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Fターム[4G077FF00]の内容

結晶、結晶のための後処理 (61,211) | 後処理−結晶の接合 (64)

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【課題】性質の揃った複数の単結晶ダイヤモンド基板を比較的簡単な操作によって接合して良質な大面積の単結晶基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】(1)単結晶ダイヤモンドからなる親基板にイオン注入により分離層を形成する。(2)親基板から1個又は2個以上の単結晶ダイヤモンド層を分離する。(3)分離された複数の単結晶ダイヤモンド層を、平坦な支持台上に、互いの側面が接触し、且つ親基板から分離された面が該支持台面に接する状態で載置する工程、(4)支持台上に載置された複数の単結晶ダイヤモンド層の上に、気相合成法で単結晶ダイヤモンドを成長させて、複数の単結晶ダイヤモンド層を接合する。(5)接合された単結晶ダイヤモンド層を支持台上で反転させた後、気相合成法で単結晶ダイヤモンドを成長させて、親基板から分離された面上に単結晶ダイヤモンドを成長させる工程を含む単結晶ダイヤモンドからなる大面積基板の製造方法。 (もっと読む)


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