Fターム［4G077FE00］の内容
結晶、結晶のための後処理 (61,211) | 後処理−加熱、冷却処理 (955)
Fターム［4G077FE00］の下位に属するFターム
封管中での (2)
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加熱、冷却条件 (410)
加熱手段 (39)
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その他 (25)
Fターム［4G077FE00］に分類される特許
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シリコンウエーハの選定方法及びアニールウエーハの製造方法
【課題】表層部において所望の欠陥密度を有するアニールウエーハを安定して供給する方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエーハをアニールしてアニールウエーハを製造する際に原料となるシリコンウエーハを選定する方法であって、前記アニールする前後のシリコンウエーハの表層部における欠陥について測定する工程と、前記測定により得られたデータからアニール前後の表層部における欠陥について相関関係を求める工程と、前記相関関係に基づき、前記アニール後に表層部において所望の欠陥密度を有するアニールウエーハとなり得るシリコンウエーハを原料として選定する工程とを含むことを特徴とするシリコンウエーハの選定方法。
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