【課題】ＩＩＩ族−窒化物ウェハーの生成方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族−窒化物の結晶を成長させるための方法であって、以下の工程：
（ａ）熱アンモニア法により、元の種結晶上でＩＩＩ族−窒化物のインゴットを成長させる工程；
（ｂ）該インゴットからウェハーをスライスする工程；
（ｃ）該元の種結晶の窒素極側から取り出したウェハーを、引き続く熱アンモニア法によるインゴットの成長のための新しい種結晶として用いる工程；
を包含する、方法。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な窒化物単結晶を速い速度で成長させる方法を提供する。
【解決手段】シード、窒素元素を含有する溶媒、周期表１３族金属元素を含む原料物質、および前記溶媒の１．５〜１５ｍｏｌ％の量の鉱化剤を入れたオートクレーブ内の温度および圧力を、前記溶媒が超臨界状態および／または亜臨界状態となるように制御して前記シードの表面にアモノサーマル法により窒化物単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１つのスペクトル・エネルギー・パタンに結晶化反応系の１つ以上の成分を曝露することによって、いろいろな結晶形成、構造形成又は相形成／相変化の反応経路又はシステムに影響を及ぼし、コントロールし、及び／又は導く新しい方法に関する。
【解決手段】第一の様態では、少なくとも１つのスペクトル・エネルギー・パタンを結晶化反応系に印加することができる。第二の様態では、少なくとも１つのスペクトル・エネルギー・コンディショニング・パタンをコンディショニング結晶化反応系に印加することができる。スペクトル・エネルギー・コンディショニング・パタンは、例えば、反応容器とは別の場所で（例えば、コンディショニング反応容器で）印加することができる、又は反応容器において（又は、に対して）、しかし他の（又は全ての）結晶化反応系関与物質が反応容器に導入される前に、印加することができる。 （もっと読む）

【課題】大口径のＣ面を有する窒化物半導体や、ｍ軸方向に厚い窒化物半導体を効率よく簡便に製造することができる実用的な製造方法を提供すること。
【解決手段】六方晶系の結晶構造を有するシード、窒素元素を含有する溶媒、周期表１３族金属元素を含む原料物質、及び鉱化剤を入れたオートクレーブ内の温度および圧力を、前記溶媒が超臨界状態及び／又は亜臨界状態となるように制御して前記シードの表面にアモノサーマル的に窒化物半導体を結晶成長させる工程を含む窒化物半導体の製造方法において、前記シード上のｍ軸方向の結晶成長速度を前記シード上のｃ軸方向の結晶成長速度の１．５倍以上にする。 （もっと読む）

【課題】より速い結晶育成速度で、高品質かつ高純度の結晶を作成することができる窒化物単結晶の製造方法、窒化物単結晶、基板およびデバイスを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素を含む原料と、ＭｅＸ^１_ｎ（ここで、ＭｅはＢ，Ａｌ，ＧａまたはＩｎであり、Ｘ^１はＦ，Ｃｌ，ＢｒまたはＩであり、ｎは１〜３の整数である）を含む組成の鉱化剤と、アンモニアと、ＩＩＩ族窒化物から成る種結晶３２とを、反応容器１１に入れる。反応容器１１の内部で、４６０℃〜６００℃の温度および８０ＭＰａ〜１５０ＭＰａの圧力で、アモノサーマル法により、種結晶３２の表面に窒化物単結晶を成長させる。反応容器１１は、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、または、これらのうちの複数種類の元素から成る合金で、内壁面１１ｂがライニングまたはコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】大規模、均一かつ高品質のグラフェン膜およびその作成方法を提供する。
【解決手段】結晶質基板１００上に触媒薄膜１０１を形成し、この触媒薄膜を加熱処理して高秩序で選択的に配向した結晶質触媒薄膜を形成し、ガス状炭素源を加熱し触媒薄膜を冷却することで、触媒薄膜上にグラフェン膜１０２が形成される。前記触媒薄膜の触媒材料はＮｉ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ及びＲｅからなる群から選択された１つまたは複数の元素を含み、厚さは約１ｎｍから約２ｍｍの範囲である。 （もっと読む）

【課題】光電子デバイス、太陽電池、及びフォトディテクタ等の光電子デバイスを構成するナノウィスカであって、III−Ｖ族半導体物質からなる幅の制御された複数のナノウィスカでの製造方法を提供する。
【解決手段】共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ）は、基板にシード粒子を付着させることと、該シード粒子を物質にさらし、その際物質がシード粒子と共にメルトを形成するように温度と圧力の条件を制御し、それによってシード粒子がコラムの頂上に乗ってナノウィスカを形成することからなる方法によって形成され、ナノウィスカのコラムはナノメートル寸法の一定の径を有し、コラムの成長の間上記気体の組成を変更し、それによってエピタキシャル成長を維持しながらコラムの物質組成をその長さに沿った領域で変更し、これによって各部分の物質の間の格子不整合がその境界におけるウィスカの径方向外向きの膨張によって調整される。 （もっと読む）

【課題】タンパク質の結晶化速度を制御することができる新規タンパク質結晶形成制御剤を提供する。
【解決手段】フッ素原子を含有するケイ酸塩化合物が溶液中のタンパク質に作用することで前記タンパク質の結晶化速度を制御するタンパク質結晶形成制御剤であって、前記フッ素原子を含有するケイ酸塩化合物が好ましくは０．１％〜９質量％、より好ましくは０．３％〜５質量％のフッ素原子を含有する層状ケイ酸塩化合物であるタンパク質結晶形成制御剤をタンパク質が溶解している溶液中に添加する。これにより、タンパク質の結晶化速度を速め、また、タンパク質の結晶核形成頻度と結晶の大きさを制御することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスや電子デバイス用基板として好適な平坦性の高い高品質のＳｉＣ単結晶基板の製造を安定して行うことを可能にする技術を提供する。
【解決手段】ＳｉまたはＳｉと他の金属との合金からなる融液にＣが溶解している原料溶液５に結晶成長用基板１を浸漬し、少なくとも基板１の近傍の溶液５を過飽和状態とすることによって基板１上にＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶の製造方法において、(１)融液の材料が少なくとも１種の酸化物を含む、(２)酸素を含む不活性ガス雰囲気下で結晶成長を行う、および(３)酸素を含む不活性ガスを原料溶液に吹き込みながら結晶成長を行う、の少なくとも１つに手法によって、原料溶液５中に酸素を含有させながら、ＳｉＣ単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶性インゴットのアンモノサーマル成長のための方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶性材料を形成する方法であって、（ａ）実質的に酸素と水とを含まない鉱化剤をアンモノサーマル成長反応器１の反応チャンバーに提供することと、（ｂ）該チャンバーを排気することと、（ｃ）該ＩＩＩ族窒化物結晶性材料を成長させる前に、バックエッチングされたシード結晶性材料１１を提供することと、（ｄ）該チャンバー内で該ＩＩＩ族窒化物結晶性材料を成長させることとを含む、方法。 （もっと読む）

【課題】高抵抗且つ低転位密度のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】本発明のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶は、比抵抗が１×１０²Ω・ｃｍ以上、３Ｂ族窒化物結晶中のＺｎ濃度が１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上２×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下、エッチピット密度が５×１０⁶／ｃｍ²以下のものである。この結晶は、液相法（Ｎａフラックス法）により得ることができる。 （もっと読む）

【課題】アンモニアを窒化源として用いることができ、かつ、大量のアンモニアを用いることなく、既存のＭＯＣＶＤ（ＭＯＶＰＥ）装置に簡単な改良を施すだけで高品質のＩｎ系ＩＩＩ族元素の窒化物を製造することができるＩｎ系ＩＩＩ族元素窒化物の製造方法を提供する。
【解決手段】アンモニアを分解してＩｎ系ＩＩＩ族元素に供給し、Ｉｎ系ＩＩＩ族元素窒化物を製造するＩｎ系ＩＩＩ族元素窒化物の製造方法において、前記アンモニア４を触媒６によって分解する。前記触媒とともに又は前記触媒として、水素吸収性を有する材料を用いてもよい。Ｉｎ系ＩＩＩ族元素窒化物がＩｎＮである場合には、ＩｎＮの成長温度を５００℃〜６００℃とするとよい。 （もっと読む）

【課題】高温高圧条件を採用せずに、アモノサーマル法による窒化物結晶の成長速度を速める方法を提供する。
【解決手段】超臨界アンモニアに腐食または溶解しないアンモニア熱分解触媒７を含むアンモニア中において、アモノサーマル法により窒化物結晶を成長させる。アンモニア熱分解触媒７は、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｗ，ＲｅまたはＯｓからなる単体であるか、あるいは、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，ＩｒまたはＰｔのいずれかの金属とその他の金属との合金である。 （もっと読む）

【課題】バイオスクリーニングにおいて標的物質を回収するために用いる構造体であって、加工性が高くまたは融点が低くかつ密度が小さなシリコンを用いて、表面積が大きくかつ磁気特性を帯びたシリコン構造体を提供する。
【解決手段】基材１１と、基材１１のシリコンを主成分とする表面に直接接合された二酸化珪素を主成分とする複数の繊維状突起物１２とを備えたシリコン構造体１０であり、繊維状突起物１２に磁性体を担持させた。二酸化珪素からなる複数の繊維状突起物１２を互いに絡み合うように密集して形成させることにより、表面積を増大しかつ、繊維状突起物１２に磁性体１３を担持させることにより磁気分離が可能で高効率な回収を可能とする。 （もっと読む）

【課題】実用可能性のある大きさを備えた窒化アルミニウム単結晶を、低コストで短時間に得ることができ、かつ、生産性・汎用性が高い窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸窒化アルミニウム及び／又は加熱により酸窒化アルミニウムに変換される酸窒化アルミニウム前駆体を含む原料組成物１０を、１６００〜２４００℃の温度で加熱することにより窒化アルミニウムを合成し、前記窒化アルミニウムを結晶成長させることによって窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、基板の表面に触媒元素（Ｐ）を形成する段階と、基板（Ｓ）の表面に形成された触媒元素からナノワイヤ（ｎｆ）を成長させる段階とを含み、触媒元素が金属ナノ粒子（Ｐ）であることと、基板の表面に触媒元素を形成する段階が、基板の表面にある固体油浸レンズによって収束された光線を用いた金属ナノ粒子の堆積から成ることとを特徴とする、固体油浸レンズに取り付けられた基板（Ｓ）の表面にナノワイヤ（ｎｆ）を形成する方法に関係する。
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【課題】標的物質の結晶化の高スループットスクリーニングを行うこと。
【解決手段】標的物質の結晶化の高スループットスクリーニングが、標的物質の溶液を、微細製作された流体デバイスの複数のチャンバ（９１０２ａ、９１０２ｂ）内に同時に導入することによって達成される。次いで、この微細製作された流体デバイスは、チャンバ（９１０２ａ、９１０２ｂ）内の溶液条件を変更するように操作され、それによって、多数の結晶化環境を同時に提供する。 （もっと読む）

【課題】広い表面積を有する分枝状ナノワイヤーを容易に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン系ナノワイヤ-50の表面を湿式エッチングし、表面欠陥56を形成する。次いで、シリコン系ナノワイヤー50を脱イオン水または空気中に露出させ、表面に酸化物層52を形成する。この工程で、シリコン系ナノワイヤーの表面にはシリコン核54が形成される。この後、シリコン核より分枝状ナノワイヤーを成長させる。本方法によれば、単一形状のナノワイヤーではなく枝が付いたナノワイヤーを製造できる。 （もっと読む）

【課題】単結晶ナノ構造を基板の上に成長させる方法を提供する。
【解決手段】基板１の主表面上にパターン２を最初に形成する工程であって、パターン２は基板１の表面まで延びた開口部を有する工程と、パターン２の開口部中の、露出した主表面の上に、金属３を供給する工程と、開口部をアモルファス材料４で、少なくとも部分的に埋める工程と、アモルファス材料４と金属化合物３とを、３００℃と１０００℃の間の温度でアニールし、金属媒介結晶化により、アモルファス材料４を単結晶材料５に変える工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長速度の大きいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、反応容器２１内に、少なくともＩＩＩ族元素と触媒剤とを含む融液１を種結晶２の周りに形成する融液形成工程と、融液１の表面酸化層１１を除去する工程と、融液１に窒素含有物３を供給して種結晶２上にＩＩＩ族窒化物結晶４を成長させる結晶成長工程とを含む。 （もっと読む）