【課題】ＯＳＦ領域の位置や広さを指標とすることなく引き上げ速度の制御方向を判断することによって、後続の引き上げの速度プロファイルをフィードバック調整する。
【解決手段】ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ４０を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ４０に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。顕在化した突起発生領域４６に基づいて、後続の育成工程における育成条件を、エッチング工程にて突起が発生する領域の面積がシリコンウェーハの面積の１％以上５％以下となるように調整する。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザビームの照射条件を最適化することで改質領域、クラックの発生を制御し、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】被加工基板をステージに載置し、クロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、被加工基板とパルスレーザビームとを相対的に移動させ、被加工基板へのパルスレーザビームの照射と非照射を、クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いてパルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、被加工基板に基板表面に達するクラックを形成するレーザダイシング方法であって、パルスレーザビームの照射エネルギー、パルスレーザビームの加工点深さ、および、パルスレーザビームの照射非照射の間隔を制御することにより、クラックが被加工基板表面において連続するよう形成することを特徴とするレーザダイシング方法。 （もっと読む）

【課題】低コストで板形状を制御した基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に従った基板の製造方法は、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるインゴットを準備する工程としてのインゴット成長工程（Ｓ１１０）と、インゴットをスライスして窒化ガリウムからなる基板を得る工程としてのスライス工程（Ｓ１２０）とを備える。スライス工程（Ｓ１２０）では、スライス後の基板の主表面の算術平均粗さＲａが１０ｍｍ線上で０．０５μｍ以上１μｍ以下となっている。スライス工程（Ｓ１２０）では、主表面における算術平均粗さＲａ、最大高さＲｚ、十点平均粗さＲｚｊｉｓのうちの少なくとも１つについて、ワイヤソーを用いてスライス加工したときのワイヤソーの延在方向に沿った方向で測定した値よりワイヤソーの延在方向に垂直な方向で測定した値の方が大きくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板の表面に形成されたＧａＮ系化合物結晶層を剥離するためのレーザリフトオフ処理において、ワークの温度が多少上昇したとしても、レーザリフトオフ装置内で、レーザリフトオフ後のサファイア基板がＧａＮ層から、完全に剥がれてしまうことがないようにすること。
【解決手段】レーザ光をＧａＮ結晶層の一部に複数回（２回以上）照射する。詳しくは、レーザ光を１回照射してＧａＮ層のサファイア基板との界面がガリウム（Ｇａ）となったところに、再度サファイア基板越しにレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】平坦化された表面を有する窒化物半導体基板を単純な方法で得るための技術を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板の製造方法は、互いに反対側の面である第１面１１２および第２面１１４を有し、前記第１面１１２の側が凸面をなし前記第２面１１４の側が凹面をなすように反っている板状窒化物半導体結晶１１０を準備する準備工程と、前記板状窒化物半導体結晶１１０の前記第２面１１４の側をプレート２００に向け、前記第１面１１２の側が凸面をなし前記第２面１１４の側が凹面をなす状態で前記板状窒化物半導体結晶１１０を前記プレート２００で支持する支持工程と、前記プレート２００で支持された前記板状窒化物半導体結晶１１０の前記第１面１１２を平坦化する平坦化工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】被加工物の被加工面を加工することにより平坦性が高く、かつ加工変質層のない被加工面を形成することのできる加工方法を提供する。
【解決手段】処理溶液３０中に被加工面２０ａを有する被加工物２０を設置する被加工物設置工程と、光触媒膜１２を被加工面２０ａに対向させて処理溶液３０中に設置する光触媒膜設置工程と、光触媒膜１２に光を照射して、光触媒膜１２の光触媒作用により処理溶液３０から活性種４０を生成させる活性種生成工程と、処理溶液３０に添加されたラジカル捕捉剤４２により、処理溶液３０中における活性種４０の拡散距離を制御する活性種拡散距離制御工程と、被加工面２０ａの表面原子２２と活性種４０を化学反応させ、処理溶液３０中に溶出する化合物５０を生成させることにより被加工物２０を加工する加工工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】高精度なレーザースクライブが実現可能なレーザースクライブ割段方法
【解決手段】平面矩形状の基板２の互いに直交する第一方向Ｆと第二方向Ｓとにそれぞれ沿ってレーザーを複数列照射して格子状にスクライブ２１，２２を形成して基板２を割段するレーザースクライブ割段方法であって、前記基板２を複数列にレーザーを照射してスクライブ２１，２２を形成する前に、第一列２１１を形成する位置の近傍側縁に補強保持部材３を密着配置するスクライブ前処理工程と、前記補強保持部材３から近い順番に前記第一方向Ｆと平行な第一列２１１〜第ｎ列にレーザーを照射してスクライブ２１を形成する第一スクライブ工程と、この第一スクライブ工程でスクライブ２１が形成された第一列２１１から第ｎ列にかけて前記第二方向Ｓと平行な第一列２２１〜第ｍ列にレーザーを照射してスクライブ２２を形成する第二スクライブ工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】表面粗さを０．０１μm以下に効率よく仕上げることができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】表面に光デバイス層が積層される基板となるサファイア基板の加工方法であって、サファイアインゴットから切り出されたサファイア基板の一方の面側を研削装置のチャックテーブルに保持してサファイア基板の他方の面を研削し、サファイア基板の他方の面のうねりを除去する第１の研削工程と、第１の研削工程が実施されたサファイア基板の他方の面側を研削装置のチャックテーブルに保持してサファイア基板の一方の面を研削し、サファイア基板の一方の面のうねりを除去する第２の研削工程と、第２の研削工程が実施されたサファイア基板の一方の面または他方の面を裏面として研磨装置のチャックテーブルに保持し、サファイア基板の表面をシリカ粒子をゴム材で固めて構成した研磨パッドによって乾式研磨し、面粗さを０．０１μm以下に仕上げる表面研磨工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】表面粗さを０．０１μm以下に効率よく仕上げることができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】サファイアインゴットから切り出され表面および裏面が加工されてうねりが除去されるとともに均一な厚みに形成され表面に光デバイス層が積層されるサファイア基板の加工方法であって、サファイア基板の裏面側を研磨装置のチャックテーブルに保持し、サファイア基板の表面をシリカ粒子をゴム材で固めて構成した研磨パッドによって乾式研磨し、面粗さを０．０１μm以下に仕上げる。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射によりＩＩＩ族窒化物半導体膜を下地基板から剥離する際に、ＩＩＩ族窒化物半導体膜の破損を抑制する。
【解決手段】サファイア基板１１と、サファイア基板１１上に設けられているＧａＮ膜１２と、を含むサファイア／ＧａＮ構造体Ｗから、レーザ照射によりＧａＮ膜１２を剥離するレーザ剥離装置であって、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗを、ＧａＮ膜１２が下方または側方に向いた状態で、ＧａＮ膜１２表面に接触することなく保持する基板保持台１４と、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗに対してレーザを照射するレーザ照射部と、を備えるレーザ剥離装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】十分な導電性を付与したIII族窒化物結晶を短時間で成長可能とする。
【解決手段】III族のハロゲン化物ガスとＮＨ_３ガスを用いてIII族窒化物結晶を下地基板上に４５０μｍ／ｈｏｕｒよりも大きく２ｍｍ／ｈｏｕｒ以下の範囲の成長速度で成長する場合において、ドーピング原料としてＧｅＣｌ_４を用いることによりIII族窒化物結晶
中にＧｅをドーピングし、III族窒化物結晶の比抵抗が１×１０^−３Ωｃｍ以上１×１０
^−２Ωｃｍ以下となるようにする。 （もっと読む）

本発明は、表面改質により超精密切削加工を行う新規技術に属し、具体的に陽子ビームアシストによる脆性材料の超精密加工方法に関する。本発明は、陽子ビームにより対象物の表面を照射して改質アシスト加工を行う超精密加工技術であり、超精密加工脆性材料の加工精度と表面粗さを著しく向上し、カッターの摩耗を大幅に低減させることができる。本発明は以下のステップを含む。a)シミュレーションソフトウェアを利用して、切削深さ、表面粗さまたはその他の加工要求に従って加工パラメータをシミュレートし、b)イオンビームにより被加工の単結晶脆性材料に衝撃を与えまたは照射することにより、超精密切削加工を行い、c)超精密切削技術により、イオンビーム衝撃した単結晶材料に対して超精密切削加工を行い、d)加工した材料の表面特徴を示す品質を測定し、加工表面品質の改善状況を対比する。本発明は主に単結晶脆性材料の加工に応用される。
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【課題】ストッパ層を形成することなく、低コストかつ短時間でＳｉＣ単結晶基板の再利用基板を形成し、また、再利用する。
【解決手段】まず、第１過程では、基板面１１ａに、順次エピタキシャル成長したＡｌＮ層１３及びＧａＮ層１５を具えるシリコンカーバイド単結晶基板１１を用意する。次に、第２過程では、シリコンカーバイド単結晶基板を、水素雰囲気中においてアニール処理することによって、ＧａＮ層を除去する。 （もっと読む）

【課題】ELO法に有用に使用できる構造体を容易に製造できる製法を提供する。
【解決手段】無機物質の単結晶よりなるベース基板７上に、窒化アルミニウム単結晶よりなる突出部６を複数有する構造体の製造方法であって、ベース基板７の温度を９２０℃を超え１０２０℃未満とし、ベース基板７上に、ハロゲン化アルミニウムガス、および窒素源ガスを供給して窒化アルミニウム単結晶層を成長させた積層基板を製造した後、積層基板の窒化アルミニウム単結晶層から窒素極性を有する窒化アルミニウム単結晶を除去することにより、アルミニウム極性を有する窒化アルミニウム単結晶よりなる突出部６であって、上面の面積が１．０×１０^−４〜１．０×１０^−１μｍ^２であり、かつ密度が２０〜２００個／μｍ^２となる突出部６を形成する。 （もっと読む）

【課題】表面が（１１１）面であり、ペロブスカイト構造を有する結晶基板を高い確率で平坦化することができる結晶表面の平坦化方法を提供する。
【解決手段】結晶の表面を、フッ化アンモニウムを含有するエッチング液でエッチングする工程Ｓ２０と、結晶を不活性ガス中でアニール処理する工程Ｓ３０とを備える。エッチング工程Ｓ２０の前に、結晶の表面を有機溶剤で洗浄する工程Ｓ１０を備えるのが好ましい。結晶は、例えばチタン酸ストロンチウムである。 （もっと読む）

【課題】切断用ワイヤの断線を防いだ上で、１つの原石からより多くのウエハを取り出すこと。
【解決手段】端面が基準面３１とされた切断用ベース３０上に、基準面３１と原石１０の端面１２とのなす角度が指定した切断角度θとなるように原石１０を接着する接着工程と、切断用ベース３０上に接着された原石１０を間に挟むように、該原石１０の両端面１２に、平板状のカバーガラス４６を貼付するカバー工程と、基準面３１と平行に原石１０を複数のワイヤ２１で切断して、複数枚のウエハに分割する切断工程とを有するウエハの作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】面積が広く反りが少なく自立できるＧａＮ単結晶基板、ＧａＮ単結晶基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】２０ｍｍ以上の直径と０．０７ｍｍ以上の厚さを有し、自立しており、研磨された基板表面の法線と、研磨された基板表面と平行度が最も高い低面指数の結晶面の法線とのなす角度が基板内で３度以下であり、少なくとも１面が研磨されており、結晶に含まれる炭素の含有量が分析のバックグラウンドレベルであるＧａＮ単結晶基板。 （もっと読む）

光電池及び他の用途のためのシリコンをキャストするための方法及び装置を提供する。これらの方法によれば、炭素が低含量のインゴットを成長させることができ、その結晶成長はキャスティング中のシード材料の断面積を増加させるように制御される。 （もっと読む）

光電池及び他の用途のためのシリコンをキャストする方法。かかる方法によれば、放射状に分布する不純物及び欠陥を含まないか又は実質的に含まず、それぞれ少なくとも３５ｃｍである少なくとも２つの寸法を有する単結晶質又は双晶シリコンのキャスト体が与えられる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板からバルク金属汚染を除去するための単一工程の方法を提供する。
【解決手段】該方法は、金属汚染したＩＩＩ−Ｖ族半導体基板を、体積比ｘ：ｙ Ｈ_２ＳＯ_４：Ｈ_２Ｏ_２（ｘは３〜９、ｙは１）を有する硫酸および過酸化物の混合物の中に浸漬することを含む。本発明の実施形態に係る方法を用いてＩＩＩ−Ｖ族半導体基板を処理した後、バルク金属汚染は、基板からほぼ完全に除去できるとともに、処理後の基板の表面粗さは、２μｍ×２μｍの表面グリッドに関して０．５ｎｍＲＭＳ未満とすることができる。本発明は、半導体デバイスを製造する更なる処理ステップを実施する前に、本発明の実施形態に係るバルク金属汚染を除去する方法を用いて、半導体デバイスを製造するための方法を提供する。 （もっと読む）