなる群から選ばれた1または2以上の化合物よりなる酸素供給源8を封入し、石英アンプル中のCOガス濃度を制御しながら結晶成長を行なう。 (もっと読む)


【課題】ドーパントがドーピングされる半導体単結晶の製造方法、特に、製造される半導体単結晶と同一の半導体材料の種結晶を使用し、坩堝内で半導体溶融体を凝固させて製造する製造方法を提供する。
【解決手段】半導体単結晶11における所望の導電率を調整するために使用されるドーパント7は、種結晶5上に形成される半導体単結晶11の成長が開始した後、又は坩堝1の一部又は完全に坩堝の円錐な部分3又は先細部において半導体単結晶11の凝固が終了した後、半導体溶融体9に添加される。又は、ドーパント7の一部が、事前に坩堝1に添加され、その後残りが適宜半導体溶融体9に添加される。 (もっと読む)


【課題】縦型温度傾斜法(VGF法)や縦型ブリッジマン法(VB法)等の縦型ボート法を用いてSiドープ型GaAs単結晶を製造する際に、SiがGaAs単結晶中に再現性良くドープされ、かつSi濃度が均一であり、高い歩留りで生産できるSiドープn型単結晶を提供する。
【解決手段】るつぼ収納容器3内に設けたるつぼ4に種結晶5とGaAs原料を装入し、その上にSi酸化物を予めドープした封止材(B23)8を置き、ヒーター17で加熱して原料を溶融し、温度制御により原料融液7からGaAs結晶6を晶出育成させる際、上記封止剤よりもSi濃度が低い第2の封止剤9を結晶成長時の適正な時期にるつぼ内に流入させ、上部ロッド12を攪拌板10で攪拌することにより、結晶中のキャリア濃度を制御する。 (もっと読む)


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